- •1. Радиоэлектронные средства (рэс). Классификация рэс (по функциональной и конструктивной сложности, назначению, объекту установки).
- •2. Основные требования, предъявляемые к конструкции рэс.
- •4. Этапы и тенденции развития рэс. Категории рэс по продолжительности работы.
- •13. Основные способы защиты рэс от вибраций. Выбор способа защиты.
- •14. Основные виды, параметры и уровни климатических воздействий Обеспечение нормального теплового режима рэс.
- •16. Механизмы переноса тепла в конструкциях рэс.
- •6. Классы рэс по зонам использования. Группы (по объекту установки) морской рэс.
- •7. Классы рэс по зонам использования. Группы (по объекту установки) бортовой рэс.
- •5. Классы рэс по зонам использования. Группы (по объекту установки) рэс наземного класса.
- •9. Условия эксплуатации рэс и факторы влияющие на ее работу.
- •39,1. Наименования конструкторских документов различных групп: графических, текстовых, эксплуатационных, ремонтных.
- •39,2. Основной конструкторский документ (кд). Основной и полный комплекты кд.
- •29,1. Паразитные наводки. Паразитные связи через общее сопротивление.
- •29,2. Паразитные емкостные, индуктивные и волноводные связи.
- •30. Экранирование электрического поля.
- •31. Экранирование магнитного и электромагнитного полей.
- •25. Структурные способы повышения надежности рэс. Дублирование, скользящее резервирование.
- •26. Структурные способы повышения надежности рэс. Мажоритарное резервирование.
- •27. Эксплуатационные способы повышения надежности рэс.
- •28. Электромагнитная совместимость рэс. Источники электромагнитных помех.
- •39. Структура спецификации.
- •40. Основные виды схем. Разновидности и особенности электрических схем.
- •21. Надежность рэс, свойства надежности. Классификация неисправностей.
- •22. Показатели надежности невосстанавливаемой рэс.
- •23. Показатели надежности восстанавливаемой рэс.
- •24. Конструктивно-технологические способы повышения надежности рэс.
- •32. Экранирование проводов.
- •38. Виды конструкторских изделий: деталь, сборочная единица, комплекс, комплект.
- •36. Стандартизация процесса проектирования. Стандарты, системы стандартов. Виды конструкторской документации (оригинал, подлинник, дубликат, копия).
- •12. Коэффициент усиления вибраций в рэс и его частотная зависимость.
- •17. Тепловые модели рэс и принципы расчета теплового режима.
- •18. Воздушные системы охлаждения рэс, принципы расчета.
- •19. Жидкостные системы охлаждения рэс.
- •20. Испарительные системы охлаждения рэс. Тепловые трубы.
- •14. Климатическое исполнение рэс. Классификация рэс по степени защиты от внешних климатических воздействий (попадания воды, твердых тел).
- •3. Структура конструкций рэс. Компоновка рэс. Принципы компоновки, компоновочные схемы.
- •10. Основные виды, параметры и уровни механических воздействий.
- •11. Модели динамического и кинематического возбуждения вибраций рэс.
29,2. Паразитные емкостные, индуктивные и волноводные связи.
Паразитные емкостные связи обусловлены электрической емкостью, образующейся между элементами, деталями и проводниками схем, несущих потенциал сигнала (рис. 7.1). Так как сопротивление емкости, создающей паразитную емкостную связь, падает с ростом частоты (X = 1/C), проходящая через нее энергия с повышением частоты увеличивается. Поэтому паразитная емкостная связь может привести к самовозбуждению усилителя на частотах, превышающих его высшую рабочую частоту.
Чем больше усиление сигнала между цепями и каскадами, имеющими емкостную связь, тем меньше емкости требуется для его самовозбуждения. При усилении в 105 раз (100 дБ) для самовозбуждения усилителя звуковых частот иногда достаточно емкости между входной и выходной цепями порядка 0,01 пФ.
Паразитные
индуктивные связи.
Паразитные
индуктивные связи обусловлены наличием
взаимоиндукции между проводниками и
деталями РЭО, главным образом между ее
трансформаторами. Паразитная индуктивная
обратная связь между трансформаторами
усилителя — например, между входным и
выходным трансформаторами, — может
вызвать режим самовозбуждения в области
рабочих частот и гармониках.
Рис. 7.1. Схема возникновения паразитной емкостной связи.
Для усилителей с малым входным напряжением (микрофонные, магнитофонные и др.) очень опасна индуктивная связь входного трансформатора с источниками переменных магнитных полей (трансформаторы питания). При расположении такого источника вблизи от входного трансформатора ЭДС, которая наводится на вторичной обмотке трансформатора средних размеров, может достигать нескольких милливольт, что в сотни раз превосходит допустимое значение. Значительно слабее паразитная индуктивная связь проявляется при торроидальной конструкции входного трансформатора. При уменьшении размеров трансформатора паразитная индуктивная связь ослабляется.
Паразитные электромагнитные связи. Паразитные электромагнитные связи приводят к самовозбуждению отдельных каскадов звуковых и широкополосных усилителей на частотах порядка десятков и сотен мегагерц. Эти связи обычно возникают между выводными проводниками усилительных элементов, образующими колебательную систему с распределенными параметрами и резонансной частотой определенного порядка.
30. Экранирование электрического поля.
Экранирование является одним из самых эффективных методов защиты от электромагнитных излучений. Под экранированием понимается размещение элементов КС, создающих электрические, магнитные и электромагнитные поля, в пространственно замкнутых конструкциях. Способы экранирования зависят от особенностей полей, создаваемых элементами КС при протекании в них электрического тока. Характеристики полей зависят от параметров электрических сигналов в КС. Так при малых токах и высоких напряжениях в создаваемом поле преобладает электрическая составляющая. Такое поле называется электрическим (электростатическим). Если в проводнике протекает ток большой величины при малых значениях напряжения, то в поле преобладает магнитная составляющая, а поле называется магнитным. Поля, у которых электрическая и магнитная составляющие соизмеримы, называются электромагнитными.
Экранирование электрического поля заземленным металлическим экраном обеспечивает нейтрализацию электрических зарядов, которые стекают по заземляющему контуру. Контур заземления должен иметь сопротивление не более 4 Ом. Электрическое поле может экранироваться и с помощью диэлектрических экранов, имеющих высокую относительную диэлектрическую проницаемость г. При этом поле ослабляется в s раз. При экранировании магнитных полей различают низкочастотные магнитные поля (до 10 кГц) и высокочастотные магнитные поля.
