Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
АПТЭ_Гусев_2015.doc
Скачиваний:
1
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
144 Кб
Скачать
☆

Экзаменационный билет № 10

1. Зависимость коэффициента усиления тока базы В от тока и напряжения коллектора.

2. Передаточные характеристики полевых транзисторов: канальных НО и НЗ, МДП с индуцированным и встроенным каналом.

Утверждено на заседании

кафедры ___Радиоэлектроники и телекоммуникаций_______________________

Протокол № 3 от „ 31” марта 2015 года

Заведующий кафедрой РТ ____________________ ___ Гимпилевич Ю.Б. _

(подпись) (фамилия инициалы)

Экзаменатор ___________________ ___ Гусев В.А.______

( подпись) (фамилия инициалы)

Форма № Н-5.05

Севастопольский государственный университет

Образовательно-квалификационный уровень _бакалавр_______________________________

Направление подготовки ___11.03.04 – Электроника и наноэлектроника_________________

Специальность_____________________________________Семестр__6___________________

(название)

Учебная дисциплина __Актуальные проблемы твердотельной электроники_________________

Экзаменационный билет № 11

1. Б.Т. Входная, выходная, передаточная и характеристика обратной связи по напряжению в схеме ОБ.

2. SIT транзистор и SITh – тиристор.

Утверждено на заседании

кафедры ___Радиоэлектроники и телекоммуникаций_______________________

Протокол № 3 от „ 31” марта 2015 года

Заведующий кафедрой РТ ____________________ ___ Гимпилевич Ю.Б. _

(подпись) (фамилия инициалы)

Экзаменатор ___________________ ___ Гусев В.А.______

( подпись) (фамилия инициалы)

Форма № Н-5.05

Севастопольский государственный университет

Образовательно-квалификационный уровень _бакалавр_______________________________

Направление подготовки ___11.03.04 – Электроника и наноэлектроника_________________

Специальность_____________________________________Семестр__6___________________

(название)

Учебная дисциплина __Актуальные проблемы твердотельной электроники_________________

Экзаменационный билет № 12

1. Импульсные характеристики биполярного транзистора. Насыщенный и ненасыщенный ключи.

2. Передаточная и выходная ВАХ канального транзистора с управляющим p-n переходом.

Утверждено на заседании

кафедры ___Радиоэлектроники и телекоммуникаций_______________________

Протокол № 3 от „ 31” марта 2015 года

Заведующий кафедрой РТ ____________________ ___ Гимпилевич Ю.Б. _

(подпись) (фамилия инициалы)

Экзаменатор ___________________ ___ Гусев В.А.______

( подпись) (фамилия инициалы)

Форма № Н-5.05

Севастопольский государственный университет

Образовательно-квалификационный уровень _бакалавр_______________________________

Направление подготовки ___11.03.04 – Электроника и наноэлектроника_________________

Специальность_____________________________________Семестр__6___________________

(название)

Учебная дисциплина __Актуальные проблемы твердотельной электроники_________________