- •Методы осаждения диэлектрических и проводящих слоев в полупроводниковой технологии
- •1. Термическое окисление кремния
- •1.1. Кинетика процесса и способы окисления
- •1.2. Свойства окисных пленок
- •2. Осаждение диэлектрических слоев из газовой фазы
- •2.1. Особенности технологии и оборудование
- •2.2. Модель процессов с лимитирующей гетерогенной стадией
- •2.3. Модель процессов с лимитирующей гомогенной стадией
- •2.4. Свойства реагентов, используемых для осаждения слоев
- •2.5. Требования к процессам и основные способы осаждения слоев в рпд
- •3. Плазмохимическое осаждение тонких слоев в реакторах пониженного давления
- •3.1. Особенности технологии и оборудование
- •3.2. Осаждение кремнийсодержащих слоев
- •4. Напыление тонких пленок
- •4.1. Требования к пленочным покрытиям и проблемы осаждения тонких пленок
- •4.2. Магнетронное напыление тонких пленок
- •4.3. Параметры процесса осаждения пленок
- •Толщина пленки, нм, рассчитывается по формуле
- •4.4. Особенности технологии и оборудование
- •Список литературы
- •Содержание
2.2. Модель процессов с лимитирующей гетерогенной стадией
Общая формулировка задачи. При моделировании процессов с лимитирующей гетерогенной стадией принимаются в рассмотрение кинетическое уравнение гетерогенной стадии и условия массопереноса в конкретном реакторе. Рассмотрим вариант РПД, в котором конвективный массоперенос с постоянной скоростью происходит параллельно оси реактора в кольцеобразном зазоре между пакетом пластин и стенками реактора. В зазоре между пластинами конвективного переноса нет, газ поступает в эти области путем молекулярной диффузии.
В стационарных условиях распределение концентрации активных газовых компонентов для данной схемы реактора будет подчиняться уравнению
D2C=vdC/dz, (2.15)
где C – концентрация активного компонента, моль/см3; v – линейная скорость движения газа; z – координата вдоль оси реактора.
В узком зазоре между пластинами конвективный перенос отсутствует и концентрация будет удовлетворять уравнению
2C=0. (2.16)
На поверхности пластин и стенках реактора происходит осаждение материала. Скорость осаждения, моль/(см2с), определяется градиентом концентрации на поверхности W=kf(C)=DgradCn и описывается граничными условиями
DdC/dr=kf(C) на поверхности реактора и (2.17)
DdC/dz=kf(C) на поверхности пластин. (2.18)
Здесь n – единичный вектор, перпендикулярный поверхности; r – радиальная координата; kf(C) – кинетическое уравнение скорости поверхностной реакции; k – константа скорости реакции. Условия (2.17) и (2.18) показывают, что диффузионный поток на поверхность равен скорости гетерогенной реакции.
Начальным условием является постоянство концентрации исходных компонентов на входе в реактор:
C=C0. (2.19)
П ри допущении постоянной концентрации активного компонента в зазоре между пакетом пластин и стенками реактора в области конвективного переноса по всей длине зоны реакции, равной C0, исходная задача сводится к двумерной с цилиндрической симметрией (рис. 2.5):
r
r0
z
-h/2
h/2 Рис.
2.5. К краевой задаче (2.20)–(2.23)
C(r0, z)=C0 при h/2z+h/2; (2.21)
DC/z=kf(C) при 0rr0; (2.22)
W(r)=DgradCn. (2.23)
При малых парциальных давлениях, когда гетерогенная реакция имеет первый порядок, решение задачи (2.20) – (2.23) может быть получено в аналитическом виде:
. (2.24)
Здесь αn находится из уравнения αntgαn=kh/2D; I0 – модифицированная функция Бесселя; h – расстояние между пластинами радиуса r0.
В реальном процессе пластины всегда устанавливаются на малом расстоянии одна от другой, h<r0, и, кроме того, практический интерес представляет только область малых отклонений от плоского профиля.
