- •1 Резисторы
- •Содержание
- •Основные характеристики и параметры резисторов[править | править вики-текст]
- •2 Конденсатор
- •Содержание
- •История[править | править вики-текст]
- •Конструкция конденсатора[править | править вики-текст]
- •Свойства конденсатора[править | править вики-текст]
- •Обозначение конденсаторов на схемах[править | править вики-текст]
- •Характеристики конденсаторов[править | править вики-текст] Основные параметры[править | править вики-текст] Ёмкость[править | править вики-текст]
- •Удельная ёмкость[править | править вики-текст]
- •Плотность энергии[править | править вики-текст]
- •Номинальное напряжение[править | править вики-текст]
- •Полярность[править | править вики-текст]
- •Опасность разрушения (взрыва)[править | править вики-текст]
- •Паразитные параметры[править | править вики-текст]
- •Электрическое сопротивление изоляции диэлектрика конденсатора, поверхностные утечки Rd и саморазряд[править | править вики-текст]
- •Эквивалентное последовательное сопротивление — Rs[править | править вики-текст]
- •Эквивалентная последовательная индуктивность — Li[править | править вики-текст]
- •Тангенс угла диэлектрических потерь
- •Температурный коэффициент ёмкости (тке)[править | править вики-текст]
- •Диэлектрическая абсорбция[править | править вики-текст]
- •Паразитный пьезоэффект[править | править вики-текст]
- •Самовосстановление[править | править вики-текст]
- •Классификация конденсаторов[править | править вики-текст]
- •3 Малогабаритные реле
- •4 Катушка индуктивности
- •Терминология[править | править вики-текст]
- •Конструкция[править | править вики-текст]
- •Свойства катушки индуктивности[править | править вики-текст]
- •Области пространственного заряда[править | править вики-текст]
- •Выпрямительные свойства p-n перехода[править | править вики-текст]
- •7 Полупроводниковые диоды
- •Содержание
- •3Примечания
- •4Литература
- •5Ссылки Основные характеристики и параметры диодов[править | править вики-текст]
- •Классификация диодов[править | править вики-текст] Типы диодов по назначению[править | править вики-текст]
- •8 Выпрямительные диоды
- •Выпрямительный диод
- •Мостовая схема включения диодов[править | править вики-текст]
- •9 Стабилитроны Стабилитрон
- •Содержание
- •8Примечания
- •Терминология и классификация[править | править вики-текст]
- •Принцип действия[править | править вики-текст]
- •Производство[править | править вики-текст]
- •Области применения[править | править вики-текст]
- •10 Особые типы диодов Типы диодов[править | править вики-текст]
- •Ламповые диоды[править | править вики-текст]
- •Полупроводниковые диоды[править | править вики-текст]
- •Специальные типы диодов[править | править вики-текст]
- •Основные характеристики и параметры диодов[править | править вики-текст]
- •Классификация и система обозначений[править | править вики-текст]
- •Ссср[править | править вики-текст]
- •11 Биполярный транзистор Биполярный транзистор
- •Содержание
- •Устройство и принцип действия[править | править вики-текст]
- •Режимы работы биполярного транзистора[править | править вики-текст]
- •Инверсный активный режим[править | править вики-текст]
- •Режим насыщения[править | править вики-текст]
- •Режим отсечки[править | править вики-текст]
- •Барьерный режим[править | править вики-текст]
- •Схемы включения[править | править вики-текст]
- •Основные параметры[править | править вики-текст]
- •Биполярный свч-транзистор[править | править вики-текст]
- •12 Тиристоры
- •Содержание
- •Устройство и основные виды тиристоров[править | править вики-текст]
- •Вольт-амперная характеристика тиристора[править | править вики-текст]
- •Режимы работы триодного тиристора[править | править вики-текст] Режим обратного запирания[править | править вики-текст]
- •Режим прямого запирания[править | править вики-текст]
