- •1 Резисторы
- •Содержание
- •Основные характеристики и параметры резисторов[править | править вики-текст]
- •2 Конденсатор
- •Содержание
- •История[править | править вики-текст]
- •Конструкция конденсатора[править | править вики-текст]
- •Свойства конденсатора[править | править вики-текст]
- •Обозначение конденсаторов на схемах[править | править вики-текст]
- •Характеристики конденсаторов[править | править вики-текст] Основные параметры[править | править вики-текст] Ёмкость[править | править вики-текст]
- •Удельная ёмкость[править | править вики-текст]
- •Плотность энергии[править | править вики-текст]
- •Номинальное напряжение[править | править вики-текст]
- •Полярность[править | править вики-текст]
- •Опасность разрушения (взрыва)[править | править вики-текст]
- •Паразитные параметры[править | править вики-текст]
- •Электрическое сопротивление изоляции диэлектрика конденсатора, поверхностные утечки Rd и саморазряд[править | править вики-текст]
- •Эквивалентное последовательное сопротивление — Rs[править | править вики-текст]
- •Эквивалентная последовательная индуктивность — Li[править | править вики-текст]
- •Тангенс угла диэлектрических потерь
- •Температурный коэффициент ёмкости (тке)[править | править вики-текст]
- •Диэлектрическая абсорбция[править | править вики-текст]
- •Паразитный пьезоэффект[править | править вики-текст]
- •Самовосстановление[править | править вики-текст]
- •Классификация конденсаторов[править | править вики-текст]
- •3 Малогабаритные реле
- •4 Катушка индуктивности
- •Терминология[править | править вики-текст]
- •Конструкция[править | править вики-текст]
- •Свойства катушки индуктивности[править | править вики-текст]
- •Области пространственного заряда[править | править вики-текст]
- •Выпрямительные свойства p-n перехода[править | править вики-текст]
- •7 Полупроводниковые диоды
- •Содержание
- •3Примечания
- •4Литература
- •5Ссылки Основные характеристики и параметры диодов[править | править вики-текст]
- •Классификация диодов[править | править вики-текст] Типы диодов по назначению[править | править вики-текст]
- •8 Выпрямительные диоды
- •Выпрямительный диод
- •Мостовая схема включения диодов[править | править вики-текст]
- •9 Стабилитроны Стабилитрон
- •Содержание
- •8Примечания
- •Терминология и классификация[править | править вики-текст]
- •Принцип действия[править | править вики-текст]
- •Производство[править | править вики-текст]
- •Области применения[править | править вики-текст]
- •10 Особые типы диодов Типы диодов[править | править вики-текст]
- •Ламповые диоды[править | править вики-текст]
- •Полупроводниковые диоды[править | править вики-текст]
- •Специальные типы диодов[править | править вики-текст]
- •Основные характеристики и параметры диодов[править | править вики-текст]
- •Классификация и система обозначений[править | править вики-текст]
- •Ссср[править | править вики-текст]
- •11 Биполярный транзистор Биполярный транзистор
- •Содержание
- •Устройство и принцип действия[править | править вики-текст]
- •Режимы работы биполярного транзистора[править | править вики-текст]
- •Инверсный активный режим[править | править вики-текст]
- •Режим насыщения[править | править вики-текст]
- •Режим отсечки[править | править вики-текст]
- •Барьерный режим[править | править вики-текст]
- •Схемы включения[править | править вики-текст]
- •Основные параметры[править | править вики-текст]
- •Биполярный свч-транзистор[править | править вики-текст]
- •12 Тиристоры
- •Содержание
- •Устройство и основные виды тиристоров[править | править вики-текст]
- •Вольт-амперная характеристика тиристора[править | править вики-текст]
- •Режимы работы триодного тиристора[править | править вики-текст] Режим обратного запирания[править | править вики-текст]
- •Режим прямого запирания[править | править вики-текст]
- •Двухтранзисторная модель тиристора[править | править вики-текст]
- •Режим прямой проводимости[править | править вики-текст]
- •Эффект dU/dt[править | править вики-текст]
- •Эффект di/dt[править | править вики-текст]
- •Классификация тиристоров[править | править вики-текст]
- •Отличие динистора от тринистора[править | править вики-текст]
- •Отличие тиристора триодного от запираемого тиристора[править | править вики-текст]
- •Симистор[править | править вики-текст]
- •Характеристики тиристоров[править | править вики-текст]
- •13 Полевые транзисторы Полевой транзистор
- •Содержание
- •5См. Также
- •6Примечания
- •7Литература История создания полевых транзисторов[править | править вики-текст]
- •Классификация полевых транзисторов[править | править вики-текст]
