- •Зайцев ю.В., Мирошниченко а.Ю., Холодный д.С. Материалы и элементы электронной техники (физика процессов, строение и электрические характеристики)
- •Введение
- •1. Структура и строение материалов
- •1.1. Основные кристаллические структуры
- •1.2. Структуры бинарных соединений типа ав
- •1.3. Эффективные радиусы ионов и атомов
- •1.4. Геометрические пределы устойчивости структур с различными координационными числами
- •2. Процессы поляризации, диэлектрические потери
- •2.1. Комплексная диэлектрическая проницаемость
- •2.2. Уравнение электрического поля для изотропной среды
- •2.3. Электронная поляризация
- •2.4. Атомная и ионная поляризация
- •2.5. Ориентационная поляризация
- •2.6. Комплексная диэлектрическая проницаемость и уравнения Максвелла
- •2.7. Релаксационные потери
- •2.8. Физическая сущность диэлектрических потерь
- •3. Виды поляризация диэлектриков и диэлектрические потери
- •3.1. Виды поляризации
- •3.2. Простейшие схемы замещения диэлектриков с потерями
- •3.4. Тепловые виды поляризации
- •Зависимость от температуры параметров, описывающих тепловую поляризацию
- •Диаграмма коул-коула
- •3.4. Механизмы упругой поляризации.
- •3.5. Решеточное поглощение и отражение
- •4. Представление диэлектриков с помощью эквивалентных схем
- •4.1. Двух- и трех- элементные эквивалентные схемы
- •Входные характеристики
- •4.3. Схемы замещения реальных элементов электрических цепей
- •4.4. Поверхностная и объёмная поляризация
- •4.4. Измерение ε и tgδ
- •5. Классическая теория проводимости металлов
- •5.1. Основные предположения проводимости по теории Друде
- •5.2. Статическая электропроводность металла
- •6. Теория электропроводности Зоммерфельда
- •6.1. Распределения Максвелла − Больцмана и Ферми − Дирака
- •6.2. Свойства электронного газа в основном состоянии
- •6.2.1. Электрон как волна
- •6.2.2. Математическое описание волн
- •6.2.3. Уравнение Шредингера и волновая функция
- •7. Электропроводность диэлектриков и полупроводников
- •7.1. Электропроводность диэлектрических и полупроводниковых материалов
- •7.2. Диэлектрические керамические материалы
- •7.2.1. Алюминия оксид
- •7.2.2. Нанокристаллические материалы
- •7.2.3. Применение наноразмерных сегнетоэлектрических материалов
- •7.2.4. Пористая пьезокерамика
- •7.3. Полупроводниковые материалы
- •7.3.1. Типы полупроводников
- •7.4.2. Методы роста
- •7.5. Ионная проводимость
- •7.5.1. Диффузия ионов в электрическом поле
- •7.6. Зонная теория твердого тела
- •7.6.1. Стационарное уравнение Шредингера
- •7.6.2. Электрон в бесконечно глубокой потенциальной яме
- •7.6.3. Структула энергетических зон
- •7.6.4. Адиабатическое приближение и валентная аппроксимация
- •7.6.5. Одноэлектронное приближение
- •7.6.6. Трансляционная симметрия зон Бриллюэна
- •7.7. Колебания кристаллической решетки. Фононы
- •7.8. Теплоемкость твердых тел
- •8. Плёночные резисторы и конденсаторы
- •8.1.Конструкции и основные характеристики резисторов
- •8.2.Основные характеристики резисторов
- •8.3. Обозначения и маркировка резисторов
- •8.4. Специальные виды резисторов.
- •8.5. Конденсаторы
- •8.5.1. Конденсаторы с оксидным диэлектриком
- •8.5.2. Конденсаторы с органическим диэлектриком
- •8.6. Области использования конденсаторов
- •9. Коррозионная стойкость металлов
- •9.1. Виды коррозионных процессов
- •9.2. Физика процессов коррозии металлов
- •9.3. Образование продуктов окисления на поверхности металла
- •9.4. Основные стадии коррозии металлов
- •9.5. Адсорбция газов на поверхности металлов
- •9.6. Адсорбция кислорода на поверхности металла и образование оксида
- •9.7. Плёнки на поверхности металлов
- •9.8. Кинетика газовой коррозии металлов
- •9.9. Линейный закон роста плёнок
- •9.10. Параболический закон роста пленок
- •9.11. Сложные законы роста пленок
- •9.12. Оксидные пленки на поверхности металла
- •9.13. Механизм химической коррозии
- •9.14. Влияние внутренних и внешних факторов на скорость газовой коррозии
- •9.14.1. Влияние состава плёнки
- •9.14.2. Влияние температуры
- •9.14.3. Влияние давления и состава газа
- •9.15. Теории жаростойкого легирования
- •10. Металлические сплавы
- •10.1. Образование сплавов
- •10.2. Строение сплавов
- •10.3. Твердые растворы
- •10.4. Строение и свойства железоуглеродистых сплавов
- •10.5. Строение и свойства железа
- •10.6. Компоненты и фазы в сплавах системы (железо−углерод)
- •11. Магнитные материалы
- •11.1. Магнитные свойства твердых тел
- •11.1.1. Диамагнетики
- •11.1.2. Парамагнетизм
- •11.1.3. Ферромагнетики. Антиферромагнетики
- •1 ‒ Распределение в изолированных атомах; 2 ‒ распределение при обобществлении электронов.
