31. Экранирование магнитного и электромагнитного полей.

Низкочастотные магнитные поля шунтируются экраном за счет направленности силовых линий вдоль стенок экрана. Этот эффект вызывается большей магнитной проницаемостью материала экрана по сравнению с воздухом.

Высокочастотное магнитное поле вызывает возникновение в экране переменных индукционных вихревых токов, которые создаваемым ими магнитным полем препятствуют распространению побочного магнитного поля. Заземление не влияет на экранирование магнитных полей. Поглощающая способность экрана зависит от частоты побочного излучения и от материала, из которого изготавливается экран. Чем ниже частота излучения, тем большей должна быть толщина экрана. Для излучений в диапазоне средних волн и выше достаточно эффективным является экран толщиной 0,5-1,5 мм. Для излучений на частотах свыше 10 МГц достаточно иметь экран из меди или серебра толщиной 0,1 мм. Электромагнитные излучения блокируются методами высоко-частотного электрического и магнитного экранирования. Экранирование осуществляется на пяти уровнях:

-уровень элементов схем;

-уровень блоков;

-уровень устройств;

-уровень кабельных линий;

-уровень помещений.

Элементы схем с высоким уровнем побочных излучений могут помещаться в металлические или металлизированные напылением заземленные корпуса. Начиная с уровня блоков, экранирование осуществляется с помощью конструкций из листовой стали, металлических сеток и напыления. Экранирование кабелей осуществляется с помощью металлической оплетки, стальных коробов или труб.

25. Структурные способы повышения надежности рэс. Дублирование, скользящее резервирование.

Отказоустойчивость – это свойство системы сохранять свою работоспособность, при наличии отказов компонентов, её составляющих. В основе построения отказоустойчивых схем лежит принцип резервирования.

Структурное резервирование состоит в применении дополнительной аппаратуры для реализации контроля и коррекции отказов (ошибок).

В зависимости от режима включения резервных элементов различают нагруженное, облегченное и ненагруженное резервирование.

В случае нагруженного резервирования резервные элементы находятся в таком же режиме, как и основные элементы. При облегченном – резервные элементы находятся в неполном рабочем режиме, а для случая ненагруженного резервирования резервные элементы находятся в нерабочем состоянии.

Скользящее резервирование.

Имеется основных элементов схемы и резервных. В случае скользящего резервирования каждый из резервных элементов может заменить любой из основных элементов схемы

Скользящее резервирование применяется в однородных схемах, таких как запоминающие устройства и многопроцессорные системы. Подключение исправного элемента вместо дефектного осуществляется при помощи программируемого прожигания плавких перемычек.

Дублирование элементов схемы.

Данный метод состоит в удвоении элементов схемы. При этом необходимо контролировать работоспособность элементов схемы и, в случае необходимости, вместо неисправных элементов должны подключаться исправные. СД – схема диагностики работоспособности основного и дублирующего модулей, ВО – восстанавливающий орган.

В этом случае предполагается, что каждый модуль имеет свою систему диагностики, которая, если модуль исправен, выдает на выходе сигнал «логическая 1», а при неисправности – сигнал «логический 0».

Данная схема будет нормально функционировать до тех пор, пока исправен хотя бы 1 из модулей, а также СД и ВО.