- •Методическое обеспечение
- •Лабораторная работа № 1 исследование переходных процессов при разряде конденсатора
- •Правила работы в лаборатории
- •Лабораторная работа № 2 испытание биполярного транзистора и усилителя по схеме с общим эмиттером
- •Лабораторная работа № 3 исследование тиристоров
- •Лабораторная работа № 4 испытание трехзлектродной лампы
- •Лабораторная работа № 1 исследование полупроводниковых выпрямителей однофазного тока
- •1.2 Методические указания по выполнению практических работ для студентов инженерного факультета по направлению подготовки
- •35.03.06 «Агроинженерия», по профилю подготовки (специализация) «электрооборудование и электротехнологии», дисциплине «Электроника»
- •1. Общие методические рекомендации
Лабораторная работа № 2 испытание биполярного транзистора и усилителя по схеме с общим эмиттером
Цель занятия: Изучить устройство и принцип работы полупроводниковых триодов (транзисторов). Снять статические вольт-амперные характеристики изучаемого транзистора. Изучить схемы включения транзистора и области применения.
Материалы и оборудование: германиевый низкочастотный транзистор типа П-215 (р-п-р).
два мультиметра, вольтметр, микроамперметр, два реостата, два источник постоянного напряжения, два реостата.
Порядок выполнения испытаний
Собрать электрическую схему испытаний транзистора по рис.
2. Записать технические параметры германиевого низкочастотного транзистора типа П-215 (р-п-р):
коэффициент усиления по току β = 20 – 150;
ток базы Iб =0,5 А; ток коллектора Iк = 5 А;
напряжения: UкэR = 30 В (R = 0,05 кОм); Uэб0 = 10 В; Uкб0 = 45 В;
допустимая рабочая температура -60 ÷ +70О С.
3. Снять и построить семейство выходных характеристик транзистора Ik = f ( Uk ) при Iвх = const для нескольких значений Iвх.
Таблица 1
Iвх.= |
Uk |
|
|
|
|
|
Ik |
|
|
|
|
|
|
Iвх.= |
Uk |
|
|
|
|
|
Ik |
|
|
|
|
|
|
Iвх.= |
Uk |
|
|
|
|
|
Ik |
|
|
|
|
|
4. Снять и построить семейство статических входных характеристик транзистора Uвх = f ( Iвx ) при Uk = const для нескольких значений Uk (0, -3, -7, -10 В). Таблица 2
Uk = 0 В |
Iвx |
|
|
|
|
|
Uвх |
|
|
|
|
|
|
Uk = -3 В |
Iвx |
|
|
|
|
|
Uвх |
|
|
|
|
|
|
Uk = -7 В |
Iвx |
|
|
|
|
|
Uвх |
|
|
|
|
|
|
Uk = -10 В |
Iвx |
|
|
|
|
|
Uвх |
|
|
|
|
|
5. Снять и построить семейство характеристик передачи по току Ik = f ( Iвх) при Uk = const для нескольких значений Uk ( 0, -3, -7, -10 В ).
Таблица 3
Uk = 0 В |
Iвx |
|
|
|
|
|
Ik |
|
|
|
|
|
|
Uk = -3 В |
Iвx |
|
|
|
|
|
Ik |
|
|
|
|
|
|
Uk = -7 В |
Iвx |
|
|
|
|
|
Ik |
|
|
|
|
|
|
Uk = -10 В |
Iвx |
|
|
|
|
|
Ik |
|
|
|
|
|
Примечание. При работе с транзисторами категорически запрещается превышать максимальные значения токов и напряжений, а также мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора.
Обработка результатов измерений
1. По полученным характеристикам рассчитать входное rвх и rвых сопротивление транзистора.
2. Рассчитать коэффициент усиления по току α и β.
Контрольные вопросы
1. Расскажите об устройстве плоскостного транзистора.
2. Что означает коэффициент передачи тока α?
3. Что показывает коэффициент усиления β?
4. Какие схемы включения транзисторов применяются на практике?
5. Каково применение транзисторов в радиоэлектронике?
Содержание отчёта
1. Технические параметры исследуемого транзистора.
2. Электрическая схема испытаний транзистора.
3. Таблицы и графики характеристик по результатам испытаний.
4. Результаты вычислений rвх и rвых , α и β.