Диффузия в узких щелях. Пусть расстояние между пластинами настолько мало, что диффузию между ними можно не учитывать в том смысле, что она происходит очень быстро, и концентрация в узкой щели между пластинами успевает выравниться вдоль оси z, так как критерий Шервуда Sh=kh/D<1. Тогда в уравнении (2.20) можно опустить член, описывающий диффузию к пластинам, а граничное условие (2.22) заменить действием эквивалентных источников или стоков (jэкв) при отражающих границах. При этом переходим к одномерной задаче
(2.24)
C(r0)=C0. (2.25)
Здесь С – "средняя концентрация" по h в зазоре между пластинами. Очевидно, что при скорости поверхностной реакции W локальный расход реагента, моль/(см3с), из объема Sh между пластинами площадью S
jэкв=2W(C)S/Sh=2W(C)/h. (2.26)
Профиль скорости осаждения для реакции первого порядка будет иметь вид
(2.27)
Таким образом, форма профиля определяется комбинацией параметров (μr0)2=r02(2k/Dh), называемой критерием Тиле, Ф. По величине критерия Тиле можно оценить, в какой области – диффузионной или кинетической – протекает процесс. Для реакции любого порядка применяется обобщенный критерий Тиле
Ф=(2r02/Dh)[W(C0)/C0]. (2.28)
Профиль скорости роста можно рассчитать приближенно, пользуясь разложением функции I0(x) в ряд
I0(x)~1+(x/2)2+(x/2)4/4+..., (2.29)
При малых μr0 профиль описывается параболой. Близкий к плоскому профиль реализуется при μr0<1. Очевидно, что скорость осаждения на краю пластины (r=r0) всегда равна kC0.
Малые отклонения от плоского профиля. В этом случае для задачи (2.24)—(2.26) можно получить приближенное аналитическое решение для реакции любого порядка. В качестве нулевого приближения при поиске распределения концентрации С1 в зазоре между пластинами не будем учитывать пространственной неоднородности стоков, т. е. будем считать, что осаждение идет по всей пластине с одинаковой скоростью W(C0). Тогда (2.24) будет иметь вид
(2.30)
Решение уравнения (2.30) сводится к интегрированию рациональных функций и в результате получаем выражение
(2.31)
Таким образом, в рассматриваемом приближении распределение концентрации активных реагентов в зазоре между пластинами по радиусу r имеет вид параболы. Максимальное отклонение, наблюдаемое в центре пластины при r=0, будет равно Ф/4. Профиль скоростей осаждения будем находить, пользуясь кинетическим уравнением реакции W=kf(C).
Профиль скоростей осаждения для реакции первого порядка повторяет профиль концентрации C(r). Для реакции n-го порядка получаем
(2.32)
Учитывая, что Ф/4<1 и [1(Ф/4)(r02r2)/r02]n1n(Ф/4)(r02r2)/r02, видим, что для реакции n-го порядка профиль тоже параболический (за исключением n<1):
(2.33)
Таким образом, форма профиля скоростей осаждения в узком зазоре между пластинами при малых отклонениях от однородности нечувствительна к порядку реакции. Степень отклонения от однородности
δ=[W(r0)W(0)]/W(r0)=nФ/4=(nr02/2Dh)kC0n1. (2.34)
В случае необходимости можно получить второе приближение для распределения концентрации С2, подставив W=W(C1) вместо W(C0) в (2.30) и выполнив интегрирование.
Из (2.34) непосредственно следуют практические рекомендации для выбора оптимальных условий проведения процесса. Отметим прежде всего, что для реакции первого порядка вид профиля не зависит от исходной концентрации, при n>1 неоднородность возрастает с увеличением С0. При выравнивании профиля температуру осаждения следует снижать насколько это возможно без ущерба для качества получаемых слоев, так как k=f(T). Снижение давления в реакторе и уменьшение отношения r0/h также способствуют выравниванию профиля. Однако при заданном размере пластин увеличение расстояния между ними приводит к снижению производительности процесса.