Список литературы

1. Аппаратура и методика осаждения слоев при пониженном давлении: В 2-х ч./Васильев В.Ю., Сухов М.С. – Обз. по электр. техн. Сер. 7. Техн., организ. произв. и оборуд. – М.: ЦНИИ "Электроника", 1985. – Вып. 3(1087), – 56 с. Вып. 4(1088), – 52 с.

2. Моделирование процессов осаждения диэлектрических слоев из газовой фазы при низком давлении/Васильева Л.Л., Васильев В.Ю., Попов В.П., Сухов М.С. – Обз. по электр. техн. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. Вып. 8(1051). – М.: ЦНИИ "Электроника", 1984. – 26 с.

3. Плазмохимическое осаждение тонких слоев в реакторах пониженного давления: В 2-х ч./Шепелев С.Н., Васильев В.Ю., Попов В.П. – Обз. по электр. техн. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. – М.: ЦНИИ "Электроника". – Ч.1. - Вып. 7(1242), 1986. – 53 с. – Ч.2. – Вып. 2(1332), 1988. – 63 с.

4. Травление и осаждение слоев с помощью химически активных частиц, создаваемых в плазме, отделенной от зоны обработки/Кузнецов В.И. – Обз. по электр. техн. Сер. 3. Микроэлектроника. Вып. 2(1668). – М.:ЦНИИ "Электрони-ка", 1992. – 104 с.

5. Магнетронные распылительные устройства (магратроны)/Минайчев В.Е., Одиноков В. В., Тюфаева Г. П. – Обз. по электр. техн. Сер. 7. Техн., организ. произв. и оборуд. Вып. 8(659). – М.: ЦНИИ "Электроника", 1979. – 56 с.

6. Устройства со скрещенными полями и перспектива их использования в технологии микроэлектроники/Данилин Б.С., Сырчин В.К. – Обз. по электр. техн. Сер. 3. Микроэлектроника. Вып. 2(1619). – М.: ЦНИИ "Электроника", 1991. – 92 с.

7. Плазменные устройства со скрещенными полями в технологии СБИС/ Данилин Б.С., Сырчин В.К. – Итоги науки и техники. Сер. Электроника. – М.: ВИНИТИ, 1990. – Т. 27. – С. 61–100.

Содержание

Воронежский государственный технический университет 1

Г.И.ЛИПАТОВ 1

В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ТЕХНОЛОГИИ 1

УДК 621.382 2

Печатается по решению редакционно-издательского совета 2

Воронежского государственного технического университета 2

© Липатов Г.И., 2000 2

1. ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ КРЕМНИЯ 3

1.1. Кинетика процесса и способы окисления 4

1.2. Свойства окисных пленок 6

2. ОСАЖДЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ 10

2.1. Особенности технологии и оборудование 11

2.2. Модель процессов с лимитирующей гетерогенной стадией 21

2.3. Модель процессов с лимитирующей гомогенной стадией 24

2.4. Свойства реагентов, используемых для осаждения слоев 27

2.5. Требования к процессам и основные способы осаждения слоев в РПД 29

3. ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ ТОНКИХ СЛОЕВ В РЕАКТОРАХ ПОНИЖЕННОГО ДАВЛЕНИЯ 32

3.1. Особенности технологии и оборудование 33

3.2. Осаждение кремнийсодержащих слоев 38

4. НАПЫЛЕНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК 44

4.1. Требования к пленочным покрытиям и проблемы осаждения тонких пленок 44

4.2. Магнетронное напыление тонких пленок 47

4.3. Параметры процесса осаждения пленок 54

4.4. Особенности технологии и оборудование 62

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 67

СОДЕРЖАНИЕ 68

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 60

ЛР № 066815 от 25.08.99. Усл. печ. л. 3,8

69