- •1 Резисторы
- •Содержание
- •Основные характеристики и параметры резисторов[править | править вики-текст]
- •2 Конденсатор
- •Содержание
- •История[править | править вики-текст]
- •Конструкция конденсатора[править | править вики-текст]
- •Свойства конденсатора[править | править вики-текст]
- •Обозначение конденсаторов на схемах[править | править вики-текст]
- •Характеристики конденсаторов[править | править вики-текст] Основные параметры[править | править вики-текст] Ёмкость[править | править вики-текст]
- •Удельная ёмкость[править | править вики-текст]
- •Плотность энергии[править | править вики-текст]
- •Номинальное напряжение[править | править вики-текст]
- •Полярность[править | править вики-текст]
- •Опасность разрушения (взрыва)[править | править вики-текст]
- •Паразитные параметры[править | править вики-текст]
- •Электрическое сопротивление изоляции диэлектрика конденсатора, поверхностные утечки Rd и саморазряд[править | править вики-текст]
- •Эквивалентное последовательное сопротивление — Rs[править | править вики-текст]
- •Эквивалентная последовательная индуктивность — Li[править | править вики-текст]
- •Тангенс угла диэлектрических потерь
- •Температурный коэффициент ёмкости (тке)[править | править вики-текст]
- •Диэлектрическая абсорбция[править | править вики-текст]
- •Паразитный пьезоэффект[править | править вики-текст]
- •Самовосстановление[править | править вики-текст]
- •Классификация конденсаторов[править | править вики-текст]
- •3 Малогабаритные реле
- •4 Катушка индуктивности
- •Терминология[править | править вики-текст]
- •Конструкция[править | править вики-текст]
- •Свойства катушки индуктивности[править | править вики-текст]
- •Области пространственного заряда[править | править вики-текст]
- •Выпрямительные свойства p-n перехода[править | править вики-текст]
- •7 Полупроводниковые диоды
- •Содержание
- •3Примечания
- •4Литература
- •5Ссылки Основные характеристики и параметры диодов[править | править вики-текст]
- •Классификация диодов[править | править вики-текст] Типы диодов по назначению[править | править вики-текст]
- •8 Выпрямительные диоды
- •Выпрямительный диод
- •Мостовая схема включения диодов[править | править вики-текст]
- •9 Стабилитроны Стабилитрон
- •Содержание
- •8Примечания
- •Терминология и классификация[править | править вики-текст]
- •Принцип действия[править | править вики-текст]
- •Производство[править | править вики-текст]
- •Области применения[править | править вики-текст]
- •10 Особые типы диодов Типы диодов[править | править вики-текст]
- •Ламповые диоды[править | править вики-текст]
- •Полупроводниковые диоды[править | править вики-текст]
- •Специальные типы диодов[править | править вики-текст]
- •Основные характеристики и параметры диодов[править | править вики-текст]
- •Классификация и система обозначений[править | править вики-текст]
- •Ссср[править | править вики-текст]
- •11 Биполярный транзистор Биполярный транзистор
- •Содержание
- •Устройство и принцип действия[править | править вики-текст]
- •Режимы работы биполярного транзистора[править | править вики-текст]
- •Инверсный активный режим[править | править вики-текст]
- •Режим насыщения[править | править вики-текст]
- •Режим отсечки[править | править вики-текст]
- •Барьерный режим[править | править вики-текст]
- •Схемы включения[править | править вики-текст]
- •Основные параметры[править | править вики-текст]
- •Биполярный свч-транзистор[править | править вики-текст]
- •12 Тиристоры
- •Содержание
- •Устройство и основные виды тиристоров[править | править вики-текст]
- •Вольт-амперная характеристика тиристора[править | править вики-текст]
- •Режимы работы триодного тиристора[править | править вики-текст] Режим обратного запирания[править | править вики-текст]
- •Режим прямого запирания[править | править вики-текст]
- •Двухтранзисторная модель тиристора[править | править вики-текст]
- •Режим прямой проводимости[править | править вики-текст]
- •Эффект dU/dt[править | править вики-текст]
- •Эффект di/dt[править | править вики-текст]
