- •Введение
- •1.1.4 Вольт-амперная характеристика диода
- •1.1.5 Параметры диода
- •1.1.6 Однополупериодный выпрямитель на диоде
- •1.2 Порядок выполнения лабораторной работы
- •1.2.1 Моделирование вольт-амперной характеристики (вах) диода
- •1.2.2 Моделирование работы диода в динамическом режиме
- •1.2.3 Моделирование работы однополупериодного выпрямителя с фильтром
- •1.2.4 Задание на моделирование
- •1.3 Требования к отчету и его содержание
- •1.4 Контрольные вопросы
- •2.1.2 Режимы работы и схемы включения биполярных транзисторов
- •2.1.3 Принцип работы биполярного транзистора в отсечке
- •2.1.4 Принцип работы биполярного транзистора в активном режиме
- •2.1.5 Эффект усиления мощности в активном режиме
- •2.1.6 Коэффициенты усиления тока
- •2.1.7 Принцип работы биполярного транзистора в режиме насыщения
- •2.1.8 Статические вольт-амперные характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
- •2.1.9 Малосигнальная физическая модель биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
- •2.1.10 Модель биполярного транзистора как линейного четырехполюсника, h-параметры
- •2.1.11 Графический метод определения h-параметров
- •2.1.12 Предельные параметры биполярного транзистора
- •2.2 Порядок выполнения работы
- •2.2.1 Моделирование входных характеристик в схеме с общим эмиттером
- •2.2.2 Моделирование выходных характеристик в схеме с общим эмиттером
- •2.2.3 Задание на моделирование
- •2.3 Содержание отчета
- •2.4 Контрольные вопросы
- •3.1.2 Способы обеспечения закрытого состояния ключа
- •3.1.3 Открытое состояние ключа
- •3.1.4 Процесс открывания (включения) ключа
- •3.1.5 Процесс закрывания (выключения) ключа
- •3.1.6 Способы повышения быстродействия ключа. Ключ с форсирующим конденсатором в цепи базы
- •3.1.7 Ключ с нелинейной обратной связью. Транзистор Шоттки
- •3.1.8 Работа ключа на емкостную нагрузку
- •3.2 Порядок выполнения работы
- •3.2.1 Моделирование амплитудной передаточной характеристики (апх) простейшего ключа
- •3.2.2 Моделирование динамического режима простейшего ключа
- •3.2.3 Моделирование динамического режима ключа с форсирующим конденсатором
- •3.2.4 Задание на моделирование
- •3.3 Содержание отчета
- •3.4 Контрольные вопросы
- •4.1.2 Порядок построения эквивалентной схемы усилителя для переменного сигнала
- •4.1.3 Параметры усилителя для переменного сигнала
- •4.2 Порядок выполнения работы
- •4.2.1 Настройка начальной рабочей точки
- •4.2.2 Определение параметров усилителя по переменному току
- •4.2.3 Моделирование амплитудно-частотной (ачх) и фазочастотной (фчх) характеристик
- •4.2.4 Задание на моделирование
- •4.3 Содержание отчета
- •4.4 Контрольные вопросы
- •5.1.2 Параметрический стабилизатор напряжения
- •5.1.3 Компенсационный стабилизатор напряжения
- •5.1.4 Защита компенсационного стабилизатора от короткого замыкания
- •5.1.5 Структурная схема импульсного стабилизатора напряжения
- •5.2 Порядок выполнения работы
- •5.2.1 Моделирование амплитудной передаточной характеристики (апх) компенсационного стабилизатора
- •5.2.2 Определение параметров стабилизатора
- •5.2.3 Задание на моделирование
- •5.3 Содержание отчета
- •5.4 Контрольные вопросы
- •6.1.2 Схемы включения операционных усилителей
- •6.1.3 Выполнение математических операций с применением операционных усилителей
- •6.1.4 Компаратор напряжения на основе операционного усилителя
- •6.1.5 Релаксационный генератор (мультивибратор) на основе компаратора напряжения
- •6.2 Порядок выполнения работы
- •6.2.1 Моделирование инвертирующего усилителя
- •6.2.2 Моделирование неинвертирующего усилителя
- •6.2.3 Моделирование релаксационного генератора
- •6.2.4 Задание на моделирование
