- •Твердотільна електроніка
- •Передмова
- •1 Елементи фізики напівпровідників та електронно-діркових переходів
- •1.1 Загальні відомості про напівпровідники
- •1.1.1 Власна електропровідність напівпровідників
- •1.1.2 Електронна провідність напівпровідників
- •1.1.3 Діркова провідність напівпровідників
- •1.1.4 Рекомбінація носіїв заряду та тривалість їх життя
- •1.1.5 Види струмів у напівпровідниках
- •1.2 Електронно - дірковий перехід та фізичні процеси в ньому
- •Пряме включення переходу
- •Зворотне включення переходу
- •1.2.4 Теоретична вольт-амперна характеристика
- •1.2.5 Параметри переходу
- •Товщина переходу
- •Ємності переходу
- •1.2.6 Реальна вах переходу
- •Пряма гілка вах
- •Зворотна гілка вах
- •1.3 Різновиди електричних переходів та контактів
- •1.3.1 Гетеропереходи
- •1.3.4 Контакти металу з напівпровідниками
- •1.3.5 Омічні контакти
- •2 Напівпровідникові діоди
- •2.1 Класифікація та система позначень діодів
- •2.2 Випрямні діоди
- •Параметри випрямних діодів
- •2.3 Напівпровідникові стабілітрони
- •2.4 Універсальні діоди
- •2.5 Імпульсні діоди та перехідні процеси в них
- •2.6 Тунельні та обернені діоди
- •2.7 Варикапи
- •2.8 Діоди Шотткі
- •3 Біполярні транзистори
- •3.1 Будова та принцип дії біполярних транзисторів
- •3.1.1 Загальні відомості про біполярні транзистори
- •Класифікація транзисторів
- •Система позначень бт
- •Будова сплавних транзисторів
- •3.1.2 Способи вмикання й режими роботи біполярних транзисторів
- •3.1.3 Принцип дії біполярного транзистора в активному режимі
- •3.1.4 Вплив конструкції та режиму роботи транзистора на h21б
- •3.1.5 Схема вмикання транзистора зі спільним емітером та спільним колектором
- •3.1.6 Модель Еберса-Молла
- •3.2 Статичні характеристики і параметри біполярних транзисторів
- •3.2.1 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільною базою
- •Вхідні характеристики
- •Вихідні характеристики
- •Характеристики прямої передачі
- •Характеристики зворотного зв’язку
- •3.2.2 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним емітером
- •Вхідні характеристики
- •Вихідні характеристики
- •Характеристики прямої передачі
- •Характеристики зворотного зв’язку
- •3.2.3 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним коллектором
- •3.2.4 Вплив температури на статичні характеристики транзисторів
- •3.2.5 Граничні режими транзистора
- •Пробої транзистора
- •Максимально допустима потужність, що розсіюється колектором
- •3.2.6 Диференціальні параметри біполярного транзистора
- •Зв'язок між h-параметрами для різних схем увімкнення бт
- •3.2.7 Фізичні параметри та еквівалентні схеми біполярних транзисторів
- •3.3 Робота біполярного транзистора у динамічному режимі
- •3.3.1 Принцип дії підсилювального каскаду на біполярному транзисторі
- •3.3.2 Способи забезпечення режиму спокою транзисторного каскаду
- •Емітерному колі
- •Оцінка транзисторних каскадів з точки зору температурної нестабільності
- •3.3.3 Динамічні характеристики біполярного транзистора та їх використання
- •Вихідна навантажувальна характеристика
- •Вхідна навантажувальна характеристика
- •Параметри режиму підсилення та їх розрахунок за динамічними характеристиками транзисторного каскаду
- •3.3.4 Частотні властивості біполярних транзисторів
- •Вплив ємностей переходів і розподіленого опору бази на частотні властивості транзистора
- •3.3.5 Робота біполярного транзистора у ключовому режимі
- •3.4 Деякі різновиди біполярних транзисторів
- •3.4.1 Одноперехідний транзистор
