- •1 Резисторы
- •Содержание
- •Основные характеристики и параметры резисторов[править | править вики-текст]
- •2 Конденсатор
- •Содержание
- •История[править | править вики-текст]
- •Конструкция конденсатора[править | править вики-текст]
- •Свойства конденсатора[править | править вики-текст]
- •Обозначение конденсаторов на схемах[править | править вики-текст]
- •Характеристики конденсаторов[править | править вики-текст] Основные параметры[править | править вики-текст] Ёмкость[править | править вики-текст]
- •Удельная ёмкость[править | править вики-текст]
- •Плотность энергии[править | править вики-текст]
- •Номинальное напряжение[править | править вики-текст]
- •Полярность[править | править вики-текст]
- •Опасность разрушения (взрыва)[править | править вики-текст]
- •Паразитные параметры[править | править вики-текст]
- •Электрическое сопротивление изоляции диэлектрика конденсатора, поверхностные утечки Rd и саморазряд[править | править вики-текст]
- •Эквивалентное последовательное сопротивление — Rs[править | править вики-текст]
- •Эквивалентная последовательная индуктивность — Li[править | править вики-текст]
- •Тангенс угла диэлектрических потерь
- •Температурный коэффициент ёмкости (тке)[править | править вики-текст]
- •Диэлектрическая абсорбция[править | править вики-текст]
- •Паразитный пьезоэффект[править | править вики-текст]
- •Самовосстановление[править | править вики-текст]
- •Классификация конденсаторов[править | править вики-текст]
- •3 Малогабаритные реле
- •4 Катушка индуктивности
- •Терминология[править | править вики-текст]
- •Конструкция[править | править вики-текст]
- •Свойства катушки индуктивности[править | править вики-текст]
- •Области пространственного заряда[править | править вики-текст]
- •Выпрямительные свойства p-n перехода[править | править вики-текст]
- •7 Полупроводниковые диоды
- •Содержание
- •3Примечания
- •4Литература
- •5Ссылки Основные характеристики и параметры диодов[править | править вики-текст]
- •Классификация диодов[править | править вики-текст] Типы диодов по назначению[править | править вики-текст]
- •8 Выпрямительные диоды
- •Выпрямительный диод
- •Мостовая схема включения диодов[править | править вики-текст]
- •9 Стабилитроны Стабилитрон
- •Содержание
- •8Примечания
- •Терминология и классификация[править | править вики-текст]
- •Принцип действия[править | править вики-текст]
- •Производство[править | править вики-текст]
- •Области применения[править | править вики-текст]
- •10 Особые типы диодов Типы диодов[править | править вики-текст]
- •Ламповые диоды[править | править вики-текст]
- •Полупроводниковые диоды[править | править вики-текст]
- •Специальные типы диодов[править | править вики-текст]
- •Основные характеристики и параметры диодов[править | править вики-текст]
- •Классификация и система обозначений[править | править вики-текст]
- •Ссср[править | править вики-текст]
- •11 Биполярный транзистор Биполярный транзистор
- •Содержание
- •Устройство и принцип действия[править | править вики-текст]
- •Режимы работы биполярного транзистора[править | править вики-текст]
- •Инверсный активный режим[править | править вики-текст]
- •Режим насыщения[править | править вики-текст]
- •Режим отсечки[править | править вики-текст]
- •Барьерный режим[править | править вики-текст]
- •Схемы включения[править | править вики-текст]
- •Основные параметры[править | править вики-текст]
- •Биполярный свч-транзистор[править | править вики-текст]
- •12 Тиристоры
- •Содержание
- •Устройство и основные виды тиристоров[править | править вики-текст]
- •Вольт-амперная характеристика тиристора[править | править вики-текст]
- •Режимы работы триодного тиристора[править | править вики-текст] Режим обратного запирания[править | править вики-текст]
- •Режим прямого запирания[править | править вики-текст]
- •Двухтранзисторная модель тиристора[править | править вики-текст]
- •Режим прямой проводимости[править | править вики-текст]
- •Эффект dU/dt[править | править вики-текст]
- •Эффект di/dt[править | править вики-текст]
- •Классификация тиристоров[править | править вики-текст]
- •Отличие динистора от тринистора[править | править вики-текст]
- •Отличие тиристора триодного от запираемого тиристора[править | править вики-текст]
- •Симистор[править | править вики-текст]
- •Характеристики тиристоров[править | править вики-текст]
- •13 Полевые транзисторы Полевой транзистор
- •Содержание
- •5См. Также
- •6Примечания
- •7Литература История создания полевых транзисторов[править | править вики-текст]
- •Классификация полевых транзисторов[править | править вики-текст]
- •Транзисторы с управляющим p-n-переходом[править | править вики-текст]
- •Транзисторы с изолированным затвором (мдп-транзисторы)[править | править вики-текст]
- •Схемы включения полевых транзисторов[править | править вики-текст]
- •Области применения полевых транзисторов[править | править вики-текст]
- •14 Свето и фотоприборы
- •Содержание
- •10См. Также
- •11Примечания
- •12Ссылки Принцип работы[править | править вики-текст]
- •История[править | править вики-текст]
- •Характеристики[править | править вики-текст]
