Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
220401_Маг_КФП_РПП_Учебн_практика_Практика_по_получ_перв_ФГОС_3+_студентам.doc
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
120.32 Кб
Скачать

Учебно-методическое и информационное обеспечение учебной практики

Часть 2.

а) основная литература:

  1. Твердотельная электроника [Электронный ресурс] : учебное пособие / Легостаев Н. С. - Томск : Эль Контент, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2011. - 244 с. - ISBN 978-5-4332-0021-0 Книга находится в базовой версии ЭБС IPRbooks.

  2. Основы полупроводниковой электроники [Электронный ресурс]: учебное пособие / Игумнов Д. В. - Москва : Горячая линия - Телеком, 2011. - 394 с. - ISBN 978-5-9912-0180-3 Книга находится в базовой версии ЭБС IPRbooks.

б) дополнительная литература:

  1. Электроника [Текст] : учеб. пособие / А. А. Щука. - 2-е изд. - Санкт-Петербург : БХВ-Петербург, 2008. - 739, [1] с. : граф., ил. - (Учебная литература для вузов). - Библиогр. в конце разд. - Предм. указ.: с. 731-739. - ISBN 978-5-9775-0160-6 (в пер.) (Учебная литература, A916218-ОХФ, A916219-ОХФ-ЧЗ-4.)

  2. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. - 9-е изд., стер. - СП.б.: Лань, 2009. – 480 с. (в ЗНБ СГУ 134 экз.)

  3. Зегря Г.Г., Перель В.И. Основы физики полупроводников. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2009. – 336 с. (в ЗНБ СГУ 30 экз.)

  4. Гаман В.И. Физика полупроводниковых приборов: Учебное пособие. – Томск: Изд-во НТЛ, 2000. – 426 с.

в) программное обеспечение и Интернет-ресурсы

  1. Windows XP Prof

  2. Антивирус Касперского 6.0 для Windows Workstations

  3. Microsoft Office профессиональный 2010

  4. Каталог образовательных Интернет-ресурсов. – Режим доступа: http://window.edu.ru/window/

  5. Зональная научная библиотека им. В.А.Артисевич Саратовского государственного университета им.Н.Г.Чернышевского. – Режим доступа: http://library.sgu.ru/

г) рекомендуемая литература:

  1. Neumann A. Slow domains in semi-insulating GaAs // J. Appl. Phys. 2001. V. 90. № 1. P. 1–26.

  2. Левинштейн М.Е., Пожела Ю.К., Шур М.С. Эффект Ганна. – М.: Сов. радио, 1975. – 288 C.

  3. Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. – М.: Мир, 1977. – 562 С.

  4. Шур М.С. Современные приборы на основе арсенида галлия. Пер. с англ. – М.: Мир, 1991. – 632 с.

  5. Михайлов А.И., Митин А.В. Анализ нелинейной динамики тока в длинных высокоомных образцах n-GaAs в условиях локальной засветки. Часть 1. Формулировка модели // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. – 2007. – Т. 10. – № 2. – С. 49-56. (120 C.)

ISSN 1810-3189

  1. Михайлов А.И., Митин А.В. Анализ нелинейной динамики тока в длинных высокоомных образцах n-GaAs в условиях локальной засветки. Часть 2. Результаты моделирования // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. – 2010. – Т. 13. – № 1. – С. 73-81.

ISSN 1810-3189

  1. Михайлов А.И., Митин А.В., Терентьева А.И. Особенности проявления ганновской и рекомбинационной неустойчивостей тока в высокоомных полупроводниках в условиях оптического воздействия // Полупроводниковая электроника и молекулярные нанотехнологии: Сборник статей / Под общей редакцией проф. А.И. Михайлова. – Саратов: Издательский центр «Наука», 2013. – С 130-153.(304 с.)

ISBN 978-5-9999-1719-5

Вся указанная литература имеется в ЗНБ СГУ и на кафедре физики полупроводников СГУ.

7

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]