- •Транзисторы с управляющим p-n-переходом[править | править вики-текст]
- •Транзисторы с изолированным затвором (мдп-транзисторы)[править | править вики-текст]
- •Схемы включения полевых транзисторов[править | править вики-текст]
- •Области применения полевых транзисторов[править | править вики-текст]
- •14 Свето и фотоприборы
- •Содержание
- •10См. Также
- •11Примечания
- •12Ссылки Принцип работы[править | править вики-текст]
- •История[править | править вики-текст]
- •Характеристики[править | править вики-текст]
- •Светодиоды в электрической схеме[править | править вики-текст]
- •Содержание
- •3Литература
- •4Ссылки Классификация[править | править вики-текст]
- •Использование[править | править вики-текст]
- •Механическое воздействие[править | править вики-текст]
- •Гальваническая развязка[править | править вики-текст]
- •Оптопары[править | править вики-текст]
- •Свойства и характеристики оптопар[править | править вики-текст]
- •Шумы транзисторной оптопары[править | править вики-текст]
- •Типы оптореле[править | править вики-текст]
- •Примеры применения оптореле[править | править вики-текст]
- •Неэлектрическая передача[править | править вики-текст]
- •Содержание
- •4См. Также
- •5Примечания
- •6Литература Конструкция[править | править вики-текст]
- •Содержание
- •4См. Также
- •5Примечания Описание[править | править вики-текст]
- •Параметры и характеристики фотодиодов[править | править вики-текст]
- •Классификация[править | править вики-текст]
- •15 Уселительный каскад
- •Содержание
- •5См. Также
- •6Ссылки Описание[править | править вики-текст]
- •Простейший усилительный каскад с общим эмиттером[править | править вики-текст]
- •Режим работы каскада[править | править вики-текст]
- •Входное и выходное сопротивления каскада[править | править вики-текст]
- •Усиление сигнала[править | править вики-текст]
- •Усилительный каскад с общим эмиттером[править | править вики-текст]
- •Переключательный каскад с общим эмиттером[править | править вики-текст]
- •16) Усилительный каскад на полевом транзисторе
- •17) Операционный усилитель
- •История[править | править вики-текст]
- •Обозначения[править | править вики-текст]
- •Основы функционирования[править | править вики-текст]
- •Питание[править | править вики-текст]
- •Простейшее включение оу[править | править вики-текст]
- •Идеальный операционный усилитель[править | править вики-текст]
- •Простейший усилитель на оу[править | править вики-текст]
- •18) Схемы на операционных усилителях Схемы на операционных усилителях.
- •19) Избирательные уселители на оу
- •Електронные генераторы
16) Усилительный каскад на полевом транзисторе
Усилительный каскад на полевом транзисторе со встроенным каналом n-типа показан на рис 2.22.
Такой каскад может работать как в режиме увеличения (обогащения) канала, так и в режиме уменьшения (обеднения) канала. Обогащение канала приводит к увеличению тока стока Ic, a обеднение — к его уменьшению. Если канал реализуется на полевом транзисторе с управляющим p-n-переходом, то каскад может работать только с уменьшением канала.
Уравнение электрического состояния цепи сток-исток в режиме покоя имеет вид:
Это уравнение описывает вольтамперную характеристику резисторов (Rc+Rи), т.е. линию нагрузки по постоянному току. Расчет и анализ каскада производится графоаналитическим способом аналогично тому, как это было проведено для усилительного каскада ОЭ.
На семейство выходных стоковых характеристик транзистора накладывается линия нагрузки по постоянному току (рис. 2.23). Эта линия соединяет точку с координатой Ес на оси абсцисс и точку с координатой Ес/(Rc+Rи), на оси ординат. Рабочая точка П выбирается на середине линейного участка передаточной (стоко-затворной) характеристики и сносится на линию нагрузки. Пересечение линии нагрузки с соответствующей выходной характеристикой определяет значения тока стока Iсп и напряжения сток-исток в точке покоя. В общем виде напряжение смещения затвора Uзип может быть как положительным, так и отрицательным и даже равным нулю. В полевых транзисторах с управляющим переходом оно только отрицательное. Напряжение смещения выделяется на резисторе Rи за счет прохождения Iсп поэтому, зная Uзип и Iсп можно определить величину резистора Rи:
Резистор Rз предназначен для подачи потенциала смещения на затвор. Величина этого резистора должна быть значительно меньше входного сопротивления полевого транзистора (очень большого) для исключения влияния температурной нестабильности транзисторов и разброса их параметров. Обычно Rз = (1–2) Мом. Через Rз, ток практически не течет.