- •Классификация тиристоров[править | править вики-текст]
- •Отличие динистора от тринистора[править | править вики-текст]
- •Отличие тиристора триодного от запираемого тиристора[править | править вики-текст]
- •Симистор[править | править вики-текст]
- •Характеристики тиристоров[править | править вики-текст]
- •13 Полевые транзисторы Полевой транзистор
- •Содержание
- •5См. Также
- •6Примечания
- •7Литература История создания полевых транзисторов[править | править вики-текст]
- •Классификация полевых транзисторов[править | править вики-текст]
- •Транзисторы с управляющим p-n-переходом[править | править вики-текст]
- •Транзисторы с изолированным затвором (мдп-транзисторы)[править | править вики-текст]
- •Схемы включения полевых транзисторов[править | править вики-текст]
- •Области применения полевых транзисторов[править | править вики-текст]
- •14 Свето и фотоприборы
- •Содержание
- •10См. Также
- •11Примечания
- •12Ссылки Принцип работы[править | править вики-текст]
- •История[править | править вики-текст]
- •Характеристики[править | править вики-текст]
- •Светодиоды в электрической схеме[править | править вики-текст]
- •Содержание
- •3Литература
- •4Ссылки Классификация[править | править вики-текст]
- •Использование[править | править вики-текст]
- •Механическое воздействие[править | править вики-текст]
- •Гальваническая развязка[править | править вики-текст]
- •Оптопары[править | править вики-текст]
- •Свойства и характеристики оптопар[править | править вики-текст]
- •Шумы транзисторной оптопары[править | править вики-текст]
- •Типы оптореле[править | править вики-текст]
- •Примеры применения оптореле[править | править вики-текст]
- •Неэлектрическая передача[править | править вики-текст]
- •Содержание
- •4См. Также
- •5Примечания
- •6Литература Конструкция[править | править вики-текст]
- •Содержание
- •4См. Также
- •5Примечания Описание[править | править вики-текст]
- •Параметры и характеристики фотодиодов[править | править вики-текст]
- •Классификация[править | править вики-текст]
- •15 Уселительный каскад
- •Содержание
- •5См. Также
- •6Ссылки Описание[править | править вики-текст]
- •Простейший усилительный каскад с общим эмиттером[править | править вики-текст]
- •Режим работы каскада[править | править вики-текст]
- •Входное и выходное сопротивления каскада[править | править вики-текст]
- •Усиление сигнала[править | править вики-текст]
- •Усилительный каскад с общим эмиттером[править | править вики-текст]
- •Переключательный каскад с общим эмиттером[править | править вики-текст]
- •16) Усилительный каскад на полевом транзисторе
- •17) Операционный усилитель
- •История[править | править вики-текст]
- •Обозначения[править | править вики-текст]
- •Основы функционирования[править | править вики-текст]
- •Питание[править | править вики-текст]
- •Простейшее включение оу[править | править вики-текст]
- •Идеальный операционный усилитель[править | править вики-текст]
- •Простейший усилитель на оу[править | править вики-текст]
- •18) Схемы на операционных усилителях Схемы на операционных усилителях.
- •19) Избирательные уселители на оу
- •Електронные генераторы
18) Схемы на операционных усилителях Схемы на операционных усилителях.
Сразу
же переходим к делу, и первой схемой,
которую мы рассмотрим будет схемка,
позволяющая либо передать сигнал на
выход без изменений, либо инвертировать
его. В предыдущей статье мы обсуждали
принцип работы инвертора и повторителя,
а сейчас совместим их в одно устройство
Давайте разберемся, как это устройство работает. Пусть переключатель находится в режиме инвертора. Тогда на неинвертирующем входе будет напряжение: . А значит и . Определим, какое напряжение будет на выходе. При таком положении переключателя мы получаем обычный инвертирующий усилитель, а для него:
Получается, схема работает как инвертор. Пусть теперь переключатель в режиме повторителя. Тогда на неинвертирующем входе . Соответственно, и . Вход операционного усилителя ток не потребляет, тогда определим, какой ток протекает по цепи вход — R — R — выход:
.
