- •Исследования биполярных структур автоматизированный лабораторный практикум Методические указания по выполнению лабораторной работы
- •1 Теоретическое введение
- •1.1 Полупроводниковые приборы
- •1.3 Диоды и транзисторы
- •1.4 Эквивалентные схемы биполярного транзистора
- •1.5 Температурные свойства транзистора
- •1.6 Структура интегральных транзисторов и диодов
- •2 Описание работы стенда
- •2.1 Структура автоматизированного лабораторного стенда
- •2.2 Снятие вах биполярных структур в диодном включении
- •2.3 Снятие характеристик биполярных транзисторов
- •2.4 Измерительный блок
- •3 Описание интерфейса пользователя
- •3.1 Окно схемы измерений
- •3.2 Управляющие и регистрирующие инструменты
- •3.3 Рабочая тетрадь
- •3.4 Формирование отчета
- •4 Выполнение работы
- •4.1 Исследование прямых ветвей вах диодов в интегральном исполнении
- •4.2 Исследование прямой ветви вах для кремниевого и германиевого p‑n‑перехода, определение напряжения отпирания
- •4.3 Определение статического и дифференциального сопротивления диодов в интегральном исполнении
- •4.4 Исследование явления электрического пробоя p‑n‑перехода
- •4.5 Исследование температурных зависимостей вах германиевого p‑n‑перехода и сравнение ее с идеальной
- •4.6 Исследование входных характеристик транзистора по схеме с оэ
- •4.7 Исследование выходных характеристик транзистора по схеме с оэ
- •4.8 Исследование передаточной характеристики транзистора по схеме с оэ
- •4.9 Исследование характеристики обратной связи транзистора по схеме с оэ.
- •4.10 Определения h-параметров транзистора по схеме с оэ
- •4.11 Исследование температурной зависимости передаточной характеристики германиевого транзистора
- •4.12 Сформировать и отпечатать отчет
- •5 Контрольные вопросы
- •Литература
- •Приложение а кнопки панели управления и их соответствие командам меню
3.4 Формирование отчета
При формировании отчета приложение интегрируется с текстовым редактором MS Word. Открыть отчет возможно только при открытой рабочей тетради, либо при помощи меню (рисунок 3.23а), либо при помощи кнопок на панели инструментов (рисунок 3.23б).
После выбора этой команды активизируется
соответствующее приложение редактора
с открытым файлом отчета, а на окнах
приложения появляются кнопки
(рисунок 3.24). Эти кнопки позволяют
скопировать соответствующий элемент
приложения в отчет (кнопки появляются
в районе левого верхнего угла копируемого
элемента).
Нажатие на эту кнопку приводит к появлению
в отчете соответствующего элемента.
Переключение между отчетом и лабораторной
работой легко осуществляется при
помощи панели задач Windows.
При копировании графиков в отчет допускается выбор представления графического изображения в виде метафайла (*.wmf) или в виде растра (*.bmp). Такая возможность реализуется из главного меню Инструменты–Параметры копирования. Выбор представления графического изображения зависит от возможностей принтера и определяется экспериментально.
После того, как отчет сформирован, его
можно распечатать. Закрыть отчет можно
с помощью команды меню или кнопки на
панели инструментов. После выбора этой
команды закрывается соответствующее
приложение редактора и пропадают кнопки
на
окнах лабораторной работы.
4 Выполнение работы
4.1 Исследование прямых ветвей вах диодов в интегральном исполнении
4.4.1 По заданию преподавателя установить экспериментальный образец.
4.4.2 Приблизительное значение тока прямой ветви (Iпр) указывается преподавателем в интервале от 5 до 50 мА.
4.4.3 Выбрать схему измерения №1.
4.4.4 Установить значения Umin = 0 В.
4.4.5Установить такое значение Umax при котором характеристика на характериографе будет соответствовать Iпр.
4.4.6 Зафиксировать полученную ВАХ на характериографе.
4.4.7 Записать полученную ВАХ в рабочую тетрадь.
4.4.8 Выбрать схему измерения №2 и повторить п.4.1.4…4.1.7.
4.4.9 Выбрать схему измерения №3 и повторить п.4.1.4…4.1.7.
4.4.10 Выбрать схему измерения №4 и повторить п.4.1.4…4.1.7.
4.4.11 Построить на одном графике полученные экспериментальные зависимости в координатах I = f(U).
4.4.12 Сравнить и сделать выводы по ВАХ.
4.2 Исследование прямой ветви вах для кремниевого и германиевого p‑n‑перехода, определение напряжения отпирания
4.2.1 По указанию преподавателя выбрать схему измерения (схема №1 или схема №3).
4.2.2 Приблизительное значение Iпр указывается преподавателем в интервале от 5 до 10 мА.
4.2.3 По заданию преподавателя установить кремниевый p‑n‑переход.
4.2.4 Установить значения Umin = 0 В.
4.2.5 Установить такое значение Umax при котором характеристика на характериографе будет соответствовать Iпр.
4.2.6 Зафиксировать полученную ВАХ на характериографе.
4.2.7 Записать полученную ВАХ в рабочую тетрадь.
4.2.8 Установить германиевый p‑n‑переход.
4.2.9 Повторить п.4.2.4…4.2.7.
4.2.10 Построить на одном графике полученные экспериментальные зависимости в координатах I = f(U).
4.2.11 Для кремниевого p‑n‑перехода выбрать по графику (таблицы) две точки через которые пройдет касательная, например (U1, I1) и (U2, I2).
4.2.12 Записать данные точки в рабочую тетрадь как постоянные (U1, I1, U2, I2).
4.2.13 Рассчитать по формуле тангенс угла
касательной к оси напряжения по формуле
.
(4.1)
4.2.14 Рассчитать напряжение отпирания (Uотп) для кремниевого p‑n‑перехода считая, что при Uотп ток равен 0 А, по формуле
. (4.2)
4.2.15 Повторить п.4.2.11…4.2.14 для германиевого p‑n‑перехода.
4.2.16 Сравнить значения Uотп и сделать выводы.
