- •Зайцев ю.В., Мирошниченко а.Ю., Холодный д.С. Материалы и элементы электронной техники (физика процессов, строение и электрические характеристики)
- •Введение
- •1. Структура и строение материалов
- •1.1. Основные кристаллические структуры
- •1.2. Структуры бинарных соединений типа ав
- •1.3. Эффективные радиусы ионов и атомов
- •1.4. Геометрические пределы устойчивости структур с различными координационными числами
- •2. Процессы поляризации, диэлектрические потери
- •2.1. Комплексная диэлектрическая проницаемость
- •2.2. Уравнение электрического поля для изотропной среды
- •2.3. Электронная поляризация
- •2.4. Атомная и ионная поляризация
- •2.5. Ориентационная поляризация
- •2.6. Комплексная диэлектрическая проницаемость и уравнения Максвелла
- •2.7. Релаксационные потери
- •2.8. Физическая сущность диэлектрических потерь
- •3. Виды поляризация диэлектриков и диэлектрические потери
- •3.1. Виды поляризации
- •3.2. Простейшие схемы замещения диэлектриков с потерями
- •3.4. Тепловые виды поляризации
- •Зависимость от температуры параметров, описывающих тепловую поляризацию
- •Диаграмма коул-коула
- •3.4. Механизмы упругой поляризации.
- •3.5. Решеточное поглощение и отражение
- •4. Представление диэлектриков с помощью эквивалентных схем
- •4.1. Двух- и трех- элементные эквивалентные схемы
- •Входные характеристики
- •4.3. Схемы замещения реальных элементов электрических цепей
- •4.4. Поверхностная и объёмная поляризация
- •4.4. Измерение ε и tgδ
- •5. Классическая теория проводимости металлов
- •5.1. Основные предположения проводимости по теории Друде
- •5.2. Статическая электропроводность металла
- •6. Теория электропроводности Зоммерфельда
- •6.1. Распределения Максвелла − Больцмана и Ферми − Дирака
- •6.2. Свойства электронного газа в основном состоянии
- •6.2.1. Электрон как волна
- •6.2.2. Математическое описание волн
- •6.2.3. Уравнение Шредингера и волновая функция
- •7. Электропроводность диэлектриков и полупроводников
- •7.1. Электропроводность диэлектрических и полупроводниковых материалов
- •7.2. Диэлектрические керамические материалы
- •7.2.1. Алюминия оксид
- •7.2.2. Нанокристаллические материалы
- •7.2.3. Применение наноразмерных сегнетоэлектрических материалов
- •7.2.4. Пористая пьезокерамика
- •7.3. Полупроводниковые материалы
- •7.3.1. Типы полупроводников
- •7.4.2. Методы роста
- •7.5. Ионная проводимость
- •7.5.1. Диффузия ионов в электрическом поле
- •7.6. Зонная теория твердого тела
- •7.6.1. Стационарное уравнение Шредингера
- •7.6.2. Электрон в бесконечно глубокой потенциальной яме
- •7.6.3. Структула энергетических зон
- •7.6.4. Адиабатическое приближение и валентная аппроксимация
- •7.6.5. Одноэлектронное приближение
- •7.6.6. Трансляционная симметрия зон Бриллюэна
- •7.7. Колебания кристаллической решетки. Фононы
- •7.8. Теплоемкость твердых тел
- •8. Плёночные резисторы и конденсаторы
- •8.1.Конструкции и основные характеристики резисторов
- •8.2.Основные характеристики резисторов
- •8.3. Обозначения и маркировка резисторов
- •8.4. Специальные виды резисторов.
- •8.5. Конденсаторы
- •8.5.1. Конденсаторы с оксидным диэлектриком
- •8.5.2. Конденсаторы с органическим диэлектриком
- •8.6. Области использования конденсаторов
- •9. Коррозионная стойкость металлов
- •9.1. Виды коррозионных процессов
- •9.2. Физика процессов коррозии металлов
- •9.3. Образование продуктов окисления на поверхности металла
- •9.4. Основные стадии коррозии металлов
- •9.5. Адсорбция газов на поверхности металлов
- •9.6. Адсорбция кислорода на поверхности металла и образование оксида
- •9.7. Плёнки на поверхности металлов
- •9.8. Кинетика газовой коррозии металлов
- •9.9. Линейный закон роста плёнок
- •9.10. Параболический закон роста пленок
- •9.11. Сложные законы роста пленок
- •9.12. Оксидные пленки на поверхности металла
- •9.13. Механизм химической коррозии
- •9.14. Влияние внутренних и внешних факторов на скорость газовой коррозии
- •9.14.1. Влияние состава плёнки
- •9.14.2. Влияние температуры
- •9.14.3. Влияние давления и состава газа
- •9.15. Теории жаростойкого легирования
- •10. Металлические сплавы
- •10.1. Образование сплавов
- •10.2. Строение сплавов
- •10.3. Твердые растворы
- •10.4. Строение и свойства железоуглеродистых сплавов
- •10.5. Строение и свойства железа
- •10.6. Компоненты и фазы в сплавах системы (железо−углерод)
- •11. Магнитные материалы
- •11.1. Магнитные свойства твердых тел
- •11.1.1. Диамагнетики
- •11.1.2. Парамагнетизм
- •11.1.3. Ферромагнетики. Антиферромагнетики
- •1 ‒ Распределение в изолированных атомах; 2 ‒ распределение при обобществлении электронов.
