- •1. Полупроводниковые материалы. Электропроводность примесных полупроводников.
- •2. Электронно-дырочный переход, его получение и процессы при прямом и обратном включении.
- •3. Вольт–амперная характеристика электронно-дырочного перехода, его тепловой и электрический пробой.
- •4. Полупроводниковые выпрямительные диоды и их применение.
- •5. Стабилитроны и их применение. Стабилизаторы напряжения.
- •6. Варикапы, светодиоды и фотодиоды и их применение. Оптроны.
- •7) Структура биполярного транзистора и процессы в нём. Характеристики и режимы работы транзистора
- •8 . Схема включения биполярных транзисторов с общим эмиттером и её свойства
- •9.Схема включения биполярных транзисторов с общим коллектором и её свойства
- •10,Структура полевого транзистора с изолированным затвором, процессы в нём и характеристики
- •11,Структура тиристора и процессы в нём, области применения тиристоров.
- •12,Интегральные микросхемы (имс): полупроводниковые и гибридные, аналоговые и цифровые
- •14. Однокаскадный усилитель на биполярном транзисторе по схеме с общим коллектором.
- •15. Многокаскадные усилители, характеристики усилителей.
- •Использование операционного усилителя для построения инвертирующего усилителя.
- •28. Параллельный регистр памяти
- •29. Структурная схема неуправляемого выпрямителя
- •30. Однополупериодный выпрямитель
- •31.Мостовой двухполупериодный выпрямитель
- •33. Мостовой трехвазный выпрямитель
- •Основные соотношения:
- •34.Законы Ома и Кирхгофа для цепей постоянного и переменного тока.
- •Последовательное и параллельное соединения элементов электрических цепей и их свойства в цепях постоянного и переменного тока.
- •37 Представление синусоидальных величин векторами. Векторные диаграммы для цепей переменного тока.
- •38 Активная, реактивная, полная, комплексная мощности в цепи синусоидального тока. Баланс мощностей в цепи синусоидального тока.
- •39 Симметричная трехфазная система величин и её представление формулами, векторной диаграммой, графиком.
- •40 Назначение, устройство и принцип действия однофазного трансформатора
- •42 Трехфазные трансформаторы. Автотрансформаторы. Измерительные трансформаторы тока и напряжения.
- •Вопрос 43.Получение вращающегося магнитного поля.
- •Вопрос 44.Устройство и принцип действия трехфазного асинхронного двигателя.
- •Принцип действия
- •Вопрос 45.Характеристики асинхронного двигателя и его паспортные данные.
- •46.Устройство трехфазной синхронной машины. Принцип действия синхронного генератора. Характеристики и паспортные данные синхронных генераторов.
- •47.Принцип действия трехфазного синхронного двигателя, его пуск и характеристики, применение для регулирования коэффициента мощности.
1. Полупроводниковые материалы. Электропроводность примесных полупроводников.
Полупроводники представляют собой обширную группу веществ, занимающих по величине удельного сопротивления промежуточное положение между диэлектриками и проводниками. Диапазон удельного сопротивления полупроводников при комнатной температуре условно ограничивают значениями 106-108Ом-м. Отличительным свойством полупроводников является сильная зависимость их удельного сопротивления от концентрации примесей. При введении примесей изменяется не только значение проводимости, но и характер ее температурной зависимости. У большинства полупроводников удельное сопротивление зависит также от температуры и других внешних энергетических воздействий (свет, электрическое и магнитное поле, ионизирующее излучение и т.д.).
Полупроводниковые материалы по химическому составу можно разделить на простые и сложные.
Простыми (элементарными) полупроводниковыми материалами являются 12 химических элементов периодической системы: в III группе – В(Бор); в IV - С(Углерод), Ge(Германий), Si(Селен). Sn (серое олово); в V – Р(Фосфор), As(Мышьяк), Sb(Сурьма); в VI – S(Сера), Se(Селен), Те(Теллур); в VII –I(Иод). В полупроводниковой электронике в основном применяют Ge и Si, а остальные используют в качестве легирующих добавок или компонентов сложных соединений.
Сложными полупроводниковыми материалами являются химические соединения, обладающие полупроводниковыми свойствами и включающие два, три и более элементов.
Если в полупроводнике имеются примеси других веществ, то дополнительно к собственной электропроводности появляется еще примесная электропроводность, которая в зависимости от рода примеси может быть электронной или дырочной. Полупроводники с преобладанием электронной электропроводности называют электронными полупроводниками или полупроводниками п-типа.
Вещества, отбирающие электроны и создающие примесную дырочную электропроводность, называют акцепторами. Атомы акцепторов, захватывая электроны, сами заряжаются отрицательно.
Полупроводники с преобладанием дырочной электропроводности называют дырочными полупроводниками или полупроводниками р-типа.
В полупроводниковых приборах используются главным образом полупроводники, содержащие донорные или акцепторные примеси и называемые примесными. При обычных рабочих температурах в таких полупроводниках все атомы примеси участвуют в создании примесной электропроводности, т. е. каждый атом примеси либо отдает, либо захватывает один электрон.
Чтобы примесная электропроводность преобладала над собственной, концентрация атомов донорной примеси или акцепторной примеси должна превышать концентрацию собственных носителей заряда.
Носители заряда, концентрация которых в данном полупроводнике преобладает, называются основными. Ими являются электроны в полупроводнике п-типа и дырки в полупроводнике р-типа. Неосновными называют носители заряда, концентрация которых меньше, чем концентрация основных носителей. Концентрация неосновных носителей в примесном полупроводнике уменьшается во столько раз, во сколько увеличивается концентрация основных носителей.