Экзаменационный билет № 4

1. Крутизна переходной характеристики МДП-транзистора. Зависимость от напряжения затвора и тока стока.

2. Усиление по току и мощности БТ в схеме ОЭ. Входные и выходные характеристики в схеме ОЭ.

Утверждено на заседании

кафедры ___Радиоэлектроники и телекоммуникаций_______________________

Протокол № 3 от „ 31” марта 2015 года

Заведующий кафедрой РТ ____________________ ___ Гимпилевич Ю.Б. _

(подпись) (фамилия инициалы)

Экзаменатор ___________________ ___ Гусев В.А.______

( подпись) (фамилия инициалы)

Форма № Н-5.05

Севастопольский государственный университет

Образовательно-квалификационный уровень _бакалавр_______________________________

Направление подготовки ___11.03.04 – Электроника и наноэлектроника_________________

Специальность_____________________________________Семестр__6___________________

(название)

Учебная дисциплина __Актуальные проблемы твердотельной электроники_________________

Экзаменационный билет № 5

1. Дрейфовый транзистор. Ускорение поля в базе БТ.

2. Частотные свойства биполярного транзистора. Граничные приборные частоты. f_, f_, f_т, f_max.

Утверждено на заседании

кафедры ___Радиоэлектроники и телекоммуникаций_______________________

Протокол № 3 от „ 31” марта 2015 года

Заведующий кафедрой РТ ____________________ ___ Гимпилевич Ю.Б. _

(подпись) (фамилия инициалы)

Экзаменатор ___________________ ___ Гусев В.А.______

( подпись) (фамилия инициалы)

Форма № Н-5.05

Севастопольский государственный университет

Образовательно-квалификационный уровень _бакалавр_______________________________

Направление подготовки ___11.03.04 – Электроника и наноэлектроника_________________

Специальность_____________________________________Семестр__6___________________

(название)

Учебная дисциплина __Актуальные проблемы твердотельной электроники_________________

Экзаменационный билет № 6

1. IGBT. Принцип действия, передаточная ВАХ, выходные ВАХ.

2. Составной транзистор p-n-p по схеме Шиклаи для интегральных схем.

Утверждено на заседании

кафедры ___Радиоэлектроники и телекоммуникаций_______________________

Протокол № 3 от „ 31” марта 2015 года

Заведующий кафедрой РТ ____________________ ___ Гимпилевич Ю.Б. _

(подпись) (фамилия инициалы)

Экзаменатор ___________________ ___ Гусев В.А.______

( подпись) (фамилия инициалы)

Форма № Н-5.05

Севастопольский государственный университет

Образовательно-квалификационный уровень _бакалавр_______________________________

Направление подготовки ___11.03.04 – Электроника и наноэлектроника_________________

Специальность_____________________________________Семестр__6___________________

(название)

Учебная дисциплина __Актуальные проблемы твердотельной электроники_________________