- •1 Резисторы
- •Содержание
- •Основные характеристики и параметры резисторов[править | править вики-текст]
- •2 Конденсатор
- •Содержание
- •История[править | править вики-текст]
- •Конструкция конденсатора[править | править вики-текст]
- •Свойства конденсатора[править | править вики-текст]
- •Обозначение конденсаторов на схемах[править | править вики-текст]
- •Характеристики конденсаторов[править | править вики-текст] Основные параметры[править | править вики-текст] Ёмкость[править | править вики-текст]
- •Удельная ёмкость[править | править вики-текст]
- •Плотность энергии[править | править вики-текст]
- •Номинальное напряжение[править | править вики-текст]
- •Полярность[править | править вики-текст]
- •Опасность разрушения (взрыва)[править | править вики-текст]
- •Паразитные параметры[править | править вики-текст]
- •Электрическое сопротивление изоляции диэлектрика конденсатора, поверхностные утечки Rd и саморазряд[править | править вики-текст]
- •Эквивалентное последовательное сопротивление — Rs[править | править вики-текст]
- •Эквивалентная последовательная индуктивность — Li[править | править вики-текст]
- •Тангенс угла диэлектрических потерь
- •Температурный коэффициент ёмкости (тке)[править | править вики-текст]
- •Диэлектрическая абсорбция[править | править вики-текст]
- •Паразитный пьезоэффект[править | править вики-текст]
- •Самовосстановление[править | править вики-текст]
- •Классификация конденсаторов[править | править вики-текст]
- •3 Малогабаритные реле
- •4 Катушка индуктивности
- •Терминология[править | править вики-текст]
- •Конструкция[править | править вики-текст]
- •Свойства катушки индуктивности[править | править вики-текст]
- •Области пространственного заряда[править | править вики-текст]
- •Выпрямительные свойства p-n перехода[править | править вики-текст]
- •7 Полупроводниковые диоды
- •Содержание
- •3Примечания
- •4Литература
- •5Ссылки Основные характеристики и параметры диодов[править | править вики-текст]
- •Классификация диодов[править | править вики-текст] Типы диодов по назначению[править | править вики-текст]
- •8 Выпрямительные диоды
- •Выпрямительный диод
- •Мостовая схема включения диодов[править | править вики-текст]
- •9 Стабилитроны Стабилитрон
- •Содержание
- •8Примечания
- •Терминология и классификация[править | править вики-текст]
- •Принцип действия[править | править вики-текст]
- •Производство[править | править вики-текст]
- •Области применения[править | править вики-текст]
- •10 Особые типы диодов Типы диодов[править | править вики-текст]
- •Ламповые диоды[править | править вики-текст]
- •Полупроводниковые диоды[править | править вики-текст]
- •Специальные типы диодов[править | править вики-текст]
- •Основные характеристики и параметры диодов[править | править вики-текст]
- •Классификация и система обозначений[править | править вики-текст]
- •Ссср[править | править вики-текст]
- •11 Биполярный транзистор Биполярный транзистор
- •Содержание
- •Устройство и принцип действия[править | править вики-текст]
- •Режимы работы биполярного транзистора[править | править вики-текст]
- •Инверсный активный режим[править | править вики-текст]
- •Режим насыщения[править | править вики-текст]
- •Режим отсечки[править | править вики-текст]
- •Барьерный режим[править | править вики-текст]
- •Схемы включения[править | править вики-текст]
- •Основные параметры[править | править вики-текст]
- •Биполярный свч-транзистор[править | править вики-текст]
- •12 Тиристоры
- •Содержание
- •Устройство и основные виды тиристоров[править | править вики-текст]
- •Вольт-амперная характеристика тиристора[править | править вики-текст]
- •Режимы работы триодного тиристора[править | править вики-текст] Режим обратного запирания[править | править вики-текст]
- •Режим прямого запирания[править | править вики-текст]
- •Двухтранзисторная модель тиристора[править | править вики-текст]
- •Режим прямой проводимости[править | править вики-текст]
- •Эффект dU/dt[править | править вики-текст]
- •Эффект di/dt[править | править вики-текст]
- •Классификация тиристоров[править | править вики-текст]
- •Отличие динистора от тринистора[править | править вики-текст]
- •Отличие тиристора триодного от запираемого тиристора[править | править вики-текст]
- •Симистор[править | править вики-текст]
- •Характеристики тиристоров[править | править вики-текст]