- •6.3 Содержание отчета
- •5.4 Контрольные вопросы
- •Список литературы
- •Содержание
- •Электроника: лабораторные работы на персональном компьютере
- •426069, Г. Ижевск, ул. Студенческая, 11
2.1.12 Предельные параметры биполярного транзистора
Рассмотренные выше параметры БТ (физические и четырехполюсника) относятся к рабочим и характеризуют свойства БТ в рабочих режимах. Предельные параметры определяют граничные режимы БТ, превышение которых приводит к катастрофическому отказу. К ним относятся:
-
- обратное максимальное напряжение на
переходе база-коллектор;
-
- обратное максимальное напряжение на
переходе база-эмиттер;
-
- максимальное напряжение коллектор-эмиттер
в полярности, соответствующей активному
режиму, при заданном значении сопротивления
резистора, включенного параллельно
переходу база-эмиттер;
-
- максимальный ток коллектора в режиме
насыщения;
- - максимальная постоянная рассеиваемая мощность;
-
,
- диапазон температур эксплуатации.
Предельные параметры учитываются в первую очередь при выборе БТ в процессе проектирования схемы. Только после этого осуществляется подбор БТ по рабочим параметрам.
2.2 Порядок выполнения работы
2.2.1 Моделирование входных характеристик в схеме с общим эмиттером
а) Построение схемы
Входные характеристики устанавливают взаимосвязь между током базы и напряжением база–эмиттер при фиксированном напряжении коллектор–эмиттер. Обычно определяются для двух значений напряжения коллектор–эмиттер, соответствующих режиму насыщения и активному режиму. Определим характеристики для значений ноль вольт и четыре вольта.
Схема измерений, позволяющая выводить характеристики в виде графиков, представлена на рис. 2.13.
|
Рисунок 2.13 – Схема для моделирования характеристик транзистора
|
Выберем для исследований из базы данных Micro-Cap транзистор 2N2218. Для этого при вводе транзистора в схему в окне NPN необходимо определить атрибут MODEL= в виде 2N2218. Здесь же можно считать параметры транзистора, используемые при компьютерном моделировании.
Ввод источника тока I1 производится путем нажатия кнопки Component и последовательного выбора опций Analog Primitives, Waveform Sourсes и ISourсe. Атрибут VALUE= в окне параметров ISourсe не устанавливаем, так как значения тока будут заданы далее при моделировании.
При вводе источника напряжения V1 также не задается значение VALUE= в окне Battery, так как оно определяется при анализе схемы.
б) Моделирование характеристик
Используем анализ по постоянному току DC. В опциях окна DC Analysis Limits (рис. 2.14) зададим следующие параметры. В окнах, обозначенных надписью Variable 1, устанавливаем Method=Auto, имя варьируемой переменной Name=I1, диапазон варьирования (в амперах) Range=0.01,0. В окнах Variable 2 - Method=Linear, имя варьируемой переменной Name=V1, диапазон варьирования (в вольтах) Range=4,0,4. (Формат диапазона: максимальное значение, минимальное значение, шаг. Для величины I1 в формате диапазона значение шага не задается, так как программа определяет его автоматически, что задано в опции Method=Auto.)
|
Рисунок 2.14 – Вид окна панели ограничение анализа |
|
Рисунок 2.15 – Входные ВАХ транзистора
|
При определении параметров графиков ВАХ в нижней части окна DC Analysis Limits указываем в одной строке: номер графика Р=1, величину по горизонтальной оси X Expression=Vbe(Q1) (напряжение база-эмиттер транзистора Q1), величину по вертикальной оси Y Expression=Ib(Q1) (ток базы транзистора Q1), диапазоны изменения величин программа должна определить автоматически – задать X Range=Auto, Y Range=Auto. Запуск анализа производится кнопкой Run.
Входные характеристики транзистора представлены на рис. 2.15.
