Экспресс-допуск

Режим “Экспресс-допуск” рекомендуется для допуска защиты лабораторных работ, он аналогичен режиму “Полного допуска”. Предполагается, что основные теоретические сведения студенту уже известны и оформлен конспект для выполнения лабораторной работы. В данном режиме допуска студенты в случайном порядке задается до 5 вопросов. Количество задаваемых вопросов определяется в меню «Настройки системы». После успешного прохождения допуска студенту предоставляется возможность входа в режим «Лабораторное исследование»

1.11.4. Работа в режиме лабораторного исследования

Студент выбирает пункт меню Интернет подсистемы «Лабораторная работа» и в соответствии с номером варианта, заданным преподавателем, вводит рассчитанные им заранее коэффициенты передаточных функций. Для этого ему необходимо из таблицы варианта выбрать значения , которые являются значениями коэффициентов усиления передаточных функций реальных устройств, и , которые являются значениями постоянных времен этих реальных устройств. Вид Интернет – страницы для ввода коэффициентов передаточных функций представлен на рис. 1.28.

Рис.1.28. Вид окна «Лабораторная работа» в Интернет – подсистеме для лабораторного исследования устойчивости разомкнутых и замкнутых

Интернет – подсистема проводит моделирование частотных и логарифмических частотных характеристик разомкнутой и замкнутой САУ. Их вид представлен на рис. 1.29.

Рис.1.29. Вид окна характеристик Интернет – подсистеме для лабораторного исследования устойчивости разомкнутых и замкнутых

После этого Интернет – подсистема проводит расчет частотных показателей (оценок) качества. В лабораторной работе рассматриваются следующие основные частотные оценки качества САУ: запас устойчивости по амплитуде (или по модулю) (в линейном масштабе) и (в логарифмическом масштабе); запас устойчивости по фазе ; показатель колебательности ; резонансная частота ; частота среза .

Заключительным этапом является оценка устойчивости САУ с помощью частотных критериев устойчивости при задании параметров передаточной функции разомкнутой системы W(р) и замкнутой системы Ф(р).

2.Конструктивно – технологическая часть

2.1. Технический процесс изготовления приборов (имс) по кмдп технологии

Процесс изготовления ИМС состоит из определённого числа технологических операций и переходов, в результате которых из исходных материалов на пластине заданных размеров получаются готовые электронные функциональные устройства – микросхемы.

Специфической особенностью изготовления ИМС является интегрально – групповой метод производства. Суть его заключается в интеграции большого количества различных и однотипных элементов на едином технологическом носителе – пластине и в интеграции технологических процессов (операций) при групповых методах их проведения. Это означает, что за один технологический цикл одновременно создаётся не один, а множество ИМС.

Последовательность технологических операций при формировании структуры КМДП по самосовмещённой технологии приведена в таблице 2.1. Самосовмещённая технология – это такая технология , когда длина каналов обоих типов электропроводности уменьшается за счёт использования технологии подлегирования через специально сформированную маску из поликристаллического кремния, который выполняет роль затвора.

Таблица 2.1 Перечень, последовательность и номинальные параметры слоёв микросхем.

№ п.п.	Наименование слоя	Номер фотошаблона	Номинальные параметры	Примечание
1	Исходный кристалл	–	КЭФ=4,5 (100) КЭФ=20 (100)
2	Первичный термический окисел	–	d=0,40÷0,50 мкм
3	Карман р-типа	1	Na=1·10 см¯³ d=5÷8 мкм	Выполняют фотолитографию «кармана» и двухстадийную диффузию «кармана» на необходимую глубину.
4	Диффузионные р-слои (исток, сток, охранная область)	2	rs=10÷25 Ом/ d=0,40÷0,50 мкм	Выполняют фотолитографию и диффузию.
5	Диффузионные n-слои (исток, сток, охранная область)	3	gs=10÷25 Ом/ d=1,4÷1,6 мкм
6	Тонкий оксид	4	d=0,09 ±0,01 мкм	Проводят фотолитографию. Выращивают тонкий слой окисла.
7	Поликристаллический кремний	5	d=0,3÷0,6 мкм	Наращивают специальную маску из поликристаллического кремния Si*.
8	Подлегирование областей истока – стока р-канального транзистора	6	Na=1·10 см¯³ d=0,4 мкм
9	Подлегирование областей истока – стока n-канального транзистора	7	Nд ≈1·10 см¯³ d =0,4 мкм
10	Межслойный диэлектрик	–	d≈0,5 мкм
11	Контактные окна	8	4×4 мкм	Проводят фотолитографию – вскрытие окон под контакты.
12	Металлизация алюминием	9	d=1,2÷0,2 мкм	Создание внутрисхемных соединений путём металлизации алюминием.
13	Диэлектрический защитный слой	10	d=0,5 ±0,2 мкм	Пассивация – нанесение защитного покрытия, в котором фотолитографией вскрывают окна под периферийные контактные площадки.