Содержание отчета

В отчет должны входить записи составляющих комплексных Y-параметров исследуемого биполярного транзистора в стационарной точке включенного по схеме с общим эмиттером, с выделением низкочастотных g₁₁, S₀, r_Б, g₂₂ и высокочастотных τ , С_КБ^/ параметров. Необходимо также привести графики зависимости от частоты модулей входной проводимости Y₁₁ и комплексной крутизны Y_21. Используя график модуля комплексной крутизны транзистора, укажите способ определения постоянной входной цепи биполярного транзистора и частотно независимой составляющей комплексной крутизны транзистора в рабочей точке.

Лабораторная работа №02 Измерение статических характеристик и низкочастотных параметров транзисторов

Цель работы: Освоение методики моделирования электронных схем при расчете передаточных функций по постоянному току. Изучение статических характеристик и низкочастотных дифференциальных параметров биполярных и полевых транзисторов. Измерение статических характеристик производится для маломощного биполярного транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером, в режиме анализа по постоянному току (Analysis>DC). Измерения проводятся при стандартной температуре +27 и в интервале температур. Схема для измерения выходных статических характеристик представлена на рис. 0.2.1

1.Измерение входной характеристики

Выполнив команду Analysis>DC, перейдите к построению статических характеристик транзистора. Для построения графика входной характеристики (зависимости I_Б(U_БЭ) тока базы от напряжения между базой и эмиттером) необходимо варьировать величину тока базы, задаваемого источником IB Для этого в верхней части окна DC Analysis Limits (рис.0.2.2), в котором задаются параметры моделирования, укажите: в строке Variable 1 – имя (Name) варьируемого источника и пределы изменения (Range) тока (в соответствии с принятым в системе Micro-Cap правилом Указанные правила в сокращенном изложении приведены также в первом разделе настоящего пособия.

Рис.0.2.1

Рис.0.2.2

Учтите, что заданное таким образом максимальное значение тока источника не обязательно должно совпадать со значением, указанным в атрибутах источника при составлении схемы. В нижней части окна указываются имена переменных, откладываемых по горизонтальной (X Expression) и вертикальной (Y Expression) осям графика. Для графика входной характеристики это соответственно напряжение между базой и эмиттером V(BE)и ток базы Ib транзистора VT1. Для автоматического масштабирования графика по осям координат включите опцию Auto Scale Ranges. Нажатием на кнопку Ran выполните моделирование и проанализируйте полученную характеристику.

При малых значениях напряжения U_БЭ ток базы близок к нулю (транзистор закрыт), поэтому для удобства дальнейшего анализа целесообразно перестроить входную характеристику так, чтобы исключить её начальный участок. Для этого нажатием на кнопку Cursor Mode или клавишу F8 включите электронный маркер и по графику определите значение напряжения U_БЭ, при котором начинается заметный рост тока базы. После этого, нажав на кнопку Limits («Пределы») , опять перейдите в окно задания параметров моделирования и в поле X Range («Диапазон по оси X») измените левую границу графика в соответствии с измеренным значением, округлённым с точностью до 0,1 В. Затем отключите режим автоматического масштабирования и снова постройте график характеристики. При необходимости аналогичным образом измените и правую границу графика. Для оценки влияния температуры на параметры транзистора проведите расчёт входной характеристики в интервале температур от -60 до +20. Для этого в окне задания параметров в группе полей, объединённых заголовком Temperature, установите линейный (Linear) метод изменения температуры и задайте её максимальное значение, минимальное и шаг изменения. Затем, нажав на кнопку Run, получите семейство графиков. При этом в заголовке графиков будет указан интервал температур, для которого проводилось моделирование. По результатам моделирования сделайте вывод о характере влияния температуры на ток базы транзистора.