- •Двухтранзисторная модель тиристора[править | править вики-текст]
- •Режим прямой проводимости[править | править вики-текст]
- •Эффект dU/dt[править | править вики-текст]
- •Эффект di/dt[править | править вики-текст]
- •Классификация тиристоров[править | править вики-текст]
- •Отличие динистора от тринистора[править | править вики-текст]
- •Отличие тиристора триодного от запираемого тиристора[править | править вики-текст]
- •Симистор[править | править вики-текст]
- •Характеристики тиристоров[править | править вики-текст]
- •13 Полевые транзисторы Полевой транзистор
- •Содержание
- •5См. Также
- •6Примечания
- •7Литература История создания полевых транзисторов[править | править вики-текст]
- •Классификация полевых транзисторов[править | править вики-текст]
- •Транзисторы с управляющим p-n-переходом[править | править вики-текст]
- •Транзисторы с изолированным затвором (мдп-транзисторы)[править | править вики-текст]
- •Схемы включения полевых транзисторов[править | править вики-текст]
- •Области применения полевых транзисторов[править | править вики-текст]
- •14 Свето и фотоприборы
- •Содержание
- •10См. Также
- •11Примечания
- •12Ссылки Принцип работы[править | править вики-текст]
- •История[править | править вики-текст]
- •Характеристики[править | править вики-текст]
- •Светодиоды в электрической схеме[править | править вики-текст]
- •Содержание
- •3Литература
- •4Ссылки Классификация[править | править вики-текст]
- •Использование[править | править вики-текст]
- •Механическое воздействие[править | править вики-текст]
- •Гальваническая развязка[править | править вики-текст]
- •Оптопары[править | править вики-текст]
- •Свойства и характеристики оптопар[править | править вики-текст]
- •Шумы транзисторной оптопары[править | править вики-текст]
- •Типы оптореле[править | править вики-текст]
- •Примеры применения оптореле[править | править вики-текст]
- •Неэлектрическая передача[править | править вики-текст]
- •Содержание
- •4См. Также
- •5Примечания
- •6Литература Конструкция[править | править вики-текст]
- •Содержание
- •4См. Также
- •5Примечания Описание[править | править вики-текст]
- •Параметры и характеристики фотодиодов[править | править вики-текст]
- •Классификация[править | править вики-текст]
- •15 Уселительный каскад
- •Содержание
- •5См. Также
- •6Ссылки Описание[править | править вики-текст]
- •Простейший усилительный каскад с общим эмиттером[править | править вики-текст]
- •Режим работы каскада[править | править вики-текст]
- •Входное и выходное сопротивления каскада[править | править вики-текст]
- •Усиление сигнала[править | править вики-текст]
- •Усилительный каскад с общим эмиттером[править | править вики-текст]
- •Переключательный каскад с общим эмиттером[править | править вики-текст]
- •16) Усилительный каскад на полевом транзисторе
- •17) Операционный усилитель
- •История[править | править вики-текст]
- •Обозначения[править | править вики-текст]
- •Основы функционирования[править | править вики-текст]
- •Питание[править | править вики-текст]
- •Простейшее включение оу[править | править вики-текст]
- •Идеальный операционный усилитель[править | править вики-текст]
- •Простейший усилитель на оу[править | править вики-текст]
- •18) Схемы на операционных усилителях Схемы на операционных усилителях.
- •19) Избирательные уселители на оу
- •Електронные генераторы
Эквивалентная последовательная индуктивность — Li[править | править вики-текст]
Эквивалентная последовательная индуктивность обусловлена, в основном, собственной индуктивностью обкладок и выводов конденсатора. Результатом этой распределенной паразитной индуктивности является превращение конденсатора в колебательный контур с характерной собственной частотой резонанса. Эта частота может быть измерена и обычно указывается в параметрах конденсатора либо в явном виде либо в виде рекомендованной максимальной рабочей частоты.
