Содержание практики

Часть 2.

1. Особенности проявления ганновской и рекомбинационной неустойчивостей тока в высокоомных многодолинных полупроводниках (в том числе в условиях однородного или локализованного оптического воздействия) и перспективы их применения в функциональной электронике (подготовка обзора литературы).

2. Теоретический анализ физических механизмов развития неустойчивостей тока в структурах на основе высокоомных многодолинных полупроводников (междолинный перенос электронов; захват в сильном электрическом поле электронов глубокими примесными уровнями).

3. Математическое моделирование нелинейной динамики носителей заряда в длинных структурах на основе высокоомного арсенида галлия n-типа, в том числе, в условиях локализованной засветки (физическая и математическая формулировка модели, проведение серии численных экспериментов, анализ полученных результатов).

4. Экспериментальное исследование особенностей устойчивых низкочастотных колебаний тока большой амплитуды в длинных высокоомных планарно-эпитаксиальных структурах на основе n-GaAs (ознакомление с экспериментальной установкой, методикой проведения эксперимента, технологией изготовления структур, участие в проведении исследования, анализ полученных результатов).

5. Подготовка отчета о проделанной работе (литературный обзор, теоретическая часть, анализ результатов численных и натурных экспериментов).

Формы промежуточной аттестации (по итогам практики)

Промежуточная аттестация по учебной практике «Практика по получению первичных профессиональных умений и навыков» проводится в последнюю неделю каждой из двух частей практики в форме зачета (1 семестр) и в форме зачета с оценкой (2 семестр) по результатам подготовки и защиты отчета по практике.

Примерная тематика лабораторных занятий

Часть 2.

1. Знакомство с техникой безопасности и оборудованием исследовательской лаборатории кафедры физики полупроводников.

2. Ознакомление с задачами исследований и методикой их проведения.

3. Подбор данных для проведения теоретических расчетов и изучение теоретической модели. Проведение расчетов и оформление их результатов в виде таблиц и графиков.

4. Подготовка образцов для экспериментального исследования. Подготовка и настройка установки.

5. Проведение экспериментальных исследований и оформление их результатов в виде таблиц и графиков.

6. Анализ полученных результатов, подготовка и защита отчета по практике.

Часть 2.

1. Междолинный перенос электронов в многодолинных полупроводниках (эффект Ганна).

2. Механизмы развития рекомбинационной неустойчивости тока в широкозонных полупроводниках.

3. Захват в сильном электрическом поле электронов глубокими примесными уровнями.

4. Особенности проявления ганновской и рекомбинационной неустойчивостей тока в высокоомных многодолинных полупроводниках (в том числе в условиях однородного или локализованного оптического воздействия).

5. Перспективы применения указанных неустойчивостей в функциональной электронике.

6. Математическая формулировка уравнений модели нелинейной динамики носителей заряда в длинных структурах на основе высокоомного арсенида галлия n-типа, в том числе, в условиях локализованной засветки.

7. Методика экспериментального исследования особенностей устойчивых низкочастотных колебаний тока большой амплитуды в длинных высокоомных планарно-эпитаксиальных структурах на основе n-GaAs.

8. Технология изготовления исследуемых структур.

Промежуточная аттестация проводится в форме зачета (1 семестр) и зачета с оценкой (2 семестр) по итогам защиты отчета по практике.