Получаем, что , то есть сигнал на выходе повторяет сигнал на входе. Что и требовалось доказать =)
С этим разобрались, двигаемся дальше.
На ОУ можно сделать неплохой источник тока для заземленной нагрузки. Для этого необходимо включить в цепь транзистор следующим образом:
В этой схеме на резисторе из-за обратной связи будет падать напряжение, равное ( ). Соответственно, эмиттерный ток транзистора равен: . Вот и получается, что падение напряжения на резисторе порождает эмиттерный ток, который в свою очередь порождает ток в цепи коллектора, то есть выходной ток
Теперь у нас на очереди схема дифференциального усилителя. Что это вообще такое? А это такое устройство, напряжение на выходе которого пропорционально разности напряжений на входах. Вот схемка:
Давайте разбираться ) Подадим на вход 1 напряжение , а на вход 2 — . Тогда на неинвертирующем входе будет напряжение:
На инвертирующем входе будет точно такое же значение напряжения. Запишем выражения для тока , протекающего по цепи выход — — — вход 1:
Из этих выражений легко получаем значение выходного напряжения:
Вот и получили дифференциальный усилитель. Напряжение на выходе пропорционально разности напряжений на его входах.
Ну и еще одну схемку давайте сегодня рассмотрим — так называемый суммирующий усилитель. Его работа заключается в том, что напряжение на выходе равно сумме напряжений на входе. Как это реализовать? Да очень просто:
На неинвертирующем входе у нас , значит и . Все как и в предыдущих схемах ) Снова запишем выражение для протекающего тока:
Вот и получаем:
Получили суммирование? Получили! Значит все правильно, суммирующий усилитель суммирует
Разобрались мы с работой ОУ. На этом и заканчиваем сегодняшнее обсуждение!
19) Избирательные уселители на оу
В
обычных широкополосных усилителях
переменного тока стремятся получить
нижнюю граничную частоту fн как
можно меньше, а верхнюю fв —
как можно больше. В усилителях с емкостной
связью
.
В усилителях постоянного тока это
отношение стремится к бесконечности.
Избирательные
усилители, в отличие от широкополосных,
предназначены для усиления сигналов в
некоторой узкой полосе частот, т.е.
усиление у них избирательно по частоте.
Поэтому такие усилители можно отнести
к классу активных полосовых фильтров.
Избирательные усилители очень широко
используются в радиотехнике, телемеханике
и технике связи, где необходимо выделение
одного полезного сигнала из большого
количества совместно принимаемых
сигналов.
Избирательные усилители называют еще селективными.
Вид
частотной характеристики избирательного
усилителя показан на рис. 2.70. Как видно
из рисунка, максимальное усиление
обеспечивается на частоте селекции f0 и
уменьшается как при возрастании, так и
при уменьшении частоты. Нижняя fн и
верхняя fв граничные
частоты определяются как такие, на
которых усиление падает в
раз.
Отношение боковых частот
в
избирательных усилителях незначительно
больше 1 (1,001–1,1). Селективность усиления
оценивается добротностью:
Численное значение добротности на практике составляет от нескольких десятков до нескольких сотен. Чем выше добротность, а, следовательно, и избирательность усилителя, тем лучше можно отстроиться от помех и посторонних сигналов, но при этом возникает проблема обеспечения температурной и временной стабильности положения узкой полосы пропускания на частотной шкале.
Все
избирательные усилители можно разделить
на два класса: усилители с
частотно-избирательной нагрузкой и
усилители с частотно-избирательной
обратной связью. В первых, частотный
фильтр включается в прямую цепь усиления,
а во вторых — в цепь обратной связи.
На частотах свыше примерно 10–20 кГц наиболее применяемы избирательные усилители с частотно-избирательной нагрузкой в виде параллельного колебательного LC-контура, называемые еще резонансными. На низких частотах применение их ограничено в связи с ростом габаритов и массы индуктивности контура.