Резистор смещения Rи не только создает режим покоя, но и обеспечивает стабилизацию каскада за счет отрицательной обратной связи по току стока Ic. Емкость Си исключает отрицательную обратную связь для усиливаемого сигнала. Величина емкости выбирается из известных соображений по нижней частоте сигнала:
|
Иногда
для увеличения стабильности каскада
идут на значительное увеличение Rи по
сравнению с требуемым для создания
потенциала покоя на затворе. В этом
случае для компенсации излишнего
отрицательного потенциала включают
резистор R1,
подающий на затвор положительный
потенциал от источника питания. Если
же оказалось, что положение точки покоя
таково, что Uзип ³
, то наличие R1обязательно,
т.к. именно он будет обеспечивать
потенциал смешения. В этом случае
резистор Rи необходим
только для стабилизации каскада. Следует
отметить, что величина резистора стоковой
нагрузкиRсвлияет
на значение верхней частоты, усиливаемой
каскадом: чем больше Rс,
тем меньше fв. Рекомендуется
выбирать значение Rс равным
порядка 0,1 внутреннего сопротивления
транзистора ri.
Емкости Cp1 и Cp2служат для развязки цепей постоянного и переменного тока на входе и выходе каскада.
Входной сигнал через разделительный конденсатор Cp1 поступает на затвор транзистора, алгебраически суммируясь с напряжением смешения. Изменение потенциала затвора вызывает изменение напряжения на стоке. Переменная составляющая напряжения на стоке, проходящая через разделительный конденсатор Ср2 представляет собой выходное напряжение. Амплитуда сигнала должна быть такой, чтобы не выходить за пределы линейного участка входной аб и выходной а'б' характеристик.
Нагрузка каскада Rн не учитывается, если Rн >> Rc, что почти всегда имеет место в предварительных каскадах усиления. При необходимости учета нагрузки строится линия нагрузки но переменному току и рабочий линейный диапазон сигналов определяется по ней.
На рис. 2.24. представлены схемы замещения каскада ОИ. В этих схемах переходные конденсаторы Cp1, Cp2; не учитываются, так как емкость их велика и сопротивление близко к нулю. Коэффициент усиления по напряжению для средних частот, когда емкости транзистора еще не влияют на процесс усиления:
Произведение Sri называют
статическим коэффициентом усиления
полевого транзистора. Здесь ri — внутреннее
сопротивление транзистора, S
— крутизна
передаточной характеристики,
.
С достаточной для практики точностью
в большинстве случаев можно пренебречь Rн и
тогда
Мужские духи
У нас есть то, что Вам нужно. Девушки будут в восторге! aromka.com.ua от 355 грн
|
Распродажа сандалий
Время пришло! Снимайте балетки lamoda.ua Скидка 25%
|
Распродажа сандалий
Время пришло! Снимайте балетки lamoda.ua Скидка 70%
|
Босоножки со скидкой
Бесплатная курьерская доставка! lamoda.ua
|
Кроссовки мечты!
Заказывайте сейчас по суперцене. lamoda.ua
|
Входное сопротивление каскада велико (мегомы):
Выходное сопротивление каскада:
и реально составляют килоомы и десятки килоом.
Rвых << Rвх, что является достоинством схемы.
На высоких частотах необходимо учитывать входную и выходную емкости.
Входная
емкость
,
где См —
емкость монтажа. Обычные численные
значения емкости составляют:
Сзи » 10 пФ, Сзс » 2 пФ, См » 2 пФ. При KU = 50, Свх » 114 пФ.
Выходная
емкость
Каскад по схеме ОИ меняет фазу выходного сигнала по отношению ко входному на противоположную.
Усилительный каскад ОС на полевом транзисторе со встроенным n-каналом показан на рис. 2.25. Такой каскад называют истоковым повторителем по аналогии с эмиттерным повторителем на биполярных транзисторах. Расчет каскада производится идентично тому, как это показано для схемы ОИ. При использовании транзистора с управляющим p-n-переходом в схеме будет отсутствовать резистор R1.
Напряжение
на нагрузке истокового повторителя
и
совпадает по фазе с входным напряжением.
Нагрузкой
каскада по постоянному току является
сопротивление Rи,
а по переменному току
.
Коэффициент усиления каскада по
напряжению зависит от крутизны
характеристики транзистора S и
нагрузки по переменному току:
С увеличением крутизны и сопротивления нагрузки величина KU стремится к единице.
Выходное сопротивление схемы пропорционально 1/S и значительно меньше, чем в каскаде ОИ, колеблясь в диапазоне от сотен Ом до единиц килоом. Каскад обладает глубокой отрицательной обратной связью и поэтому достаточно термостабилен. По этой же причине в истоковом повторителе можно использовать более высокие значения сопротивления резисторов R1 и R3, что позволяет повысить входное сопротивление каскада до нескольких мегаом.
