4. Полупроводниковые материалы

1. Если внешнее электрическое поле в p-n переходе направлено навстречу диффузионному потоку носителем заряда, то через него

а) течет прямой ток б) не течет ток

в) течет или не течёт - зависит от приложенного напряжения

2. Эффект выпрямления в p-n переходе вызывается носителем заряда

а) диффузией б) диссоциацией в) адсорбцией г) абсорцией

3. Эффект усиления электрического тока основан на

а) двух p-n переходах б) на одном p-n переходе

в) на трех переходах

4. Наиболее распространенные собственные полупроводники

а) Ge, Si б) Fe, Ni, Co в) Se, Te, V

5. У Ge, Si кристаллическая решетка с …. типом межатомных связей

а) ионным б) ковалентным в) металлическим

6. Полупроводники имеют температурный коэффициент

электросопротивления

а) отрицательный б) положительный в) равный 0

7. Удельная электропроводность полупроводников с увеличением температуры

а) возрастает линейно б) убывает линейно

в) возрастает по экспоненте г) убывает до минимума и возрастает

8. В идеальном кристалле собственного полупроводника

концентрации электронов (n) дырок (p) находятся в соотношении

а) n < p б) n > p в) n = p г) n ≈ p

9. Удельная электропроводность диэлектриков с увеличением температуры

а) возрастает линейно б) убывает линейно

в) возрастает по экспоненте г) возрастает до максимума и убывает

10. Верхний предел рабочих t˚ приборов, выполненных из кремния

а) 300°С б) 200°С в) 100°С г) 80°С

11. Полупроводники обладают … проводимостью

а) электронной б) дырочной

в) электронной и дырочной г) диффузионной

12. Удельное электросопротивление у полупроводников

а) 10^-5 …10⁸ Ом·м б) < 10^-5 Ом·м в) > 10⁸ Ом·м

13. Основой очисткой высокоомного кремния от примесей является метод

а) бестигельная вертикальная зонная плавка

б) вытягивание крупных монокристаллов из расплава

в) и тем и другим

14. При повышении температур проводимость у полупроводников

а) увеличивается б) уменьшается в) не изменяется

15. Дырочный тип проводимости получают легированием кремния и германия

а) бором б) алюминием

16. Электронный тип проводимости получают легированием кремния и германия

а) фосфором б) сурьмой

в) мышьяком г) фосфором и золотом

17. Обозначение кремния легированного бором дырочного типа

а) КДБ б) БИС в) КСД

18. Основными носителями заряда у полупроводников р-типа

являются

а) электроны б) дырки в) анионы

19. Основными носителями заряда в полупроводниках n-типа являются

а) электроны б) дырки в) анионы

20. Примеси поставляющие электроны в зону проводимости

проводника называются

а) акцепторами б) донорами в) дырочными

21. Примеси захватывающие электроны из валентной зоны

полупроводника называются

а) акцеппорами б) донорами в) дырочными

22. Примеси замещения, валентность которых превышает валентность основных атомов решетки полупроводника, проявляют свойства

а) доноров б) акцепторов в) доноров и акцепторов

23. Примеси замещения, в валентность которых меньше валентности основных атомов решетки полупроводника, проявляют свойства

а) доноров б) акцепторов в) доноров и акцепторов

24. К соединениям А³ В⁵ относятся

а) арсениды б) фосфиды в) нитриды г) антимониды

25. К соединениям А² В⁶ относятся

а) сульфиды б) теллуриды в) селениды г) оксиды

26. Установите соответствие между элементами пронумерованного списка и элементами списка, обозначенного буквами

Материал 1. Собственный полупроводник 2. Полупроводник р-типа 3. Полупроводник n-типа 4. Диэлектрик

Электропроводность осуществляется а) электронами, образовавшимися при легировании донорской примесью б) дырками, образовавшимися при легировании анцепторной примесью в) электронами и дырками, образовавшимися при разрыве ковалентной связи г) примесными и собственными ионами