- •3.4.2 Високочастотні малопотужні транзистори
- •3.4.3 Потужні транзистори
- •4 Польові транзистори
- •4.1 Польові транзистори з керувальним переходом
- •Статичні вхідні характеристики
- •Статичні прохідні (стокозатворні) характеристики
- •Статичні вихідні (стокові) характеристики
- •Диференціальні параметри польових транзисторів
- •4.2 Польові транзистори з ізольованим затвором (мдн - транзистори)
- •4.2.1 Ефект поля
- •4.3 Залежність характеристик і параметрів польових транзисторів від температури
- •4.4 Динамічний режим роботи польових транзисторів
- •4.4.1 Каскад на польовому транзисторі: розрахунок у статиці та динаміці
- •4.4.2 Частотні властивості польових транзисторів
- •4.5 Потужні польові транзистори
- •Потужні мдн – транзистори
- •Транзистори зі статичною індукцією
- •4.6 Польові прилади із зарядовим зв’язком
- •5 Тиристори
- •5.1 Будова, принцип дії та режими роботи тиристора
- •5.1.1 Загальні відомості
- •5.1.2 Диністорний режим
- •5.1.3 Триністорний режим
- •5.1.4 Симістори
- •5.2 Способи комутації тиристорів
- •5.2.1 Увімкнення тиристорів
- •Увімкнення за допомогою струму керування
- •Увімкнення тиристора за допомогою імпульсу анодної напруги
- •5.2.2 Вимкнення тиристорів
- •Вимкнення за допомогою подачі напруги на керувальний електрод (за допомогою струму керування)
- •5.3 Біполярні транзистори з ізольованим затвором
- •6 Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •6.1 Загальні відомості
- •6.2 Випромінювальні діоди
- •6.3 Напівпровідникові фотоприймачі
- •6.3.1 Фоторезистори
- •6.3.2 Фотодіоди
- •6.3.3 Фотоприймачі з внутрішнім підсиленням
- •6.4 Оптрони та їх застосування
- •7 Основи мікроелектроніки
- •7.1 Основні поняття і визначення
- •Історична довідка
- •7.2 Гібридні інтегральні схеми
- •7.3 Напівпровідникові інтегральні схеми
- •7.3.1 Технологія
- •Планарно-дифузійна технологія виготовлення біполярних напівпровідникових інтегральних схем
- •7.3.2 Технологія виготовлення інтегральних
- •Ізоляція
- •7.3.3 Біполярні транзистори
- •Багатоемітерні транзистори
- •Супербета - транзистори
- •Біполярні транзистори з бар'єром Шотткі
- •7.3.4 Мон (мдн)- транзистори
- •7.3.6 Резистори
- •7.3.7 Конденсатори
- •7.4 Інтегральні схеми з інжекційним живленням
- •Позначення основних величин
- •Список літератури
- •3 Біполярні транзистори 69
- •3.1 Будова та принцип дії біполярних транзисторів 69
- •3.1.1 Загальні відомості про біполярні транзистори 69
- •6 Оптоелектронні напівпровідникові
- •Твердотільна електронікА
3.3.2 Способи забезпечення режиму спокою транзисторного каскаду
Режим
спокою у вхідному колі транзисторного
каскаду може забезпечуватися не
обов’язково за допомогою окремого
джерела живлення
або
.
Частіше у каскадах застосовують лише
одне джерело живлення – у колекторному
колі. У таких каскадах замість вхідного
джерела ЕРС використовують спеціальні
ланцюжки автоматичного зміщення –
пасивні ланцюжки, на яких струм, який
протікає від джерела колекторної
напруги
,
створює спад напруг, що забезпечують
потрібне положення робочих точок на
характеристиках транзистора в режимі
спокою.
Основною вимогою до каскадів з автоматичним зміщенням є забезпечення сталості обраного режиму спокою при зміні температури або зміні транзистора. Розглянемо деякі приклади.
Схема з фіксованим струмом бази
Схему зображено на рисунку 3.47.

Рисунок 3.47 – Транзисторний каскад з фіксованим струмом бази
Зміщення
ЕП у транзисторі цього каскаду
здійснюється за рахунок струму бази
спокою
,
який протікає від джерела
через резистор
.