- •11.2. Доменная структура
- •11.3. Намагничивание
- •11.4. Магнитострикция и термострикция
- •11.5. Ферримагнетизм. Ферриты
- •11.6. Процесс намагничивания.
- •11.6.1 Движение доменной стенки
- •11.6.2. Взаимодействие намагниченности с магнитным полем
- •11.6.3. Динамические эффекты процесса намагничивания
- •11.6.4. Перминвар - эффект
- •11.6.5. Магнитное последействие
- •11.7. Частотная зависимость магнитной проницаемости
- •Литература
2.5. Ориентационная поляризация
В случае, когда молекулы обладают собственным постоянным дипольным моментом, они ориентируются во внешнем поле, вследствие чего возникает поляризация в этом направлении. Скорость ориентации диполей, сильно зависящая от межмолекулярных взаимодействий, является предметом следующей главы. Достаточно сказать, что ориентация молекулярных диполей может вносить значительный вклад в полную поляризацию материала во внешнем поле, однако быть достаточно медленной, чтобы проявиться полностью.
На рис. 2.11 показано характерное уменьшение поляризации материала с ростом частоты измерения, когда исчезает вклад менее подвижных компонентов молекулярной поляризации. Аналогичное поведение имеет место и для относительной диэлектрической проницаемости [9].
Рис. 2.11 Дисперсия молекулярной поляризации в диэлектрике
2.6. Комплексная диэлектрическая проницаемость и уравнения Максвелла
Ориентация молекулярных диполей −
относительно медленный процесс по
сравнению с электронными переходами
или колебаниями связей, характерные
частоты которых обычно превышают 1012
Гц. Более того, ориентация не происходит
одновременно по всем молекулам, скорее
имеет место постепенное установление
средней ориентации на фоне теплового
возбуждения. Только по прошествии
достаточного времени после наложения
электрического поля устанавливается
равновесная ориентация. В материале
возникает максимальная поляризация,
соответствующая наибольшей диэлектрической
проницаемости, называемой статической
диэлектрической проницаемостью
.
С другой стороны, если поляризация
измеряется непосредственно после
наложения поля, когда ориентация далека
от равновесного состояния, мгновенная
диэлектрическая проницаемость,
обозначаемая
.
будет мала и обусловлена только
деформационным механизмом. Между этими
крайними точками временной шкалы имеет
место дисперсия диэлектрической
проницаемости − переход от высокого к
низкому значению
.
Начнем рассмотрение этого явления с
наложения на диэлектрик переменного
электрического поля
,
имеющего амплитуду
и угловую частоту ω [9]:
,
(2.38)
При этом возникает поляризация переменного направления и, если частота достаточно велика, ориентация диполей неизбежно отстает от приложенного поля. Математически это можно выразить как запаздывание по фазе δ электрического смещения [9]:
,
(2.39)
что можно записать в виде
,
(2.40)
где
,
,
Отсюда можно определить две компоненты диэлектрической проницаемости:
,
, (2.41)
связанные соотношением
. (2.42)
Эти две величины, как было отмечено ранее, удобно рассматривать вместе, объединив их в комплексную диэлектрическую проницаемость:
(2.43)
Смысл действительной и мнимой частей
легко понять, рассматривая конденсатор,
заполненный материалом (емкость пустого
конденсатора
),
как показано на рис. 2.12.
Рис. 2.12 Потери в диэлектрике: принципиальная схема (а), векторная диаграмма соотношения тока и напряжения на комплексной плоскости (б).
Ток
,
протекающий во внешней цепи после
наложения переменного напряжения,
равного действительной части
,
рассчитывается по формуле:
.
(2. 44)
Это означает, что есть емкостная составляющая тока
,
(2. 45)
опережающая напряжение на 90°, и резистивная составляющая
,
(2. 46)
совпадающая с напряжением по фазе.
В более общей форме, опираясь на уравнения Максвелла, в частности на соотношение:
.
(2.47)
Для гармонического поля
,
(2.48)
или
,
(2.49)
для реального диэлектрика
.
Для идеального диэлектрика
.
.
(2.50)
При вводе комплексной относительной диэлектрической проницаемости выражение (2.49) будет описывать оба случая для диэлектрика: и :
, (2.51)
или
.
(2.52)
Таким образом:
|
|
|
(2.53) |
|
|
|
|||
|
||||
|
||||
Работа может быть произведена только
резистивной составляющей, и физический
смысл величины
,
определенной ранее уравнением (2.42),
становится понятен [1,2,12]:
.
(2.54)
Величина
называется фактором диэлектрических
потерь, a
обычно называют тангенсом диэлектрических
потерь, или коэффициентом потерь.
Величины и определяются экспериментальным путем и характеризуют диэлектрическую дисперсию в широком диапазоне частот. Для интерпретации полученных зависимостей необходимо установить связь этих макроскопических измеряемых величин со свойствами молекул, используя приемлемую модель, которая описывала бы отклик молекул на внешнее поле [9].
