Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
АПТЭ_Гусев_2015.doc
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
143.87 Кб
Скачать

Форма № Н-5.05

Севастопольский государственный университет

Образовательно-квалификационный уровень _бакалавр_______________________________

Направление подготовки ___11.03.04 – Электроника и наноэлектроника_________________

Специальность_____________________________________Семестр__6___________________

(название)

Учебная дисциплина __Актуальные проблемы твердотельной электроники_________________

Экзаменационный билет № 1

1. Микроэлектроника. Основные цели и базовые научные направления.

2. Принцип действия динистора. ВАХ динистора, условие включения и выключения. Основные требования к структуре.

Утверждено на заседании

кафедры ___Радиоэлектроники и телекоммуникаций_______________________

Протокол № 3 от „ 31” марта 2015 года

Заведующий кафедрой РТ ____________________ ___ Гимпилевич Ю.Б. _

(подпись) (фамилия инициалы)

Экзаменатор ___________________ ___ Гусев В.А.______

( подпись) (фамилия инициалы)

Форма № Н-5.05

Севастопольский государственный университет

Образовательно-квалификационный уровень _бакалавр_______________________________

Направление подготовки ___11.03.04 – Электроника и наноэлектроника_________________

Специальность_____________________________________Семестр__6___________________

(название)

Учебная дисциплина __Актуальные проблемы твердотельной электроники_________________

Экзаменационный билет № 2

1. Принцип действия биполярного транзистора. Входная и выходная характеристики в схеме ОЭ.

2. Время включения биполярного транзистора.

Утверждено на заседании

кафедры ___Радиоэлектроники и телекоммуникаций_______________________

Протокол № 3 от „ 31” марта 2015 года

Заведующий кафедрой РТ ____________________ ___ Гимпилевич Ю.Б. _

(подпись) (фамилия инициалы)

Экзаменатор ___________________ ___ Гусев В.А.______

( подпись) (фамилия инициалы)

Форма № Н-5.05

Севастопольский государственный университет

Образовательно-квалификационный уровень _бакалавр_______________________________

Направление подготовки ___11.03.04 – Электроника и наноэлектроника_________________

Специальность_____________________________________Семестр__6___________________

(название)

Учебная дисциплина __Актуальные проблемы твердотельной электроники_________________

Экзаменационный билет № 3

1. Принцип действия БТ. Выходные характеристики в схеме ОБ и ОЭ.

2. Симисторы или триаки. ВАХ с различными токами управления.

Утверждено на заседании

кафедры ___Радиоэлектроники и телекоммуникаций_______________________

Протокол № 3 от „ 31” марта 2015 года

Заведующий кафедрой РТ ____________________ ___ Гимпилевич Ю.Б. _

(подпись) (фамилия инициалы)

Экзаменатор ___________________ ___ Гусев В.А.______

( подпись) (фамилия инициалы)

Форма № Н-5.05

Севастопольский государственный университет

Образовательно-квалификационный уровень _бакалавр_______________________________

Направление подготовки ___11.03.04 – Электроника и наноэлектроника_________________

Специальность_____________________________________Семестр__6___________________

(название)

Учебная дисциплина __Актуальные проблемы твердотельной электроники_________________