- •13 Полевые транзисторы Полевой транзистор
- •Содержание
- •5См. Также
- •6Примечания
- •7Литература История создания полевых транзисторов[править | править вики-текст]
- •Классификация полевых транзисторов[править | править вики-текст]
- •Транзисторы с управляющим p-n-переходом[править | править вики-текст]
- •Транзисторы с изолированным затвором (мдп-транзисторы)[править | править вики-текст]
- •Схемы включения полевых транзисторов[править | править вики-текст]
- •Области применения полевых транзисторов[править | править вики-текст]
- •14 Свето и фотоприборы
- •Содержание
- •10См. Также
- •11Примечания
- •12Ссылки Принцип работы[править | править вики-текст]
- •История[править | править вики-текст]
- •Характеристики[править | править вики-текст]
- •Светодиоды в электрической схеме[править | править вики-текст]
- •Содержание
- •3Литература
- •4Ссылки Классификация[править | править вики-текст]
- •Использование[править | править вики-текст]
- •Механическое воздействие[править | править вики-текст]
- •Гальваническая развязка[править | править вики-текст]
- •Оптопары[править | править вики-текст]
- •Свойства и характеристики оптопар[править | править вики-текст]
- •Шумы транзисторной оптопары[править | править вики-текст]
- •Типы оптореле[править | править вики-текст]
- •Примеры применения оптореле[править | править вики-текст]
- •Неэлектрическая передача[править | править вики-текст]
- •Содержание
- •4См. Также
- •5Примечания
- •6Литература Конструкция[править | править вики-текст]
- •Содержание
- •4См. Также
- •5Примечания Описание[править | править вики-текст]
- •Параметры и характеристики фотодиодов[править | править вики-текст]
- •Классификация[править | править вики-текст]
- •15 Уселительный каскад
- •Содержание
- •5См. Также
- •6Ссылки Описание[править | править вики-текст]
- •Простейший усилительный каскад с общим эмиттером[править | править вики-текст]
- •Режим работы каскада[править | править вики-текст]
- •Входное и выходное сопротивления каскада[править | править вики-текст]
- •Усиление сигнала[править | править вики-текст]
- •Усилительный каскад с общим эмиттером[править | править вики-текст]
- •Переключательный каскад с общим эмиттером[править | править вики-текст]
- •16) Усилительный каскад на полевом транзисторе
- •17) Операционный усилитель
- •История[править | править вики-текст]
- •Обозначения[править | править вики-текст]
- •Основы функционирования[править | править вики-текст]
- •Питание[править | править вики-текст]
- •Простейшее включение оу[править | править вики-текст]
- •Идеальный операционный усилитель[править | править вики-текст]
- •Простейший усилитель на оу[править | править вики-текст]
- •18) Схемы на операционных усилителях Схемы на операционных усилителях.
- •19) Избирательные уселители на оу
- •Електронные генераторы
Обозначение конденсаторов на схемах[править | править вики-текст]
В России для условных графических обозначений конденсаторов на схемах рекомендуется использовать ГОСТ 2.728-74[5] либо стандарту международной ассоциацииIEEE 315—1975:
Обозначение по ГОСТ 2.728-74 |
Описание |
|
Конденсатор постоянной ёмкости |
|
Поляризованный (полярный) конденсатор |
|
Подстроечный конденсатор переменной ёмкости |
|
Варикап |
На электрических принципиальных схемах номинальная ёмкость конденсаторов обычно указывается в микрофарадах (1 мкФ = 1·106 пФ = 1·10−6 Ф) и пикофарадах (1 пФ = 1·10−12 Ф), но нередко и в нанофарадах (1 нФ = 1·10−9 Ф). При ёмкости не более 0,01 мкФ, ёмкость конденсатора указывают в пикофарадах, при этом допустимо не указывать единицу измерения, то есть постфикс «пФ» опускают. При обозначении номинала ёмкости в других единицах указывают единицу измерения. Для электролитических конденсаторов, а также для высоковольтных конденсаторов на схемах, после обозначения номинала ёмкости, указывают их максимальное рабочее напряжение в вольтах (В) или киловольтах (кВ). Например так: «10 мкФ x 10 В». Для переменных конденсаторовуказывают диапазон изменения ёмкости, например так: «10 — 180». В настоящее время изготавливаются конденсаторы с номинальными ёмкостями из десятичнологарифмических рядов значений Е3, Е6, Е12, Е24, то есть на одну декаду приходится 3, 6, 12, 24 значения, так, чтобы значения с соответствующим допуском (разбросом) перекрывали всю декаду.
