Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
АПТЭ_Гусев_2015.doc
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
143.87 Кб
Скачать

Экзаменационный билет № 19

1. Выходная характеристика БТ в схеме ОБ. Эффект Эрли.

2. Пути повышения быстродействия БТ в импульсных схемах.

Утверждено на заседании

кафедры ___Радиоэлектроники и телекоммуникаций_______________________

Протокол № 3 от „ 31” марта 2015 года

Заведующий кафедрой РТ ____________________ ___ Гимпилевич Ю.Б. _

(подпись) (фамилия инициалы)

Экзаменатор ___________________ ___ Гусев В.А.______

( подпись) (фамилия инициалы)

Форма № Н-5.05

Севастопольский государственный университет

Образовательно-квалификационный уровень _бакалавр_______________________________

Направление подготовки ___11.03.04 – Электроника и наноэлектроника_________________

Специальность_____________________________________Семестр__6___________________

(название)

Учебная дисциплина __Актуальные проблемы твердотельной электроники_________________

Экзаменационный билет № 20

1.Составные транзисторы по схеме Шиклаи и Дарлингтона.

2. Латеральный транзистор. Канальный SIT транзистор.

Утверждено на заседании

кафедры ___Радиоэлектроники и телекоммуникаций_______________________

Протокол № 3 от „ 31” марта 2015 года

Заведующий кафедрой РТ ____________________ ___ Гимпилевич Ю.Б. _

(подпись) (фамилия инициалы)

Экзаменатор ___________________ ___ Гусев В.А.______

( подпись) (фамилия инициалы)

Форма № Н-5.05

Севастопольский государственный университет

Образовательно-квалификационный уровень _бакалавр_______________________________

Направление подготовки ___11.03.04 – Электроника и наноэлектроника_________________

Специальность_____________________________________Семестр__6___________________

(название)

Учебная дисциплина __Актуальные проблемы твердотельной электроники_________________

Экзаменационный билет № 21

1. Зависимость коэффициента усиления тока В от тока и напряжения коллектора.

2. Напряжение плоских зон UFB и пороговое напряжение МДП-транзистора.

Утверждено на заседании

кафедры ___Радиоэлектроники и телекоммуникаций_______________________

Протокол № 3 от „ 31” марта 2015 года

Заведующий кафедрой РТ ____________________ ___ Гимпилевич Ю.Б. _

(подпись) (фамилия инициалы)

Экзаменатор ___________________ ___ Гусев В.А.______

( подпись) (фамилия инициалы)