Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
26022014_6080.docx
Скачиваний:
1
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
3.51 Mб
Скачать

3.1.6 Способы повышения быстродействия ключа. Ключ с форсирующим конденсатором в цепи базы

Как видно из диаграмм рис. 3.4, а, б, для уменьшения времени включения ключа необходимо уменьшать длительность фронта нарастания тока коллектора . Это достигается путем увеличения открывающего тока базы : накопление заряда в базе происходит быстрее и быстрее достигается уровень .

Для уменьшения времени выключения необходимо уменьшать время рассасывания избыточного заряда и время спада . Первое возможно за счет снижения степени насыщения БТ перед началом выключения, то есть за счет снижения открывающего тока базы , а также за счет увеличения закрывающего тока базы . Второе также обеспечивается путем увеличения тока .

Таким образом, для повышения быстродействия ключа временная диаграмма тока базы должна выглядеть так, как показано на рис. 3.5.

Рисунок 3.5 – Желаемые временные диаграммы ключа

До момента ключ закрыт. На время включения с момента до момента подается большой открывающий ток базы , форсирующий процессы открывания. По окончании открывания ток базы уменьшается до минимально необходимого для поддержания БТ в насыщении уровня . Это обеспечивает минимальную степень его насыщения перед началом закрывания ключа, которое в общем случае неизвестно во времени.

На время выключения с момента до момента в базу подается большой закрывающий ток и обеспечивается быстрое выключение ключа.

Желаемая диаграмма изменения тока базы наилучшим образом реализуется в схеме ключа с форсирующим конденсатором в цепи базы БТ (рис. 3.6, а).

а)

б)

Рисунок 3.6 – Схема ключа с форсирующим конденсатором

При открывании ключа в момент (рис. 3.6, б) напряжение на входе скачком изменяется от низкого уровня до высокого. Конденсатор начинает заряжаться током , который из-за малого сопротивления цепи заряда оказывается достаточно большим. Процесс включения ключа форсируется. По мере заряда конденсатора ток базы уменьшается. Если емкость конденсатора подобрана правильно, то окончание его заряда совпадает с моментом окончания процесса включения ключа. Далее ток базы определяется только резистором .

На этапе выключения, когда напряжение на входе скачком уменьшается до низкого уровня, напряжение заряженного конденсатора минусом прикладывается к базе, и конденсатор разряжается по низкоомному пути через эмиттерный переход. Возникает большой закрывающий ток , форсирующий процесс выключения ключа.

Применение форсирующего конденсатора позволяет повысить быстродействие ключа примерно на порядок.

3.1.7 Ключ с нелинейной обратной связью. Транзистор Шоттки

Схема ключа представлена на рис. 3.7, а.

При низком уровне напряжения на входе В диоды и закрыты, БТ находится в отсечке, ключ закрыт. Закрытое состояние обеспечивается благодаря резистору .

При повышении напряжения на входе одновременно увеличивается напряжение в точке «а» и как только это напряжение достигает уровня В, диод и переход база-эмиттер БТ открываются. БТ переходит в активный режим, появляется ток коллектора, напряжение на выходе ключа начинает уменьшаться. Пока это напряжение остается больше напряжения в точке «а», диод закрыт и не оказывает влияния на работу схемы. Как только становится равным , диод открывается, и выходное напряжение фиксируется на уровне

В (3.1.9)

(рис. 3.7, б). Ключ – в открытом состоянии. При этом переход база-коллектор БТ находится под нулевым смещением и закрыт, а сам БТ остается в активном режиме.

а)

б)

Рисунок 3.7 – Схема ключа с нелинейной обратной связью

Благодаря активному режиму БТ в открытом состоянии ключа на этапе выключения отсутствует интервал рассасывания избыточного заряда из базы ( ), поэтому уменьшается время выключения ключа.

Недостатком ключа является повышенное значение напряжения низкого уровня на выходе. Для снижения этого напряжения вместо двух диодов на основе p-n-перехода используют один диод Шоттки, который включают параллельно коллекторному переходу БТ (рис. 3.8, а). Комбинация БТ и диода Шоттки получила название транзистора Шоттки (рис. 3.8, б).

а)

б)

Рисунок 3.8 – Эквивалентная схема(а) и обозначение транзистора Шоттки (б)

По сравнению с диодом на основе p-n-перехода диод Шоттки имеет меньшее падение напряжения в открытом состоянии: В. Поэтому в ключе при открывании, когда напряжение на выходе понижается, первым открывается диод Шоттки, и напряжение на нем и коллекторном переходе фиксируется. При этом переход база-коллектор, несмотря на прямое смещение, остается закрытым, так как напряжения не достаточно для его открывания. Следовательно, БТ в открытом состоянии ключа пребывает в активном режиме. Напряжение низкого уровня на выходе ключа составляет

В, (3.1.10)

что меньше, чем в предыдущей схеме.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]