- •Экзаменационный билет № 1
- •Экзаменационный билет № 2
- •Экзаменационный билет № 3
- •Экзаменационный билет № 4
- •Экзаменационный билет № 5
- •Экзаменационный билет № 6
- •Экзаменационный билет № 7
- •Экзаменационный билет № 8
- •Экзаменационный билет № 9
- •Экзаменационный билет № 10
- •Экзаменационный билет № 11
- •Экзаменационный билет № 12
- •Экзаменационный билет № 13
- •Экзаменационный билет № 14
- •Экзаменационный билет № 15
- •Экзаменационный билет № 16
- •Экзаменационный билет № 17
- •Экзаменационный билет № 18
- •Экзаменационный билет № 19
- •Экзаменационный билет № 20
- •Экзаменационный билет № 21
Экзаменационный билет № 10
1. Зависимость коэффициента усиления тока базы В от тока и напряжения коллектора.
2. Передаточные характеристики полевых транзисторов: канальных НО и НЗ, МДП с индуцированным и встроенным каналом.
Утверждено на заседании
кафедры ___Радиоэлектроники и телекоммуникаций_______________________
Протокол № 3 от „ 31” марта 2015 года
Заведующий кафедрой РТ ____________________ ___ Гимпилевич Ю.Б. _
(подпись) (фамилия инициалы)
Экзаменатор ___________________ ___ Гусев В.А.______
( подпись) (фамилия инициалы)
Форма № Н-5.05
Севастопольский государственный университет
Образовательно-квалификационный уровень _бакалавр_______________________________
Направление подготовки ___11.03.04 – Электроника и наноэлектроника_________________
Специальность_____________________________________Семестр__6___________________
(название)
Учебная дисциплина __Актуальные проблемы твердотельной электроники_________________
Экзаменационный билет № 11
1. Б.Т. Входная, выходная, передаточная и характеристика обратной связи по напряжению в схеме ОБ.
2. SIT транзистор и SITh – тиристор.
Утверждено на заседании
кафедры ___Радиоэлектроники и телекоммуникаций_______________________
Протокол № 3 от „ 31” марта 2015 года
Заведующий кафедрой РТ ____________________ ___ Гимпилевич Ю.Б. _
(подпись) (фамилия инициалы)
Экзаменатор ___________________ ___ Гусев В.А.______
( подпись) (фамилия инициалы)
Форма № Н-5.05
Севастопольский государственный университет
Образовательно-квалификационный уровень _бакалавр_______________________________
Направление подготовки ___11.03.04 – Электроника и наноэлектроника_________________
Специальность_____________________________________Семестр__6___________________
(название)
Учебная дисциплина __Актуальные проблемы твердотельной электроники_________________
Экзаменационный билет № 12
1. Импульсные характеристики биполярного транзистора. Насыщенный и ненасыщенный ключи.
2. Передаточная и выходная ВАХ канального транзистора с управляющим p-n переходом.
Утверждено на заседании
кафедры ___Радиоэлектроники и телекоммуникаций_______________________
Протокол № 3 от „ 31” марта 2015 года
Заведующий кафедрой РТ ____________________ ___ Гимпилевич Ю.Б. _
(подпись) (фамилия инициалы)
Экзаменатор ___________________ ___ Гусев В.А.______
( подпись) (фамилия инициалы)
Форма № Н-5.05
Севастопольский государственный университет
Образовательно-квалификационный уровень _бакалавр_______________________________
Направление подготовки ___11.03.04 – Электроника и наноэлектроника_________________
Специальность_____________________________________Семестр__6___________________
(название)
Учебная дисциплина __Актуальные проблемы твердотельной электроники_________________
