4.4. Обработка результатов измерений в ы х о д н ы х вольт-амперных характеристик
По измеренным зависимостям построить семейство характеристик Iк=f(Uкэ), где параметром является ток базы Iб.
Определить с о п р о т и в л е н и я к о л л е к т о р а "Rc" по формуле (19) для ветви характеристики, соответствующей наибольшему току базы.
Определить н а п р я ж е н и е Э р л и "Vaf" по формуле (20) для ветви характеристики, соответствующей среднему значению тока базы.
4.5. Расчет характеристик транзистора с помощью программы pspice.
С использованием определенных ранее параметров рассчитать по PSPICE выходные и входные характеристики биполярного транзистора.
Пример входного файла для расчеты выходных ВАХ:
Output VAC
Vc 3 0 1V
Vb 1 0 1V
Rk 4 3 5
* Rb имеет большое значение
Rb 1 2 100k
Q1 4 2 0 kt315
.model kt315 NPN(Is=1e-14 Bf=100 Vaf=70 Nf=1.1 Rb=76 Rc=35)
.DC Vc 0 10V 0.05 Vb 3 7 2
.probe
.END
Пример входного файла для расчеты входных ВАХ:
Input VAC
Vc 3 0 1V
Vb 1 0 1V
Rk 4 3 5
* Rb имеет малое значение !!!!!
Rb 1 2 1
Q1 4 2 0 kt315
.model kt315 NPN(Is=1e-14 Bf=100 Vaf=70 Nf=1.1 Rb=76 Rc=35)
.DC Vb 0.3 1 0.05
.probe
.END
Рис.3. Схема включения (а) биполярного транзистора с общей базой и соответсвующие входные (б) и выходные (в, г) вольт-амперные характеристики.
Рис. 4. Схема включения (а) биполярного транзистора с общим эмиттером и соответсвующие входные (б) и выходные (в) вольт-амперные характеристики.
а)
б)
Рис. 6 . Схемы измерения входных (а) и выходных (б) ВАХ биполярного транзистора.
а) б)
Рис. 7. Обработка результатов измерения входных (а) и выходных (б) ВАХ биполярного транзистора.
5. Литература.
И. П. Степаненко. “Основы теории транзисторов и транзисторных схем.”, М., Энергия, 1977.
Разевиг В.Д. «Применение программ PCAD и PSPICE для схемотехнического моделирования на ПЭВМ».
Контрольные вопросы
1. Структура и принцип работы биполярного транзистора.
2. Режимы работы транзистора.
3. Схемы включения транзистора, ВАХ.
4. Схемотехнические модели биполярного транзистора.
5. Методика определения параметров схемотехнической модели биполярного транзистора.