- •Введение
- •1.1.4 Вольт-амперная характеристика диода
- •1.1.5 Параметры диода
- •1.1.6 Однополупериодный выпрямитель на диоде
- •1.2 Порядок выполнения лабораторной работы
- •1.2.1 Моделирование вольт-амперной характеристики (вах) диода
- •1.2.2 Моделирование работы диода в динамическом режиме
- •1.2.3 Моделирование работы однополупериодного выпрямителя с фильтром
- •1.2.4 Задание на моделирование
- •1.3 Требования к отчету и его содержание
- •1.4 Контрольные вопросы
- •2.1.2 Режимы работы и схемы включения биполярных транзисторов
- •2.1.3 Принцип работы биполярного транзистора в отсечке
- •2.1.4 Принцип работы биполярного транзистора в активном режиме
- •2.1.5 Эффект усиления мощности в активном режиме
- •2.1.6 Коэффициенты усиления тока
- •2.1.7 Принцип работы биполярного транзистора в режиме насыщения
- •2.1.8 Статические вольт-амперные характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
- •2.1.9 Малосигнальная физическая модель биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
- •2.1.10 Модель биполярного транзистора как линейного четырехполюсника, h-параметры
- •2.1.11 Графический метод определения h-параметров
- •2.1.12 Предельные параметры биполярного транзистора
- •2.2 Порядок выполнения работы
- •2.2.1 Моделирование входных характеристик в схеме с общим эмиттером
- •2.2.2 Моделирование выходных характеристик в схеме с общим эмиттером
- •2.2.3 Задание на моделирование
- •2.3 Содержание отчета
- •2.4 Контрольные вопросы
- •3.1.2 Способы обеспечения закрытого состояния ключа
- •3.1.3 Открытое состояние ключа
- •3.1.4 Процесс открывания (включения) ключа
- •3.1.5 Процесс закрывания (выключения) ключа
- •3.1.6 Способы повышения быстродействия ключа. Ключ с форсирующим конденсатором в цепи базы
- •3.1.7 Ключ с нелинейной обратной связью. Транзистор Шоттки
- •3.1.8 Работа ключа на емкостную нагрузку
- •3.2 Порядок выполнения работы
- •3.2.1 Моделирование амплитудной передаточной характеристики (апх) простейшего ключа
- •3.2.2 Моделирование динамического режима простейшего ключа
- •3.2.3 Моделирование динамического режима ключа с форсирующим конденсатором
- •3.2.4 Задание на моделирование
- •3.3 Содержание отчета
- •3.4 Контрольные вопросы
- •4.1.2 Порядок построения эквивалентной схемы усилителя для переменного сигнала
- •4.1.3 Параметры усилителя для переменного сигнала
- •4.2 Порядок выполнения работы
- •4.2.1 Настройка начальной рабочей точки
- •4.2.2 Определение параметров усилителя по переменному току
- •4.2.3 Моделирование амплитудно-частотной (ачх) и фазочастотной (фчх) характеристик
- •4.2.4 Задание на моделирование
- •4.3 Содержание отчета
- •4.4 Контрольные вопросы
- •5.1.2 Параметрический стабилизатор напряжения
- •5.1.3 Компенсационный стабилизатор напряжения
- •5.1.4 Защита компенсационного стабилизатора от короткого замыкания
- •5.1.5 Структурная схема импульсного стабилизатора напряжения
- •5.2 Порядок выполнения работы
- •5.2.1 Моделирование амплитудной передаточной характеристики (апх) компенсационного стабилизатора
- •5.2.2 Определение параметров стабилизатора
- •5.2.3 Задание на моделирование
- •5.3 Содержание отчета
- •5.4 Контрольные вопросы
- •6.1.2 Схемы включения операционных усилителей
- •6.1.3 Выполнение математических операций с применением операционных усилителей
- •6.1.4 Компаратор напряжения на основе операционного усилителя
- •6.1.5 Релаксационный генератор (мультивибратор) на основе компаратора напряжения
- •6.2 Порядок выполнения работы
- •6.2.1 Моделирование инвертирующего усилителя
- •6.2.2 Моделирование неинвертирующего усилителя
- •6.2.3 Моделирование релаксационного генератора
- •6.2.4 Задание на моделирование
- •6.3 Содержание отчета
- •5.4 Контрольные вопросы
- •Список литературы
- •Содержание
- •Электроника: лабораторные работы на персональном компьютере
- •426069, Г. Ижевск, ул. Студенческая, 11
2.1.3 Принцип работы биполярного транзистора в отсечке
Рассмотрим работу БТ n-p-n типа в схеме ОБ на рис. 2.4.
