- •Экзаменационный билет № 1
- •Экзаменационный билет № 2
- •Экзаменационный билет № 3
- •Экзаменационный билет № 4
- •Экзаменационный билет № 5
- •Экзаменационный билет № 6
- •Экзаменационный билет № 7
- •Экзаменационный билет № 8
- •Экзаменационный билет № 9
- •Экзаменационный билет № 10
- •Экзаменационный билет № 11
- •Экзаменационный билет № 12
- •Экзаменационный билет № 13
- •Экзаменационный билет № 14
- •Экзаменационный билет № 15
- •Экзаменационный билет № 16
- •Экзаменационный билет № 17
- •Экзаменационный билет № 18
- •Экзаменационный билет № 19
- •Экзаменационный билет № 20
- •Экзаменационный билет № 21
Форма № Н-5.05
Севастопольский государственный университет
Образовательно-квалификационный уровень _бакалавр_______________________________
Направление подготовки ___11.03.04 – Электроника и наноэлектроника_________________
Специальность_____________________________________Семестр__6___________________
(название)
Учебная дисциплина __Актуальные проблемы твердотельной электроники_________________
Экзаменационный билет № 1
1. Микроэлектроника. Основные цели и базовые научные направления.
2. Принцип действия динистора. ВАХ динистора, условие включения и выключения. Основные требования к структуре.
Утверждено на заседании
кафедры ___Радиоэлектроники и телекоммуникаций_______________________
Протокол № 3 от „ 31” марта 2015 года
Заведующий кафедрой РТ ____________________ ___ Гимпилевич Ю.Б. _
(подпись) (фамилия инициалы)
Экзаменатор ___________________ ___ Гусев В.А.______
( подпись) (фамилия инициалы)
Форма № Н-5.05
Севастопольский государственный университет
Образовательно-квалификационный уровень _бакалавр_______________________________
Направление подготовки ___11.03.04 – Электроника и наноэлектроника_________________
Специальность_____________________________________Семестр__6___________________
(название)
Учебная дисциплина __Актуальные проблемы твердотельной электроники_________________
Экзаменационный билет № 2
1. Принцип действия биполярного транзистора. Входная и выходная характеристики в схеме ОЭ.
2. Время включения биполярного транзистора.
Утверждено на заседании
кафедры ___Радиоэлектроники и телекоммуникаций_______________________
Протокол № 3 от „ 31” марта 2015 года
Заведующий кафедрой РТ ____________________ ___ Гимпилевич Ю.Б. _
(подпись) (фамилия инициалы)
Экзаменатор ___________________ ___ Гусев В.А.______
( подпись) (фамилия инициалы)
Форма № Н-5.05
Севастопольский государственный университет
Образовательно-квалификационный уровень _бакалавр_______________________________
Направление подготовки ___11.03.04 – Электроника и наноэлектроника_________________
Специальность_____________________________________Семестр__6___________________
(название)
Учебная дисциплина __Актуальные проблемы твердотельной электроники_________________
Экзаменационный билет № 3
1. Принцип действия БТ. Выходные характеристики в схеме ОБ и ОЭ.
2. Симисторы или триаки. ВАХ с различными токами управления.
Утверждено на заседании
кафедры ___Радиоэлектроники и телекоммуникаций_______________________
Протокол № 3 от „ 31” марта 2015 года
Заведующий кафедрой РТ ____________________ ___ Гимпилевич Ю.Б. _
(подпись) (фамилия инициалы)
Экзаменатор ___________________ ___ Гусев В.А.______
( подпись) (фамилия инициалы)
Форма № Н-5.05
Севастопольский государственный университет
Образовательно-квалификационный уровень _бакалавр_______________________________
Направление подготовки ___11.03.04 – Электроника и наноэлектроника_________________
Специальность_____________________________________Семестр__6___________________
(название)
Учебная дисциплина __Актуальные проблемы твердотельной электроники_________________
