
- •Правительство Российской Федерации
- •Содержание.
- •1.Специальная часть
- •1.1. Описание предметной области по характеристикам замкнутых сау
- •1.1.1. Частотные и логарифмические характеристики сау
- •1.1.2. Частотные показатели (оценки) качества сау
- •1.1.3. Оценка устойчивости сау по ее частотным и логарифмическим частотным характеристикам
- •1.2. Обоснование выбора программных и технических средств для реализации Интернет – подсистемы
- •3.1. Полный допуск
- •3.2. Экспресс-допуск
- •1.5. Разработка методики обучения в Интернет – подсистеме по исследованию устойчивости сау
- •1.6. Разработка методики допуска к лабораторному исследованию устойчивости замкнутой сау с помощью частотных критериев устойчивости
- •1.7. Разработка методики лабораторного исследования устойчивости замкнутой сау
- •1.8. Разработка алгоритмического обеспечения Интернет – подсистемы для лабораторного исследования устойчивости сау
- •1.9. Разработка программного обеспечения Интернет – подсистемы для лабораторного исследования устойчивости разомкнутой и замкнутой сау
- •1.10. Руководство разработчика Интернет – подсистемы для лабораторного исследования устойчивости разомкнутой и замкнутой сау
- •1.11. Руководство пользователя Интернет – подсистемы для лабораторного исследования устойчивости разомкнутой и замкнутой сау
- •1.11.1. Начало работы
- •1.11.2. Работа в режиме обучения
- •1.11.3. Работа в режиме допуска к лабораторному исследованию
- •Экспресс-допуск
- •1.11.4. Работа в режиме лабораторного исследования
- •2.Конструктивно – технологическая часть
- •2.1. Технический процесс изготовления приборов (имс) по кмдп технологии
- •2.2. Технологический процесс изготовления эпитаксиально – планарного транзистора Типы структур имс
- •Эпитаксия
- •Фотолитография
- •Диффузия
- •Металлизация
- •Окисление
- •3.Охрана труда
- •3.1. Исследование опасных и вредных факторов при эксплуатации эвм и их воздействие на пользователя
- •3.2. Методы и способы защиты пользователя от воздействия опасных и вредных факторов
- •4. Экологическая часть
- •4.1. Влияние уфи на организм человека и способы защиты.
- •Ультрафиолетовое излучение
- •Биологическое действие ультрафиолетового излучения
- •Защита от ультрафиолетового излучения
- •Заключение
- •Список литературы
Экспресс-допуск
Режим “Экспресс-допуск” рекомендуется для допуска защиты лабораторных работ, он аналогичен режиму “Полного допуска”. Предполагается, что основные теоретические сведения студенту уже известны и оформлен конспект для выполнения лабораторной работы. В данном режиме допуска студенты в случайном порядке задается до 5 вопросов. Количество задаваемых вопросов определяется в меню «Настройки системы». После успешного прохождения допуска студенту предоставляется возможность входа в режим «Лабораторное исследование»
1.11.4. Работа в режиме лабораторного исследования
Студент выбирает пункт
меню Интернет подсистемы «Лабораторная
работа» и в соответствии с номером
варианта, заданным преподавателем,
вводит рассчитанные им заранее
коэффициенты
передаточных функций. Для этого ему
необходимо из таблицы варианта выбрать
значения
,
которые являются значениями коэффициентов
усиления передаточных функций реальных
устройств, и
,
которые являются значениями постоянных
времен этих реальных устройств. Вид
Интернет – страницы для ввода коэффициентов
передаточных функций представлен на
рис. 1.28.
Рис.1.28. Вид окна «Лабораторная работа» в Интернет – подсистеме для лабораторного исследования устойчивости разомкнутых и замкнутых
Интернет – подсистема проводит моделирование частотных и логарифмических частотных характеристик разомкнутой и замкнутой САУ. Их вид представлен на рис. 1.29.
Рис.1.29. Вид окна характеристик Интернет – подсистеме для лабораторного исследования устойчивости разомкнутых и замкнутых
После этого
Интернет – подсистема проводит расчет
частотных показателей (оценок) качества.
В лабораторной работе рассматриваются
следующие основные частотные оценки
качества САУ: запас устойчивости по
амплитуде (или по модулю)
(в линейном масштабе) и
(в логарифмическом масштабе); запас
устойчивости по фазе
;
показатель колебательности
;
резонансная частота
;
частота среза
.
Заключительным этапом является оценка устойчивости САУ с помощью частотных критериев устойчивости при задании параметров передаточной функции разомкнутой системы W(р) и замкнутой системы Ф(р).
2.Конструктивно – технологическая часть
2.1. Технический процесс изготовления приборов (имс) по кмдп технологии
Процесс изготовления ИМС состоит из определённого числа технологических операций и переходов, в результате которых из исходных материалов на пластине заданных размеров получаются готовые электронные функциональные устройства – микросхемы.
Специфической особенностью изготовления ИМС является интегрально – групповой метод производства. Суть его заключается в интеграции большого количества различных и однотипных элементов на едином технологическом носителе – пластине и в интеграции технологических процессов (операций) при групповых методах их проведения. Это означает, что за один технологический цикл одновременно создаётся не один, а множество ИМС.
Последовательность технологических операций при формировании структуры КМДП по самосовмещённой технологии приведена в таблице 2.1. Самосовмещённая технология – это такая технология , когда длина каналов обоих типов электропроводности уменьшается за счёт использования технологии подлегирования через специально сформированную маску из поликристаллического кремния, который выполняет роль затвора.
Таблица 2.1 Перечень, последовательность и номинальные параметры слоёв микросхем.
№ п.п. |
Наименование слоя |
Номер фотошаблона |
Номинальные параметры |
Примечание |
1 |
Исходный кристалл |
– |
КЭФ=4,5 (100) КЭФ=20 (100) |
|
2 |
Первичный термический окисел |
– |
d=0,40÷0,50 мкм |
|
3 |
Карман р-типа |
1 |
Na=1·10 d=5÷8 мкм |
Выполняют фотолитографию «кармана» и двухстадийную диффузию «кармана» на необходимую глубину. |
4 |
Диффузионные
р |
2 |
rs=10÷25 Ом/ d=0,40÷0,50 мкм |
Выполняют фотолитографию и диффузию.
|
5 |
Диффузионные
n |
3 |
gs=10÷25 Ом/ d=1,4÷1,6 мкм |
|
6 |
Тонкий оксид |
4 |
d=0,09 ±0,01 мкм |
Проводят фотолитографию.
Выращивают тонкий слой окисла.
|
7 |
Поликристаллический кремний |
5 |
d=0,3÷0,6 мкм |
Наращивают специальную маску из поликристаллического кремния Si*.
|
8 |
Подлегирование областей истока – стока р-канального транзистора |
6 |
Na=1·10 d=0,4 мкм |
|
9 |
Подлегирование областей истока – стока n-канального транзистора
|
7 |
Nд
≈1·10 d =0,4 мкм |
|
10 |
Межслойный диэлектрик |
– |
d≈0,5 мкм |
|
11 |
Контактные окна |
8 |
4×4 мкм |
Проводят фотолитографию – вскрытие окон под контакты.
|
12 |
Металлизация алюминием |
9 |
d=1,2÷0,2 мкм |
Создание внутрисхемных соединений путём металлизации алюминием.
|
13 |
Диэлектрический защитный слой |
10 |
d=0,5 ±0,2 мкм |
Пассивация – нанесение защитного покрытия, в котором фотолитографией вскрывают окна под периферийные контактные площадки.
|