
- •Методы осаждения диэлектрических и проводящих слоев в полупроводниковой технологии
- •1. Термическое окисление кремния
- •1.1. Кинетика процесса и способы окисления
- •1.2. Свойства окисных пленок
- •2. Осаждение диэлектрических слоев из газовой фазы
- •2.1. Особенности технологии и оборудование
- •2.2. Модель процессов с лимитирующей гетерогенной стадией
- •2.3. Модель процессов с лимитирующей гомогенной стадией
- •2.4. Свойства реагентов, используемых для осаждения слоев
- •2.5. Требования к процессам и основные способы осаждения слоев в рпд
- •3. Плазмохимическое осаждение тонких слоев в реакторах пониженного давления
- •3.1. Особенности технологии и оборудование
- •3.2. Осаждение кремнийсодержащих слоев
- •4. Напыление тонких пленок
- •4.1. Требования к пленочным покрытиям и проблемы осаждения тонких пленок
- •4.2. Магнетронное напыление тонких пленок
- •4.3. Параметры процесса осаждения пленок
- •Толщина пленки, нм, рассчитывается по формуле
- •4.4. Особенности технологии и оборудование
- •Список литературы
- •Содержание
2.4. Свойства реагентов, используемых для осаждения слоев
Кремнийсодержащие соединения. Моносилан (SiH4) — бесцветный, пирофорный, токсичный газ с неприятным запахом. Растворим в спирте, бензине, тетразамещенных силанах, сероуглероде. Водой разлагается медленно, в нейтральной и кислой средах устойчив, в щелочной среде быстро гидролизуется. Без доступа воздуха устойчив, разлагается на кремний и водород при температурах выше 300–400 С. Сильный восстановитель. С галогенами реагирует со взрывом. Температура самовоспламенения на воздухе минус 140 С. В производстве используется в виде разбавленных смесей с аргоном, азотом, водородом, а также в чистом виде. Предельно допустимая концентрация (ПДК) равна 1 мг/м3 по порошку двуокиси кремния. Реакции образования слоев
SiH4Si+2H2; SiH4+N2OSiO2+N2+(H2, H2O);
3SiH4+4NH3Si3N4+12H2; SiH4+O2SiO2+(H2, H2O).
Схемы третьей и четвертой реакций записаны предположительно, так как по разным данным продуктами реакций могут быть и водород, и вода.
Дихлорсилан (SiH2Cl2) — бесцветный токсичный газ, вызывающий коррозию металла. Растворяется в бензоле, эфире, четыреххлористом углероде. Водой гидролизуется. При гидролизе в нейтральном или кислом растворе одновременно происходит конденсация и образуются полимеры с силоксановой связью:
nSiH2Cl2+nH2O(SiH2O)n+2nHCl.
Пределы взрываемости на воздухе 4,1–98,8 %, предельно допустимая концентрация приравнивается ПДК для хлористого водорода – 5 мг/м3. Реакции образования слоев:
3SiH2Cl2+10NH3Si3N4+6NH4Cl+6H2;
SiH2Cl2+2N2OSiO2+2N2+2HCl.
Тетрахлорид кремния (SiCl4) — бесцветная термически стойкая жидкость с резким удушающим запахом. Пары дымят на воздухе. Не растворяется в кислотах, растворах щелочей, органических растворителях. Легко гидролизуется водой с образованием хлористого водорода:
С аммиаком при низких температурах тетрахлорид кремния образует соединения, содержащие водород [например, Si(NH2)2NH, Si(NH)2 и др.], при высоких температурах – нитрид кремния:
2SiCl4+4NH3Si3N4+12HCl.
Выделяющийся хлористый водород связывается избытком аммиака с образованием хлористого аммония. Восстановители (H2) реагируют с тетрахлоридом кремния лишь при высоких температурах:
SiCl4+2H2Si+4HCl.
ПДК тетрахлорида кремния соответствует ПДК для хлористого водорода.
Тетраэтоксисилан [Si(OC2H5)4] — бесцветная прозрачная жидкость со слабым эфирным запахом. Растворяется в спирте, эфире. Легко гидролизуется водой. ПДК составляет 20 мг/м3. Схема образования слоев окисла:
Si(OC2H5)4SiO2+4C2H4+2H2O.
Легирующие примеси. Легирующие примеси используются для получения легированного в процессе роста поликристаллического кремния, бинарных и тройных стекол. Наиболее широко в технологии применяются соединения фосфора: фосфин, реже хлориды фосфора. Соединения бора (диборан) используются мало. Остальные легирующие примеси в производстве ИС применяются очень редко.
Фосфин (PH3) — бесцветный самовоспламеняющийся ядовитый газ с неприятным запахом. Растворяется в воде, сероуглероде, бензине, эфире, циклогексаноле. Разлагается при температурах выше 375 С. Часто содержит примесь дифосфина, вследствие чего самовозгорается при минус 40 С. Смеси с воздухом взрывоопасны. Область самовоспламенения на воздухе 0,5–100 %. Сильный восстановитель. ПДК 0,1 мг/м3. Порог ощущения 2–4 мг/м3.
Треххлористый фосфор (PCl3) — бесцветная дымящая на воздухе жидкость с резким запахом, напоминающим запах хлористого водорода. Растворим в эфире, бензоле, хлороформе, четыреххлористом углероде, сероуглероде. Легко гидролизуется водой с образованием фосфорной кислоты. Треххлористый фосфор легко присоединяет другие вещества и ведет себя как ненасыщенное соединение. При окислении кислородом образует POCl3. ПДК 1 мг/м3.
Оксихлорид фосфора (POCl3) — бесцветная дымящая на воздухе жидкость с острым запахом. Хорошо растворим в бензоле, сероуглероде, четыреххлористом углероде. Легко гидролизуется водой с образованием фосфорной кислоты. Оксихлорид фосфора значительно более ядовит, чем PCl3. ПДК 0,05 мг/м3.
Диборан (B2H6) — бесцветный ядовитый газ. Водой гидролизуется при комнатной температуре. При температуре выше 300 С разлагается на водород и высшие бороводороды. Легко окисляется, на воздухе самовоспламеняется при температурах ниже 100 С. ПДК 0,1 мг/м3.
Другие реагенты. Аммиак (NH3) — бесцветный газ с резким удушливым запахом. Растворим в воде, эфирах, спиртах. Вступает в реакции присоединения, замещения и окисления. При обычных температурах устойчив, разлагается выше 840 С. Температура самовоспламенения 650 С. Пределы взрывоопасных концентраций в смесях с кислородом 13,5–79 %, с воздухом 15–28 %, с закисью азота 2,2–72 %. ПДК 20 мг/м3, порог ощущения 0,55 мг/м3.
Закись азота (N2O) — бесцветный газ со слабым приятным запахом. Растворим в воде, эфирах, спиртах, концентрированной серной кислоте. При высоких температурах сильный окислитель. Кислородом не окисляется. Разлагается при температурах выше 500 С. Образует взрывоопасные смеси с аммиаком, водородом, окисью углерода, органическими веществами. В смеси с кислородом используется как анестизирующее средство.