- •11.2. Доменная структура
- •11.3. Намагничивание
- •11.4. Магнитострикция и термострикция
- •11.5. Ферримагнетизм. Ферриты
- •11.6. Процесс намагничивания.
- •11.6.1 Движение доменной стенки
- •11.6.2. Взаимодействие намагниченности с магнитным полем
- •11.6.3. Динамические эффекты процесса намагничивания
- •11.6.4. Перминвар - эффект
- •11.6.5. Магнитное последействие
- •11.7. Частотная зависимость магнитной проницаемости
- •Литература
Введение
Материалы, особенно вновь создаваемые, являются одним из главных звеньев в решении многих инженерных задач в производстве электронного оборудования, где важнейшая роль принадлежит используемым материалам. Электротехнические и конструкционные материалы используют главным образом в производстве электронного оборудования, где основная роль принадлежит электротехническим материалам (ЭТМ). Конструкционные материалы (КМ) используются для изготовления несущих конструкций и вспомогательных деталей и узлов электронных схем. Современное электронное оборудование представляет собой сложные устройства с большим количеством разнообразных деталей, для изготовления которых требуется широкий ассортимент различных материалов [1,2].
Вплоть до середины двадцатого столетия было синтезировано много органических и неорганических материалов, на основе которых выполнялись дискретные элементы электронных схем. Синтез неорганических полупроводниковых материалов во второй половине 20 века позволил создать целую серию дискретных активных компонентов электроники, и впоследствии на их основе разработать электронные микросхемы различного функционального назначения.
Общим для электрических свойств различных материалов, в независимости неорганические они или органические, является их зависимость от воздействия электрического поля, температуры электромагнитного излучения и т.п.
Свойства материалов на макроскопическом уровне, как правило, близки к свойствам их неорганических аналогов, в то время как свойства на микроскопическом уровне существенно отличаются, отражая фундаментальное отличие жесткой регулярной кристаллической решетки неорганических материалов от податливой молекулярной структуры полимеров. Изучение свойств материалов на микроскопическом уровне позволило создать пленочные и впоследствии твердотельные интегральные схемы.
Изучение характеристик материалов базируется на таких фундаментальных науках, как физика твердого тела, физическая химия и электроника, а с другой стороны является их логическим развитием и создает основу для изучения многих профилирующих дисциплин по электронике и материаловедению.
При выборе материалов для электроники принимают во внимание не только их электрофизические характеристики, но и физико−механические, химические (например, механическую прочность, нагревостойкость, холодостойкость, гигроскопичность, негорючесть и др.) Электронному оборудованию часто приходится работать под действием механических нагрузок, в различных климатических условиях и в химически агрессивных средах. В ряде случаев, определяющими факторами при выборе материала могут быть не только его электрические характеристики, а и его механические (если это установочная деталь): гигроскопичность (при работе в условиях повышенной влажности), нагревостойкость (если воздействует высокая температура) и т.д. [3].
Наряду с указанными характеристиками при выборе материала большое значение имеет и экономические факторы. В случае массового производства электронных приборов недостаточно выбрать высококачественный материал, свойства которого удовлетворяют всем эксплуатационным требованиям. Важно, чтобы это был материал отечественного производства, недорогой, недефицитный и чтобы из него можно было изготавливать детали и узлы электронной схемы с помощью недорогих и несложных технологических процессов.
Знание и понимание физических процессов, протекающих в различных материалах, играет важную роль при конструировании электронных приборов различного электронного оборудования и авторы надеются, что данная работа будет полезна как студентам, изучающим вопросы расчёта и конструирования различных компонентов электронной техники так и научным сотрудникам, занимающимися синтезом новых материалов и исследованием их электрофизических характеристик.
Авторы считают своим долгом выразить благодарность Академику Академии инженерных наук им. А.М.Прохорова, докт. физ−мат. наук профессору Национального исследовательского университета "МЭИ" Е.Ф. Кустову за внимание к нашей научной работе, за плодотворное обсуждение отдельных вопросов по физическим явлениям в материалах, а также рецензенту работы докт. техн. наук профессору И.Н. Тимофееву за отдельные замечания и пожелания, которые были учтены и способствовали повышению качества данной работы.
