- •Зайцев ю.В., Мирошниченко а.Ю., Холодный д.С. Материалы и элементы электронной техники (физика процессов, строение и электрические характеристики)
- •Введение
- •1. Структура и строение материалов
- •1.1. Основные кристаллические структуры
- •1.2. Структуры бинарных соединений типа ав
- •1.3. Эффективные радиусы ионов и атомов
- •1.4. Геометрические пределы устойчивости структур с различными координационными числами
- •2. Процессы поляризации, диэлектрические потери
- •2.1. Комплексная диэлектрическая проницаемость
- •2.2. Уравнение электрического поля для изотропной среды
- •2.3. Электронная поляризация
- •2.4. Атомная и ионная поляризация
- •2.5. Ориентационная поляризация
- •2.6. Комплексная диэлектрическая проницаемость и уравнения Максвелла
- •2.7. Релаксационные потери
- •2.8. Физическая сущность диэлектрических потерь
- •3. Виды поляризация диэлектриков и диэлектрические потери
- •3.1. Виды поляризации
- •3.2. Простейшие схемы замещения диэлектриков с потерями
- •3.4. Тепловые виды поляризации
- •Зависимость от температуры параметров, описывающих тепловую поляризацию
- •Диаграмма коул-коула
- •3.4. Механизмы упругой поляризации.
- •3.5. Решеточное поглощение и отражение
- •4. Представление диэлектриков с помощью эквивалентных схем
- •4.1. Двух- и трех- элементные эквивалентные схемы
- •Входные характеристики
- •4.3. Схемы замещения реальных элементов электрических цепей
- •4.4. Поверхностная и объёмная поляризация
- •4.4. Измерение ε и tgδ
- •5. Классическая теория проводимости металлов
- •5.1. Основные предположения проводимости по теории Друде
- •5.2. Статическая электропроводность металла
- •6. Теория электропроводности Зоммерфельда
- •6.1. Распределения Максвелла − Больцмана и Ферми − Дирака
- •6.2. Свойства электронного газа в основном состоянии
- •6.2.1. Электрон как волна
- •6.2.2. Математическое описание волн
- •6.2.3. Уравнение Шредингера и волновая функция
- •7. Электропроводность диэлектриков и полупроводников
- •7.1. Электропроводность диэлектрических и полупроводниковых материалов
- •7.2. Диэлектрические керамические материалы
- •7.2.1. Алюминия оксид
- •7.2.2. Нанокристаллические материалы
- •7.2.3. Применение наноразмерных сегнетоэлектрических материалов
- •7.2.4. Пористая пьезокерамика
- •7.3. Полупроводниковые материалы
- •7.3.1. Типы полупроводников
- •7.4.2. Методы роста
- •7.5. Ионная проводимость
- •7.5.1. Диффузия ионов в электрическом поле
- •7.6. Зонная теория твердого тела
- •7.6.1. Стационарное уравнение Шредингера
- •7.6.2. Электрон в бесконечно глубокой потенциальной яме
- •7.6.3. Структула энергетических зон
- •7.6.4. Адиабатическое приближение и валентная аппроксимация
- •7.6.5. Одноэлектронное приближение
- •7.6.6. Трансляционная симметрия зон Бриллюэна
- •7.7. Колебания кристаллической решетки. Фононы
- •7.8. Теплоемкость твердых тел
- •8. Плёночные резисторы и конденсаторы
- •8.1.Конструкции и основные характеристики резисторов
- •8.2.Основные характеристики резисторов
- •8.3. Обозначения и маркировка резисторов
- •8.4. Специальные виды резисторов.
