
- •25 Октября 2005 г., протокол № 2
- •Предисловие
- •1. Система компьютерной математики
- •1.1. Основные принципы работы системы
- •1.2. Операторы
- •1.3. Функции и переменные
- •1.4. Программирование
- •For[start, test, incr, body];
- •While [ test, expr ];
- •1.5. Графические возможности скм
- •Plot [Sin[X], {X, 0, 2*Pi}]
- •ListPlot3d[ phi ];
- •2. Задания для самостоятельной работы
- •2.1. Расчет двумерного распределения температуры
- •2.2. Расчет сопротивления интегрального резистора
- •2.3. Расчет емкости металлизации интегральных схем
- •2.4. Расчет двумерного нестационарного распределения температуры
- •3. Примеры решения задач
- •3.1. Расчет стационарного распределения температуры методом пвр
- •3.2. Расчет нестационарного распределения температуры
- •Литература
- •Содержание
- •2.2. Расчет сопротивления интегрального резистора . . . . . . . 21
- •2.3. Расчет емкости металлизации интегральных схем . . . . . . 23
- •220050, Минск, проспект Независимости, 4.
- •220064, Минск, ул. Курчатова, 7.
2.2. Расчет сопротивления интегрального резистора
Основной особенностью резисторов интегральных схем является малость толщины этих элементов в сравнении с остальными геометрическими размерами. Это позволяет рассматривать интегральные резисторы, как двумерную конструкцию и использовать для расчета двумерную модель, содержащую такой параметр резистивного материала, как сопротивление квадрата площади резистивного слоя [4].
Используем следующую численную модель [5]. К контактам резистора K1 и K2 (рис. 6) приложим напряжение U и вычислим ток I, протекающий через резистор. Сопротивление резистора можно вычислить из закона Ома для участка цепи: R = U/I.
Рис. 6. Топология интегрального резистора
Пусть L – замкнутый контур, окружающий контакт. Тогда ток через контакт
, (21)
где
– плотность тока, которую в соответствии
с дифференциальным законом Ома определим
как
21
. (22)
Здесь
– напряженность электрического поля,
– удельная поверхностная проводимость
(
= 1/),
– электростатический потенциал.
Чтобы
вычислить ток на выводах резистора в
соответствии с формулами (21), (22),
необходимо, прежде всего, рассчитать
распределение электростатического
потенциала. Запишем краевую задачу для
расчета
.
Для произвольного замкнутого контура
,
не охватывающего точек контакта и не
имеющего общих границ с контактом, в
соответствии с законом сохранения
заряда в стационарном случае имеем
. (23)
Интегральное тождество (23) справедливо для всех точек области резистора. На границе области резистора привлекаются следующие граничные условия: на контактах К1 и К2 электростатический потенциал считается заданным; в остальных точках границы нормальная составляющая тока полагается равной нулю.
Таким образом, здесь мы имеем задачу подобную той, которая рассматривалась нами в п. 2.1. При ее решении будем использовать такой же подход. До сих пор предполагалось, что область резистора является однородной. Если в области резистора есть участки материала, удельное сопротивление которых отличается от сопротивления остальной части резистора (см., к примеру, заштрихованный прямоугольник на рис. 6), то в этом случае следует применить аппроксимацию интегрального тождества с усредненной на ячейке алгебраизации проводимостью.
При вычислении тока численно рассчитывается производная от по пространственным координатам. В связи с этим требование к точности решения разностной СЛАУ здесь накладывается более жестким. Метод ПВР в этом случае оказывается неприемлемым, так как не может обеспечить высокую точность. Необходимо формировать матрицу СЛАУ, вектор свободных членов и использовать функцию LinearSolve, которая в пакете Mathematica реализует прямой метод.
Задание: рассчитать сопротивление резистора, конструкция которого приведена на рисунке 6. Размеры контакта – (2 4) мкм, размеры приконтактного участка – (6 8) мкм. Центры этих областей совпадают. Контакты расположены симметрично относительно тех участков резистора, к которым они примыкают. Зазоры между областью с повышенным удельным сопротивлением и краями резистора одинаковы. Остальные параметры резистора приведены в таблице 2 (размеры даны в мкм, сопротивления квадрата площади – в Ом/кв).
22
Таблица 2
№ варианта |
L1 |
L2 |
L3 |
H1 |
H2 |
H3 |
1 |
2 |
1 |
15 |
26 |
- |
7 |
3 |
- |
100 |
100 |
2 |
13 |
42 |
- |
5 |
4 |
- |
100 |
100 |
3 |
16 |
25 |
- |
4 |
5 |
- |
230 |
230 |
4 |
24 |
12 |
- |
7 |
6 |
- |
230 |
230 |
5 |
18 |
27 |
9 |
6 |
7 |
5 |
250 |
520 |
6 |
32 |
23 |
14 |
6 |
7 |
4 |
250 |
520 |
7 |
26 |
15 |
10 |
5 |
6 |
2 |
320 |
680 |
8 |
35 |
24 |
28 |
5 |
6 |
3 |
320 |
680 |
9 |
19 |
13 |
8 |
6 |
5 |
2 |
430 |
960 |
10 |
14 |
25 |
6 |
7 |
5 |
2 |
430 |
960 |
В таблице использованы следующие обозначения: L1 – длина отрезка AB, L2 – длина отрезка EF, L3 – длина отрезка CD, H1 – ширина горизонтального участка резистора, H2 – ширина вертикального участка резистора, H3 – ширина высокоомной вставки, 1 – удельное сопротивление основной части резистора, 2 – удельное сопротивление высокоомной вставки. Если 1 = 2, это означает, что высокоомной вставки нет.