Характеристики конденсаторов[править | править вики-текст] Основные параметры[править | править вики-текст] Ёмкость[править | править вики-текст]
Основной характеристикой конденсатора является его ёмкость, характеризующая способность конденсатора накапливать электрический заряд. В обозначении конденсатора фигурирует значение номинальной ёмкости, в то время как реальная ёмкость может значительно меняться в зависимости от многих факторов. Реальная ёмкость конденсатора определяет его электрические свойства. Так, по определению ёмкости, заряд на обкладке пропорционален напряжению между обкладками (q = CU). Типичные значения ёмкости конденсаторов составляют от единиц пикофарад до тысяч микрофарад. Однако существуют конденсаторы (ионисторы) с ёмкостью до десятков фарад.
Ёмкость плоского конденсатора, состоящего из двух параллельных металлических пластин площадью S каждая, расположенных на расстоянии d друг от друга, в системеСИ выражается формулой {\displaystyle \scriptstyle C={\tfrac {\varepsilon \varepsilon _{0}S}{d}}} , где {\displaystyle \scriptstyle \varepsilon } — диэлектрическая проницаемость среды, заполняющая пространство между пластинами (в вакууме равна единице), {\displaystyle \scriptstyle \varepsilon _{0}} —электрическая постоянная, численно равная 8,854187817·10−12 Ф/м. Эта формула справедлива, лишь когда d намного меньше линейных размеров пластин.
Для получения больших ёмкостей конденсаторы соединяют параллельно. При этом напряжение между обкладками всех конденсаторов одинаково. Общая ёмкость батареи параллельно соединённых конденсаторов равна сумме ёмкостей всех конденсаторов, входящих в батарею.
{\displaystyle \scriptstyle C=\sum _{i=1}^{N}C_{i}} или {\displaystyle \scriptstyle C=C_{1}+C_{2}+...+C_{n}.}
Если у всех параллельно соединённых конденсаторов расстояние между обкладками и свойства диэлектрика одинаковы, то эти конденсаторы можно представить как один большой конденсатор, разделённый на фрагменты меньшей площади.
При последовательном соединении конденсаторов заряды всех конденсаторов одинаковы, так как от источника питания они поступают только на внешние электроды, а на внутренних электродах они получаются только за счёт разделения зарядов, ранее нейтрализовавших друг друга. Общая ёмкость батареи последовательносоединённых конденсаторов равна
{\displaystyle \scriptstyle C={\tfrac {1}{\sum _{i=1}^{N}1/C_{i}}}} или {\displaystyle \scriptstyle {\tfrac {1}{C}}={\tfrac {1}{C_{1}}}+{\tfrac {1}{C_{2}}}+...+{\tfrac {1}{C_{n}}}.}
Эта ёмкость всегда меньше минимальной ёмкости конденсатора, входящего в батарею. Однако при последовательном соединении уменьшается возможность пробояконденсаторов, так как на каждый конденсатор приходится лишь часть разницы потенциалов источника напряжения.
Если площадь обкладок всех конденсаторов, соединённых последовательно, одинакова, то эти конденсаторы можно представить в виде одного большого конденсатора, между обкладками которого находится стопка из пластин диэлектрика всех составляющих его конденсаторов.