- •8.5. Конденсаторы
- •8.5.1. Конденсаторы с оксидным диэлектриком
- •8.5.2. Конденсаторы с органическим диэлектриком
- •8.6. Области использования конденсаторов
- •9. Коррозионная стойкость металлов
- •9.1. Виды коррозионных процессов
- •9.2. Физика процессов коррозии металлов
- •9.3. Образование продуктов окисления на поверхности металла
- •9.4. Основные стадии коррозии металлов
- •9.5. Адсорбция газов на поверхности металлов
- •9.6. Адсорбция кислорода на поверхности металла и образование оксида
- •9.7. Плёнки на поверхности металлов
- •9.8. Кинетика газовой коррозии металлов
- •9.9. Линейный закон роста плёнок
- •9.10. Параболический закон роста пленок
- •9.11. Сложные законы роста пленок
- •9.12. Оксидные пленки на поверхности металла
- •9.13. Механизм химической коррозии
- •9.14. Влияние внутренних и внешних факторов на скорость газовой коррозии
- •9.14.1. Влияние состава плёнки
- •9.14.2. Влияние температуры
- •9.14.3. Влияние давления и состава газа
- •9.15. Теории жаростойкого легирования
- •10. Металлические сплавы
- •10.1. Образование сплавов
- •10.2. Строение сплавов
- •10.3. Твердые растворы
- •10.4. Строение и свойства железоуглеродистых сплавов
- •10.5. Строение и свойства железа
- •10.6. Компоненты и фазы в сплавах системы (железо−углерод)
- •11. Магнитные материалы
- •11.1. Магнитные свойства твердых тел
- •11.1.1. Диамагнетики
- •11.1.2. Парамагнетизм
- •11.1.3. Ферромагнетики. Антиферромагнетики
- •1 ‒ Распределение в изолированных атомах; 2 ‒ распределение при обобществлении электронов.
- •11.2. Доменная структура
- •11.3. Намагничивание
- •11.4. Магнитострикция и термострикция
- •11.5. Ферримагнетизм. Ферриты
- •11.6. Процесс намагничивания.
- •11.6.1 Движение доменной стенки
- •11.6.2. Взаимодействие намагниченности с магнитным полем
- •11.6.3. Динамические эффекты процесса намагничивания
- •11.6.4. Перминвар - эффект
- •11.6.5. Магнитное последействие
- •11.7. Частотная зависимость магнитной проницаемости
- •Литература
Входные характеристики
При исследовании
комплексных частотных характеристик
последовательный
колебательный контур удобно представлять
в виде многополюсника с тремя парами
выводов (рис. 4.8, а,
б). Внешнее
воздействие на
контур обычно задают в виде напряжения
приложенного
к зажимам
,
а в качестве отклика цепи рассматривают
входной ток цепи
напряжение на
емкости
или напряжение
на индуктивности
.
Таким образом,
последовательный колебательный контур
обладает как входными, так и передаточными
характеристиками.
Рассмотрим АЧХ и
ФЧХ входной проводимости
(4.19)
Представляя в показательной форме
(4.20)
найдем аналитические выражения для АЧХ (рис. 4.9, а) и ФЧХ (рис. 4.9, 6) входной проводимости:
(4.21)
(4.22)
а) |
а) |
б) |
б) |
Рис. 4.9. АЧХ (а) и ФЧХ (б) входной проводимости последовательного колебательного контура [14] |
Рис. 4.10. АЧХ (а) и ФЧХ (б) входного сопротивления последовательного колебательного контура [14] |
Для удобства приведем также АЧХ и ФЧХ входного сопротивления контура (рис. 4.10), построенные в соответствии с выражениями:
|
|
|
(4.23) |
|
|
При выводе выражений
(4.21) — (4.23) каждое из слагаемых, стоящих
в круглых скобках
,
умножалось и делилось на
,
после чего за скобки выносился общий
множитель
Если контур настроен
на частоту источника, то мнимые
составляющие
входного сопротивления емкости
и индуктивности
взаимно компенсируются, входное
сопротивление
контура имеет чисто резистивный характер
и минимально по модулю,
а полная входная проводимость
достигает
максимального значения и равна
.
Векторные
диаграммы, соответствующие этому случаю,
изображены на рис. 4.11, е.
Рис. 4.11. Схемы и векторные диаграммы сопротивлений последовательной RLC-цепи [14].
Всякое отклонение
частоты внешнего воздействия от
резонансной приводит к нарушению
баланса между мнимыми составляющими
входного сопротивления
емкости и индуктивности, что, в свою
очередь, вызывает
увеличение модуля входного сопротивления
,
уменьшение модуля
входной проводимости
и
отклонение аргумента входной проводимости
от
нулевого
значения. Из рис. 4.9 видно, что чем выше
добротность контура
тем более
заметно выражен максимум
на резонансной
частоте и более резко изменяется
вблизи
Комплексные частотные характеристики
входной проводимости
,
приведенные на рис. 4.9,
имеют чисто качественный характер и
неудобны для практического использования,
так как содержат большое число параметров,
причем для каждого сочетания
и
необходимо строить отдельные кривые.
