3.Измерение зависимости iк(iб) и определение статического коэффициента усиления тока

Измерение зависимости B(I_К) для значений тока коллектора до 30 мА. Для этого в поле Range графы Variable 1 укажите пределы изменения тока базы, исключив нулевое значение, например: 200u,1u. В графе X Expression укажите имя варьируемой переменной IC(VT1), а в графе Y Expression отношение токов.

IC(VT1)/IB(VT1).,

что соответствует измерению коэффициента усиления тока .

4.Измерение выходных характеристик

Используйте схему рис.0.2.1 для измерения выходных вольтамперных характеристик биполярных транзисторов. Выполните расчёт и построение семейства графиков выходных характеристик транзистора – зависимостей I_К(U_КЭ) тока коллектора от напряжения между коллектором и эмиттером при нескольких значениях тока базы. Измерение выходной проводимости g_вых производится аналогично измерению крутизны транзистора согласно выражению приведенному ниже:

.

Проведите исследование зависимости входных и выходных вольтамперных характеристик транзистора при вариации температуры. Для этого в окне задания на исследование установите максимальное и минимальное значение температуры транзистора. Указанное исследование можно провести также с использовании опции Stepping, которая применялась при выполнении лабораторных работ, описанных в настоящем пособии.