При цьому напруга на ЕП
визначається вхідним опором БТ. Опір
резистора
дорівнює
,
(3.57)
тобто можна вважати, що
. (3.58)
Каскад
рис. 3.47 називається каскадом з фіксованим
струмом бази завдяки формулі (3.58), тобто
струм бази
не залежить від параметрів транзистора.
Недоліком
каскаду рисунка 3.47 є те, що в ньому важко
встановити обраний режим спокою при
застосуванні транзистора з великим
розкидом параметра
без зміни опору
.
Наприклад, у транзистора ГТ311Ж промисловий
розкид параметрів
становить від 50 до 200. Оскільки струм
не залежить від властивостей БТ, то при
заміні транзистора струм колектора
може змінюватися в 4 рази, і початкова
робоча точка може вийти з області
активного режиму на характеристиках,
що для підсилювача небажано. Іншим
суттєвим недоліком каскаду є те, що в
його схемі не враховується температурний
дрейф характеристик і параметрів БТ,
завдяки якому струм
при збільшенні температури зростає.
Схема з фіксованим потенціалом бази
Схему
показано на рисунку 3.48. Потрібний режим
спокою транзистора забезпечується
фіксованою напругою на базі, що
утворюється за допомогою розподільника
напруги на резисторах
та
.
Опір
дорівнює
,
(3.59)
де
- струм розподільника напруги. Звичайно
.

Рисунок 3.48 – Транзисторний каскад з фіксованим потенціалом бази
Опір
можна розрахувати за формулою
. (3.60)
При
>>
можна вважати, що напруга
(3.61)
не залежить від властивостей транзистора. Тому схема рисунка 3.48 називається схемою з фіксованим потенціалом бази. Суттєвий недолік цієї схеми – температурний дрейф колекторного струму – вимагає застосування спеціальних заходів температурної стабілізації.
Схема з температурною стабілізацією в
Емітерному колі
Схему
показано на рисунку 3.49. У ній з метою
стабілізації емітерного (колекторного)
струму при зміні температури
використовується резистор негативного
зворотного зв’язку за струмом
.
Для схеми рисунку 3.49 справедлива
рівність
. (3.62)
Оскільки
температурні зміни опорів
та
незначні, то падіння напруги на опорі
при зміні температури практично не
змінюється. Збільшення струму
при збільшенні температури приводить
за формулою (3.62) до зменшення напруги
на ЕП
.
Це, у свою чергу, приводить до зменшення
струмів бази
та колектора
.
Таким чином, автоматично стабілізується
також струм емітера
.

Рисунок 3.49 – Транзисторний каскад з температурною стабілізацією
Величина
падіння напруги на резисторі зворотного
зв’язку
вибирається в межах
.
Формули для розрахунку опорів
,
і
мають вигляд:
,
(3.63)
, (3.64)
. (3.65)
Оскільки
негативний зворотний зв’язок за змінною
складовою приводить до зменшення
коефіцієнта підсилення каскаду, то з
метою усунення цього зв’язку резистор
шунтується конденсатором
.
Схема каскаду зі спільною базою та автоматичним зміщенням робочої точки
У
схемі рисунка 3.50 автоматичне зміщення
робочої точки здійснюється за рахунок
розподільника напруги R2
і R3.
Напруга
,
прикладена до бази і через резистор R1
до емітера транзистора, забезпечує
пряме зміщення ЕП, тобто активний режим
транзистора. Резистор R1
забезпечує подачу вхідного сигналу на
емітер, конденсатор
служить для усунення негативного
зворотного зв’язку за змінною складовою.
Розрахунок
R1,
R2
та R3
здійснюється таким чином. Для обраної
робочої точки режиму спокою (вибирається
на характеристиках БТ) спочатку
визначаються струм
=
-
і струм розподільника напруги
=
(3 - 5)
.
Для емітерного кола другий закон
Кірхгофа має вигляд
.

Рисунок 3.50 – Транзисторний каскад зі спільною базою
Для
підсилювачів напруга
.
Тоді
, (3.66)
, (3.67)
.
(3.68)