Тангенс угла диэлектрических потерь
Тангенс угла диэлектрических потерь — отношение мнимой и вещественной части комплексной диэлектрической проницаемости. {\displaystyle {\rm {{tg}\,\delta ={\frac {\varepsilon _{im}}{\varepsilon _{re}}}={\frac {\sigma }{\omega \varepsilon _{a}}}.}}}
Потери энергии в конденсаторе определяются потерями в диэлектрике и обкладках. При протекании переменного тока через конденсатор векторы напряжения и тока сдвинуты на угол {\displaystyle \scriptstyle \varphi ={\tfrac {\pi }{2}}-\delta ,} где δ — угол диэлектрических потерь. При отсутствии потерь δ = 0. Тангенс угла потерь определяется отношением активной мощности Pа креактивной Pр при синусоидальном напряжении определённой частоты. Величина, обратная tg δ, называется добротностью конденсатора. Термины добротности и тангенса угла потерь применяются также для катушек индуктивности и трансформаторов.
Температурный коэффициент ёмкости (тке)[править | править вики-текст]
ТКЕ — относительное изменение ёмкости при изменении температуры окружающей среды на один градус Цельсия (кельвин). ТКЕ определяется так:
{\displaystyle TKE={\frac {\Delta C}{C\Delta T}}} .
где {\displaystyle \Delta C} — изменение ёмкости, вызванное изменением температуры на {\displaystyle \Delta T} . Таким образом, изменение ёмкости от температуры (при не слишком больших изменениях температуры) выражается линейной функцией:
{\displaystyle \scriptstyle C(T)=C_{H.y.}+TKE\cdot C_{H.y.}\cdot \Delta T,} ,
где {\displaystyle \Delta T} — изменение температуры в °C или К относительно нормальных условий, при которых специфицировано значение ёмкости, {\displaystyle C_{H.y.}} — ёмкость при нормальных условиях. TKE применяется для характеристики конденсаторов с практически линейной зависимостью ёмкости от температуры. Однако ТКЕ указывается в спецификациях не для всех типов конденсаторов.
Для конденсаторов, имеющих существенно нелинейную зависимость ёмкости от температуры и для конденсаторов с большими изменениями ёмкости от воздействия температуры окружающей среды в спецификациях нормируются относительное изменение ёмкости в рабочем диапазоне температур или в виде графика зависимости ёмкости от температуры.
Диэлектрическая абсорбция[править | править вики-текст]
Если заряженный конденсатор быстро разрядить до нулевого напряжения путём подключения низкоомной нагрузки, а затем снять нагрузку и наблюдать за напряжением на выводах конденсатора, то мы увидим, что напряжение на обкладках снова появится как если бы мы разрядили конденсатор не до нуля. Это явление получило название диэлектрическая абсорбция (диэлектрическое поглощение). Конденсатор ведёт себя так, словно параллельно ему подключено множество последовательныхRC-цепочек с различной постоянной времени. Интенсивность проявления этого эффекта зависит в основном от свойств диэлектрика конденсатора.
Подобный эффект можно наблюдать практически на всех типах диэлектриков. В электролитических конденсаторах он особенно ярок и является следствием химических реакций между электролитом и обкладками. У конденсаторов с твердым диэлектриком (например, керамических и слюдяных) эффект связан с остаточной поляризацией диэлектрика. Наименьшим диэлектрическим поглощением обладают конденсаторы с неполярными диэлектриками: тефлон (фторопласт), полистирол, полипропилени т. п.
Эффект зависит от времени зарядки конденсатора, времени закорочения, иногда от температуры. Количественное значение абсорбции принято характеризоватькоэффициентом абсорбции, который определяется в стандартных условиях.
Особое внимание в связи с эффектом следует уделять измерительным цепям постоянного тока: прецизионным интегрирующим усилителям, устройствам выборки-хранения, некоторым схемам на переключаемых конденсаторах.
