Задачи № 51-55

Номер задачи

51

52

53

54

55

Амплитуда тока на выходе НЭI_m, мА,

28

42

30

10

30

Угол отсечки , град

55

45

120

60

90

Частота входного сигнала

f, кГц

10

15

20

30

40

Номер задачи

Исходные данные для п.2

Исходные данные для п.3

56

Схема умножителя частоты на диоде

f_вх=200 кГц;

коэффициенты умножения

n₁ = 3; n₂ = 2; n₃ = 3

AM сигнал, имеющий амплитуду несущей Ао = 8мВ, А_бок= 2мВ,

f_о = 130 кГц;

ширину спектра 30 кГц, необходимо перенести в область более низких частот: f_пч= 50кГц (при нижней настройке гетеродина)

57

Схема умножителя частоты на биполярном транзисторе n-p-n структуры

f_вх = 3000 кГц, коэффициенты умножения

n₁ = n₂ = n₃ = 2

AM сигнал, имеющий амплитуду несущей Ао = 12 мВ, A_6ок = 4 мB, f₀ = 200 кГц;

ширину спектра 25 кГц, необходимо перенести в область более низких частот f_пч= 50 кГц (при верхней настройке гетеродина).

58

Схема умножителя частоты на полевом транзисторе с управляющим p-n переходом, каналом nтипа

f_вх = 3000 кГц; коэффициенты умножения n₁ = n₂ = n₃ = 3

Спектр сложного сигнала с частотами f_min=3,5 МГц и f_max= 4 МГцперенести в область более низких частот f_пч= 1 МГц (при верхней настройке гетеродина)

59

Схема умножителя частоты на полевом транзисторе с индуцированным каналом pтипа; f_вх=3МГц; коэффициенты умножения n₁ = 4;n₂ = 3;n₃ = 2

Спектр сложного сигнала с частотами f_min= 6500 кГц и

f_max= 7500 кГцперенести в область более низких частот f_пч=1000 кГц (при верхней настройке гетеродина)

60

Схема умножителя частоты на биполярном транзисторе p-n-р структуры.

f_вх=2000 кГц; коэффициенты умножения

n₁ = n₂ = n₃ = 3

AM сигнал, имеющий амплитуду несущей Ао=3В; А_бок=0,5В; f_о=180 кГц; ширину спектра 40 кГц необходимо перенести в область более низких частот f_пч=60кГц (при нижней настройке гетеродина)