Под
действием источников
и
эмиттерный и коллекторный переходы БТ
смещены в обратном направлении. Диффузия
основных носителей через переходы
невозможна. Существуют небольшие
обратные токи
и
переходов, обусловленные дрейфом
неосновных носителей – дырок d
из эмиттера и коллектора и электронов
e из базы. Вклад
электронов больше, что обусловлено
несимметричностью переходов. База слабо
легирована примесью по сравнению с
эмиттером и коллектором, поэтому
концентрация основных носителей в ней
меньше, а неосновных больше, чем в других
областях, так как произведение концентраций
основных и неосновных носителей во всех
областях одинаково.
|
Рисунок 2.4 – Схема включения транзистора в режиме отсечки |
Обратные токи эмиттера и коллектора являются параметрами БТ и указываются в справочной литературе.
2.1.4 Принцип работы биполярного транзистора в активном режиме
Изменим в предыдущей схеме полярность включения источника на противоположную. Тогда переход база-эмиттер смещается в прямом направлении и открывается, а переход база-коллектор по-прежнему остается в закрытом состоянии; БТ – в активном режиме (рис. 2.5).
Основные носители – электроны – из эмиттера диффундируют в базу, где небольшая их часть рекомбинирует с дырками. Другая (большая) часть достигает коллектора и полем источника увлекается в коллектор.
Избыток
электронов в коллекторе отводится по
выводу коллектора на
.
При этом создается ток коллектора
|
Рисунок 2.5 – Схема включение транзистора в активном режиме |
Убыль дырок в базе
вследствие рекомбинации восполняется
за счет генерации пар электрон-дырка в
зоне контакта вывода базы с полупроводником.
При этом электроны уходят по выводу
базы на
,
создавая ток базы
.
Убыль электронов в эмиттере восполняется
за счет притока по выводу эмиттера от
,
при этом создается ток эмиттера
.
Поскольку
коллекторный переход остается в закрытом
состоянии, то как в отсечке, также
существует обратный ток
,
обусловленный движением неосновных
носителей – электронов – из базы в
коллектор (пунктирная стрелка). Обычно
этот ток существенно меньше основного
тока
,
создаваемого за счет диффузии электронов
из эмиттера в базу, и не учитывается.
Таким образом, между токами БТ существуют соотношения:
- ток эмиттера равен сумме токов базы
и коллектора. Это означает, что токи
базы и коллектора, втекая в БТ, далее
уходят в эмиттер;
- ток эмиттера больше тока базы и тока
коллектора, взятых в отдельности;
- токи эмиттера и коллектора существенно
превышают ток базы. Это обстоятельство
позволяет в некоторых случаях пренебрегать
током базы и принимать
.
2.1.5 Эффект усиления мощности в активном режиме
Из принципа работы, представленного в предыдущем параграфе, не следует, что БТ является усилительным прибором: ток коллектора – выходной ток – меньше тока эмиттера – входного тока. Однако надо иметь в виду, что ранее, когда мы определяли БТ как усилительный прибор, то говорили об усилении мощности, а не тока.
Рассмотрим
возможность усиления мощности
электрического сигнала в схеме для
активного режима на рис. 2.5. Для этого
мысленно дополним схему нагрузкой –
резистором, включенным в цепь коллектора,
обозначив его как
.
Поскольку нагрузка включается последовательно с закрытым коллекторным переходом, имеющим сопротивление 1…3 МОм, то она может быть достаточно высокоомной (например, десятки кОм) и не влиять при этом на ток коллектора.
При
протекании тока коллектора в нагрузке
выделяется мощность
.
Ток коллектора создается током эмиттера
и примерно равен ему. В свою очередь,
ток эмиттера создается за счет мощности,
отбираемой от источника
,
которую можно считать входной мощностью
БТ и найти в виде
,
где
-
сопротивление открытого эмиттерного
перехода.
Если далее записать выражение для коэффициента усиления мощности – отношения мощности в нагрузке к входной мощности, то можно получить
.
(2.1.1)
Сопротивление
эмиттера
для маломощных БТ составляет единицы-десятки
ом и много меньше сопротивления нагрузки
,
следовательно,
.
Это означает, что БТ усиливает мощность
электрического сигнала.
Из логики рассуждений следует, что при примерном равенстве входного и выходного токов, в конечном итоге, большое выходное и малое входное сопротивления БТ обеспечивают возможность усиления мощности электрического сигнала. Эти свойства БТ следует рассматривать как одни из самых важных в активном режиме. Также необходимо помнить, что мощность в нагрузке – это часть мощности, отбираемой от источника . Этот источник является источником питания коллекторной цепи или просто источником питания БТ.