Поэтому на практике обычно применяют
нормированные входные характеристики,
которые позволяют в обобщенной форме
построить кривые для всех возможных
сочетаний значений параметров. В качестве
аргумента нормированных характеристик
удобно использовать так называемую
обобщенную расстройку [14]
(4.24)
На резонансной частоте
,
на частотах ниже резонансной
,
причем нулевому значению
соответствует
.
На частотах выше резонансной
,
а при
значение обобщенной расстройки также
равно бесконечности.
В ряде случаев в качестве аргумента
нормированных частотных характеристик
удобно использовать абсолютную расстройку
,
относительную
расстройку
или
нормированную
частоту
.
Данные величины легко выражаются одна через другую:
(4.25)
(4.26)
причем на частотах, близких к резонансной
(
),
последнее выражение может быть заменено
следующим приближенным соотношением:
(4.27)
широко применяемым при решении различных практических задач.
Комплексная входная проводимость
,
и ее модуль
,
обычно нормируются по значению,
которое они принимают на резонансной
частоте [
]:
|
|
|
(4.28) |
|
|
При использовании (4.24), (4.28) выражения (4.19), (4.21), (4.22) преобразуются к виду:
|
|
|
(4-29) |
|
|
Нормированные АЧХ и ФЧХ входной проводимости последовательного колебательного контура приведены на рис. 4.12 и 4.13 (в последнем случае комплексные частотные характеристики цепи называют обобщенными).
Ток достигает максимума, когда две реактивные компоненты компенсируют друг друга, т.е. при резонансной частоте (рис.4.12),
(4.30)
|
Рис.4.12. Обобщенная АЧХ входной проводимости последовательного колебательного контура [14] |
|
Рис.4.13. Обобщенная ФЧХ входной проводимости последовательного колебательного контура [14] |
Для
дифференциальное уравнение (4.17)
преобразуется в уравнение переходного
процесса последовательной резонансной
цепи. Заменяя ток
зарядом
конденсатора, можно записать
(4.31)
Принимая решение в виде
(4.32)
и подставляя его в уравнение (4.31), находим, что р должно удовлетворять условию
(4.33)
Отсюда
(4.34)
Свободно колеблющаяся цепь RLC имеет коэффициент затухания
(4.35)
и частоту
(4.36)
которая для цепи без затухания идентична резонансной частоте установившегося состояния. Введя α и ω0 в решение уравнения (4.34), получим полную проводимость резонансной цепи в виде
(4.37)
В случае слабого затухания (
)
удобно иметь дело не с самой частотой,
а с ее отклонением от резонансного
значения путем приближения
(4.38)
(4.39)
(4.40)
Приравнивая выражения (4.2) и (4.40), получим относительную диэлектрическую проницаемость, коэффициент потерь и тангенс угла потерь резонирующего диэлектрика (рис. 4.14) [10, 14] :
-
(где
)(4.41)
Диэлектрическая проницаемость
возрастает с частотой, достигая максимума,
равного
,
при
,
затем падает, проходя через нуль при
резонансной частоте, до минимума, равного
,
при
,
и вновь асимптотически приближается к
нулю. Эта аномальная дисперсная
характеристика диэлектрической
проницаемости типична для резонансного
спектра. Она сопровождается колоколообразной
характеристикой поглощения
,
которая при ω0 проходит через
максимум, равный
.
Фазовый угол δ изменяется от нуля при
низкой частоте до
при резонансе и
при высокой частоте, проходя через
значения
и
в точках
.
Мощность, отданная резонансной цепи
источником синусоидального напряжения
постоянной амплитуды, изменяется
пропорционально
,
т.е.
(4.42)
Точки являются точками половинной мощности последовательной резонансной цепи с низким затуханием [см. уравнение 4.9], т.е.
(4.43)
является половиной ширины резонансной кривой поглощения. Относительная половина ширины, равная
(4.44)
Рис.4.14. Резонансные характеристики
диэлектрика
[10]
Если элементы резонансной цепи с сосредоточенными параметрами включаются параллельно питающему напряжению (рис.4.15), то полное сопротивление (а не полная проводимость) становится максимальным при резонансе
Рис. 4.15. Параллельный резонансный контур[10].
и ток, получаемый от источника постоянного напряжения, проходит через минимум при ω0. Это положение соответствует поведению диэлектрика или передающей линии, настроенной на антирезонанс.
С введением таких эквивалентных схем, симулирующих свойства диэлектриков, завершается задача макроскопической теории. Более глубокое исследование поведения диэлектриков уводит нас от феноменологической теории к молекулярной.
