
- •Методы осаждения диэлектрических и проводящих слоев в полупроводниковой технологии
- •1. Термическое окисление кремния
- •1.1. Кинетика процесса и способы окисления
- •1.2. Свойства окисных пленок
- •2. Осаждение диэлектрических слоев из газовой фазы
- •2.1. Особенности технологии и оборудование
- •2.2. Модель процессов с лимитирующей гетерогенной стадией
- •2.3. Модель процессов с лимитирующей гомогенной стадией
- •2.4. Свойства реагентов, используемых для осаждения слоев
- •2.5. Требования к процессам и основные способы осаждения слоев в рпд
- •3. Плазмохимическое осаждение тонких слоев в реакторах пониженного давления
- •3.1. Особенности технологии и оборудование
- •3.2. Осаждение кремнийсодержащих слоев
- •4. Напыление тонких пленок
- •4.1. Требования к пленочным покрытиям и проблемы осаждения тонких пленок
- •4.2. Магнетронное напыление тонких пленок
- •4.3. Параметры процесса осаждения пленок
- •Толщина пленки, нм, рассчитывается по формуле
- •4.4. Особенности технологии и оборудование
- •Список литературы
- •Содержание
2.3. Модель процессов с лимитирующей гомогенной стадией
В данном случае необходимо принимать во внимание соотношение скоростей гомогенного и гетерогенного процессов, а также скоростей диффузии исходного и промежуточного продуктов. Будем рассматривать такие условия проведения процесса, когда конвективный и диффузионный потоки разделены, и в зоне осаждения происходит только диффузионный массоперенос.
Будем полагать, что:
в зоне осаждения по длине реактора концентрация исходных реагентов постоянна (С0), т. е. обеднение газовой фазы активным компонентом не учитываем;
скорость диффузии исходных реагентов (WDисх) достаточно велика, так что в реакционном объеме они распределены равномерно;
наиболее медленной стадией процесса является газофазная реакция образования промежуточного продукта П (Wгом). Так как WDисх>Wгом, в реакционном объеме существует равномерно распределенный постоянный источник промежуточного продукта, который не зависит от геометрии, т. е. количества и способа расположения пластин;
причиной возникновения неоднородных профилей является диффузия промежуточного продукта к стенкам (WDП), которая происходит медленнее, чем гетерогенная реакция расходования П на поверхности, WDП<Wгет, в результате которой образуется слой материала.
Соотношение характеристических скоростей всех стадий процесса можно представить схемой WDисх>Wгом<WDП<Wгет.
На основе этих допущений распределение концентрации промежуточного продукта в стационарных условиях находится из решения уравнения диффузии промежуточного продукта при действии в зоне реакции равномерно распределенного источника этого продукта:
(2.35)
где j и DП – локальное производство и коэффициент диффузии П. При этом на поверхности осаждения концентрация промежуточного продукта равна нулю, так как Wгет>WDП. Конкретный вид граничных условий определяется геометрией реактора. Скорость осаждения слоя определяется градиентом концентрации П на поверхности.
Аналитическое решение задачи возможно для модельного реактора, в котором полый цилиндр с узкими прорезями и прижатыми к торцам пластинами образует квазизамкнутый объем длиной h и радиусом r0, в который за счет диффузии через прорези поступает реакционная смесь и отводятся газообразные продукты реакции (рис. 2.6). Таким образом, конвективный и диффузионный потоки разделены физической стенкой.
Распределение концентрации промежуточного продукта в реакционном объеме находится из решения уравнения (2.35) при граничных условиях
r
ной
ячейки
r
0
Рис. 2.6. Схе-
0
z ма реакцион-
(2.36)
и имеет вид
(2.37)
Продифференцировав (2.37) по z, получим
(2.38)
Из (2.38) следует, что скорость осаждения определяется локальным производством промежуточного продукта j, не зависит от величины коэффициента диффузии и максимальна в центре пластины, а форма распределения скоростей осаждения зависит только от геометрии реактора (параметров r0 и h).
Если высота цилиндра h много меньше его радиуса r0, то практически все продукты, образующиеся в газовой фазе внутри цилиндра, будут осаждаться на кремниевых пластинах на торцах цилиндра (не считая областей, близких к краям пластин). Скорость осаждения в центре пластины будет пропорциональна объему газа, заключенного внутри цилиндра, т. е. величине h (рис. 2.7) цилиндра. Уменьшение толщины слоя на краях пластин (рис. 2.8) связано с тем, что образующиеся в этой части газообразные продукты реакции при диффузии будут иметь сток не только на кремниевые пластины, но и на внутреннюю поверхность кварцевого цилиндра. Область обеднения на краях будет возрастать по мере увеличения h/r0. Начиная с области, где высота цилиндра становится сравнимой с его диаметром, дальнейшее увеличение не меняет скорость роста в центре пластины, а также распределение скоростей роста по пластине.
Рис.
2.7. Зависимость нормированной скорости
осаждения в центре пластины от расстояния
между пластинами h
0
10 20 30 r,
мм
Рис.
2.8. Нормированные профили скоростей
осаждения по радиусу пластины: h=110
(1),
30 (2),
20 (3)
и 10 (4)
мм
C(z,R)=0 при h/2zh/2;
C(+h/2, r)=0 при 0rr0;
C(+h/2, r)/z=0 при Rr0rR,
— показывает, что характер распределения скоростей осаждения вблизи края пластины определяется величиной расстояния от края пластины до стенки реактора Rr0 и расстоянием между пластинами h. Если расстояние Rr0 сравнительно велико, образующийся в этой части объема промежуточный газообразный продукт при диффузии имеет сток, в том числе и на краях пластин, что должно вызывать увеличение скоростей роста здесь по сравнению с областью вблизи центра. Такой эффект наблюдается при сравнительно малых h, т. е. когда (Rr0)/h>0,6. Если же расстояние Rr0 мало по сравнению с расстоянием между пластинами h, (Rr0)/h<0,4, то стоком для продуктов реакции, образующихся в зазоре между пластинами, будут не только поверхности пластин, но и стенки реактора. Это приведет к уменьшению скорости роста на краях пластины по сравнению с центром. Распределение, наиболее близкое к однородному, получается при (Rr0)/h0,40,6. При этом влиянием параметра r0/h на вид профиля можно пренебречь.