- •1 Мета і задачі курсового проекту
- •2 Об'єм і зміст курсового проекту
- •3 Вказівки з оформлення і захисту курсового проекту
- •4 Методи розрахунку основних технологічних параметрів р-n-переходів
- •4.1 Особливості розрахунку технологічних параметрів дифузійних p-n-переходів
- •4.2 Методика розрахунку конструктивних розмірів
- •5 Завдання до курсового проекту
- •Перелік рекомендованої літератури
МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ
Запорізький національний технічний університет
МЕТОДИЧНІ ВКАЗІВКИ
до виконання курсового проекту
з дисципліни "Технологічні основи електроніки"
для студентів спеціальності 8.050801
“Мікро- та наноелектроніка”
денної й заочної форм навчання
2009
Методичні вказівки до виконання курсового проекту з дисципліни "Технологічні основи електроніки” для студентів спеціальності 8.050801 "Мікро- та наноелектроніка" денної й заочної форм навчання / Укл.: В.М.Матюшин.- Запоріжжя: ЗНТУ, 2009 - 27 c.
Укладач: В.М.Матюшин, доцент, к.ф.-м.н.
Рецензент: О.В.Томашевський, доцент, к.т.н.
Відповідальний за випуск: Г.В.Сніжной, доцент, к.ф.-м.н.
Затверджено
на засіданні кафедри
МіНЕ
Протокол № 5
Від 6 лютого 2009 р.
1 Мета і задачі курсового проекту
Мета курсового проекту - поглибити і розширити теоретичні знання, сформувати і розвинути у студентів практичні навички розробки технологічних процесів виготовлення напівпровідникових приладів й інтегрованих схем (ІС).
Внаслідок виконання курсового проекту студенти повинні знати:
постановку задач технології виробництва напівпровідникових приладів й ІС;
математичний апарат, що застосовується при розробці і конструюванні технологічного процесу напівпровідникових приладів й ІС;
технологічні властивості Ge, Si, GaAs та інших напівпровідників;
матеріали, що застосовуються для легування напівпровідників;
властивості допоміжних матеріалів;
методи і технологічні схеми виготовлення напівпровідникових приладів, монолітних і гібридних ІС (МІС і ГІС);
основні технологічні процеси, їх фізичні основи і методи розрахунку;
принципи дії технологічного обладнання;
методи підвищення стабільності і надійності структур напівпровідникових приладів.
Студенти повинні уміти:
аналізувати технологічні процеси і розробляти технологічну документацію;
виконувати розрахунок параметрів напівпровідникових приладів й ІС з використанням ЕОМ;
розробити схему виготовлення напівпровідникових і мікроелектронних приладів, інтегрованих схем;
провести розрахунки з обґрунтування найважливіших технологічних операцій;
оцінювати отримані результати;
правильно оформляти пояснювальну записку і графічну частину роботи.
2 Об'єм і зміст курсового проекту
Курсовий проект повинен складатися з пояснювальної записки обсягом 35-40 аркушів формату А4 і графічної частини обсягом два аркуша формату А1.
Курсовий проект з дисципліни "Технологічні основи електроніки" повинен містити:
аналіз і вибір технологічної схеми виготовлення напівпровідникового приладу або ІС;
розробку і опис технологічної схеми виготовлення напівпровідникової структури;
розрахунок параметрів основних технологічних процесів.
Пояснювальна записка курсового проекту включає в себе наступні основні розділи:
матеріали, що застосовуються у виробництві напівпровідникових приладів й ІС;
обробка поверхні напівпровідників;
планарна технологія виготовлення напівпровідникових приладів й ІС;
конструкції активних областей напівпровідникових приладів і елементів ІС;
пасивні елементи ІС, ізоляція, з'єднання елементів ІС;
конструкції корпусів напівпровідникових приладів й ІС;
складальні операції.
У графічну частину курсового проекту входять: 1) схематичне зображення печі, в якій проводять дифузію, 2) розподіл домішки в кристалі, 3) ВАХ, 4) топологія і структура розрахованого напівпровідникового приладу, 5) блок-схема технологічного процесу.
3 Вказівки з оформлення і захисту курсового проекту
Пояснювальну записку і графічну частину курсового проекту оформляють у відповідності з СТП 15-96 [16]. На захист представляється закінчена пояснювальна записка до курсового проекту, графічна частина, підписана студентом і керівником проекту.
Курсовий проект студенти захищають за графіком, затвердженим кафедрою, перед комісією, що складається з 2-3 викладачів.
Захист проекту повинен складатися з короткої доповіді виконаного проекту (3-5 хв) і відповідей на запитання.
При оцінці курсового проекту враховують якість проекту і результати його захисту. При цьому звертають увагу на повноту, якість і самостійність виконання поставленої задачі, ретельність оформлення пояснювальної записки і креслень, складність завдання, наявність елементів наукових досліджень, дотримання термінів і якість захисту.
При захисті курсового проекту студенти повинні звертати особливу увагу на знання суті, переваг і недоліків методів, що використовуються, і технологічних схем виготовлення напівпровідникових приладів, ІС і ГІС, на основні технологічні процеси та їх фізичні основи і методи розрахунку, принцип дії технологічного обладнання, методи підвищення стабільності і надійності структур напівпровідникових приладів, уміння провести аналіз отриманих результатів. Завдання на типовий розрахунок викладач видає індивідуально кожному студенту.
Зразки оформлення титульного листа пояснювальної записки і бланка завдань на курсовий проект наведені в додатку А і Б.