- •Светодиоды в электрической схеме[править | править вики-текст]
- •Содержание
- •3Литература
- •4Ссылки Классификация[править | править вики-текст]
- •Использование[править | править вики-текст]
- •Механическое воздействие[править | править вики-текст]
- •Гальваническая развязка[править | править вики-текст]
- •Оптопары[править | править вики-текст]
- •Свойства и характеристики оптопар[править | править вики-текст]
- •Шумы транзисторной оптопары[править | править вики-текст]
- •Типы оптореле[править | править вики-текст]
- •Примеры применения оптореле[править | править вики-текст]
- •Неэлектрическая передача[править | править вики-текст]
- •Содержание
- •4См. Также
- •5Примечания
- •6Литература Конструкция[править | править вики-текст]
- •Содержание
- •4См. Также
- •5Примечания Описание[править | править вики-текст]
- •Параметры и характеристики фотодиодов[править | править вики-текст]
- •Классификация[править | править вики-текст]
- •15 Уселительный каскад
- •Содержание
- •5См. Также
- •6Ссылки Описание[править | править вики-текст]
- •Простейший усилительный каскад с общим эмиттером[править | править вики-текст]
- •Режим работы каскада[править | править вики-текст]
- •Входное и выходное сопротивления каскада[править | править вики-текст]
- •Усиление сигнала[править | править вики-текст]
- •Усилительный каскад с общим эмиттером[править | править вики-текст]
- •Переключательный каскад с общим эмиттером[править | править вики-текст]
- •16) Усилительный каскад на полевом транзисторе
- •17) Операционный усилитель
- •История[править | править вики-текст]
- •Обозначения[править | править вики-текст]
- •Основы функционирования[править | править вики-текст]
- •Питание[править | править вики-текст]
- •Простейшее включение оу[править | править вики-текст]
- •Идеальный операционный усилитель[править | править вики-текст]
- •Простейший усилитель на оу[править | править вики-текст]
- •18) Схемы на операционных усилителях Схемы на операционных усилителях.
- •19) Избирательные уселители на оу
- •Електронные генераторы
Вольт-амперная характеристика тиристора[править | править вики-текст]
Рис. 2. Вольт-амперная характеристика тиристора
Типичная ВАХ тиристора, проводящего в одном направлении (с управляющими электродами или без них), приведена на рис. 2. Описание ВАХ:
кривая ВАХ на участке, ограниченном прямоугольником с координатами вершин (0;0) и (Vвo;IL) (нижняя ветвь), соответствует высокому сопротивлению прибора (прямому запиранию прибора);
точка (Vвo;IL) соответствует моменту включения тиристора (переключению динистора во включённое состояние);
кривая ВАХ на участке, ограниченном прямоугольником с координатами вершин (Vвo;IL) и (Vн;Iн), соответствует переключению прибора во включённое состояние (неустойчивая область). Судя по тому, что кривая имеет S‑образную форму, можно сделать вывод о том, что сопротивление тиристора отрицательное дифференциальное. Когда разность потенциалов между анодом и катодом тиристора прямой полярности превысит величину Vн, произойдёт отпирание тиристора (динисторный эффект);
кривая ВАХ от точки с координатами (Vн;Iн) и выше соответствует открытому состоянию прибора (прямой проводимости);
на графике показаны ВАХ с разными токами управления IG (токами на управляющем электроде тиристора): IG=0; IG>0; IG>>0. Чем больше ток IG, тем при меньшем напряжении Vвo происходит переключение тиристора в проводящее состояние;
пунктиром обозначена кривая ВАХ, соответствующая протеканию в цепи тока IG>>0 — так называемого «тока включения спрямления». При таком токе тиристор переходит в проводящее состояние при минимальной разности потенциалов между анодом и катодом. Для перевода тиристора в непроводящее состояние необходимо снизить ток в цепи анод-катод ниже тока включения спрямления;
кривая ВАХ на участке от VBR до 0 соответствует режиму обратного запирания прибора;
кривая ВАХ на участке от -∞ до VBR соответствует режиму обратного пробоя.
Вольтамперная характеристика симметричных тиристоров отличается от приведённой на рис. 2 тем, что кривая в третьей четверти графика повторяетучастки 0‑3[прояснить] симметрично относительно начала координат.
По типу нелинейности ВАХ тиристор относят к S-приборам.
Режимы работы триодного тиристора[править | править вики-текст] Режим обратного запирания[править | править вики-текст]
Рис. 3. Режим обратного запирания тиристора
Два основных фактора ограничивают режим обратного пробоя и прямого пробоя:
лавинный пробой;
прокол обеднённой области.
В режиме обратного запирания к аноду прибора приложено напряжение, отрицательное по отношению к катоду; переходы J1 и J3 смещены в обратном направлении, а переход J2 смещён в прямом (см. рис. 3). В этом случае большая часть приложенного напряжения падает на одном из переходов J1 или J3 (в зависимости от степени легирования различных областей). Пусть это будет переход J1. В зависимости от толщины Wn1 слоя n1 пробой вызывается лавинным умножением (толщина обеднённой области при пробое меньше Wn1) либо проколом (обеднённый слой распространяется на всю область n1, и происходит смыкание переходов J1 и J2).