Схема резонансного усилителя показана на рис. 2.71. Связь колебательного контура с нагрузкой усилителя, которой обычно является сопротивление последующего каскада усиления, может быть трансформаторной, автотрансформаторной или емкостной через разделительный конденсатор, как это приведено на рисунке. Частотно-зависимый фильтр представляет собой параллельный колебательный контур, резонансная частота которого определяется значениями L и С:
На резонансной частоте сопротивление контура велико и коэффициент усиления каскада максимален. На низкой частоте увеличивается шунтирующее действие индуктивности, а на высокой — емкости, при этом усиление снижается. На резонансной частоте контур учитывается активным сопротивлением:
где
-
характеристическое сопротивление
контура, а r -
суммарное сопротивление потерь в
индуктивности и емкости.
Сопротивления R0 и r определяют добротность контура:
С
учетом транзистора и нагрузки на
переменном токе эквивалентное активное
сопротивление коллекторной нагрузки
будет:
Здесь rк(э) выходное
коллекторное сопротивление транзистора
в схеме ОЭ. При этом эквивалентная
добротность уменьшится по сравнению с
Q:
Вид частотных характеристик для различных значений добротности показан на рис. 2.72. На частотах 50 кГц–1 МГц значения Q могут достигать 200–250, а при использовании индуктивности с ферритовым сердечником — до 500. На частотах более 5 МГц значения добротности падают из-за влияния вихревых потерь в индуктивности и диэлектрических потерь в емкости.
Иногда
в резонансных усилителях для устранения
возможности самовозбуждения из-за
паразитных положительных обратных
связей включают RC-цепи между входом и
выходом для нейтрализации этих связей
на резонансной частоте.
При работе на низкоомную нагрузку для того, чтобы не шунтировать контур и не снижать добротность, выходное напряжение снимают с дополнительной обмотки (трансформатор) или от части витков этой же обмотки (автотрансформатор). При этом для получения большого приведенного сопротивления Rн¢ >> Rн применяют понижающие трансформаторы с большим коэффициентом трансформации.
В низкочастотном диапазоне спектра (до 10 кГц) узкополосные усилителя выполняют с обратными связями через частотно-зависимые RC-цепи. На рис. 2.73 показана структурная схема избирательного усилителя с частотно-зависимой обратной связью. Коэффициент передачи b пени обратной связи зависит от частоты и минимален на частоте селекции f0. На частотах, отличных от f0, действие отрицательной обратной связи уменьшает коэффициент усиления усилителя. Могут использоваться различные частотно-зависимые цепи. Наиболее часто употребляется цепь в виде двойного T-образного моста. Принципиальная схема избирательного усилителя на ОУ с двойным T-мостом показана на рис. 2.74. Значение частоты селекции определяется параметрами Т-моста:
Готовит за Вас
Покрытие Quantanium из настоящего камня! В подарок блендер topshoptv.com.ua 1 199 грн
|
Реакция как молния
Профессиональные геймерские мышки rozetka.ua от 160 грн
|
Надоели вредители?
Используйте отпугиватель вредителей Пест Репиллер! topshoptv.com.ua 539 грн
|
Наборы инструментов
Специальные акции в мае! Спешите заказать. rozetka.ua от 100 грн
|
Туризм, охота...
Нож - незаменимая вещь! Заказать rozetka.ua
|
Коэффициент
усиления усилителя
зависит
от частоты таким образом, что
при f = f0 когда b =
0, значение его максимально и значительно
больше единицы, а при очень низких и
очень высоких частотах, когда b =
1, значение его минимально и приближается
к единичному.
Избирательность
усилителя определяется эквивалентной
добротностью
и
тем больше, чем больше коэффициент
усиления усилителя и чем больше
добротностьQRC двойного
Т-моста. Поэтому даже при небольшой
добротности моста можно получить высокую
избирательность усилителя, если выбрать
усилительный элемент (в нашем случае
ОУ) с большим усилением.
