Уровень

V3

Суретте көрсетілген транзистор:

1

қондырылған p-арналы МДЖ-транзистор

1

қондырылған МДЖ-транзистор, мұнда негізгі заряд тасымалдаушылары болып кемтіктер саналады

1

қондырылған р-арналы оқшауланған тиекті өрістік транзистор

V3

Суретте көрсетілген транзистор:

1

индукцияланған р -арналы МДЖ-транзистор

1

индукцияланған р-арналы оқшауланған тиекті өрістік транзистор

1

теріс зарядталған заряд тасымалдаушылары бар қондырылған арналы МДЖ-транзистор

V3

Сигналдық тізбектердің немесе коммутацияның аз тогы бар тізбектердің гальваникалық ағытылуы үшін қолданылатын аспаптар:

1

оптрондар

1

сәуле шығарғышқа келетін кіріс электрлік сигналы фотоқабылдағышқа әсер ете келіп, оның өткізгіштігін өзгертетін жарық ағынына түрленетін оптоэлектронды құрылғы

1

құрамында сәуле шығарғыш мен фотоқабылдағыш бар аспап

V3

Суреттегі көрсетілген құрылғы:

1

оптрондар

1

шығысында құрамды транзисторы бар оптоэлектронды құрылғы

1

шығысында Дарлингтон шығысы бар құрылғы

V3

Суретте көрсетілген оптожұп:

1

диодтық оптрон

1

шығысында құрамды транзисторы бар оптоэлектронды құрылғы

1

жарық сигналы электрлік сарынды шақыратын фотоқабылдағыштағы диод

V3

Өте дәл жоғары вольтты тізбектердің коммутациясы үшін қолданылатын оптожұп:

1

тиристорлық оптрон

1

симисторлық оптрон

1

динисторлық оптрон

V3

Фотоөткізгіштік әсері, яғни жарық кезінде жартылай өткізгіштің кедергісінің өзгеруінде қолданылатын оптожұп:

1

резисторлық оптрон

1

R-дағы оптрон

1

динисторлық оптрон

V3

Ашық оптикалық арнасы бар оптрондардың тіркелуі:

1

заттардың болуы (немесе болмауы)

1

зат жазықтығының күйі

1

орын ауыстыру немесе бұрылыс жылдамдығы

V3

Бақылау оптроны бар кернеу тұрақтандырғышы сұлбасында орындалатындар:

1

светодиодпен өндірілетін сәулелену қуаты

1

фотоағын деңгейі

1

сәуле шығарғыштың өткізгіштігі

V3

Оптрондар оптикалық арна бойынша ТТЛ және МТЖ элементтерін түйістіру сұлбаларында:

1

А) ауруды жоғары кернеу әрекеттерінен оқшаулауға мүмкіндік береді (электрокардиографиялық аспаптар).

1

G) оптикалық арна бойынша өлшеуіш аспаптардағы жерлендіру және қоректендіру тізбектері бойынша әсер ететін бөгеуілдердің әсерін азайтады

1

H) телефон желілеріне микроэлектрондық құрылғыларды қосады

V3

Талшықтық жарық өткізгіш, бұл –

1

оптикалық мөлдір шыныдан жасалған жіңішке жіп.

1

аз диаметрлі шыны жіп.

1

ені бірнеше микрон болатын шыныталшық.

V3

Жарық өткізгішпен жарық таратылуы:

1

ирек тектес траектория бойынша

1

талшық бойының айналатын траекториясы бойынша

1

р-n ауысудағы сәулелену рекомбинациясын қолдану арқылы

V3

Сәуле шығарғыш диодтың әрекетінің негізделуі:

1

ижекциялық электролюминисенция құбылысына

1

жарықты күшейту және лазер принципі бойынша жұмыс істейтін сәуле шығарғышты пайдалануға

1

индуциялық сәулелену мен электролюминесенцияны пайдалануға

V3

Оптронның негізгі артықшылықтары:

1

A) кіріс және шығыс тізбектерін бөлу мүмкіндігі

1

B) гальваникалық ағытылу

1

C) оптикалық ағытылу

V3

Светодиод қоректену көзіне шектеуіш кедергі арқылы қосылатындар:

1

A) жұмыс токты шектеу

1

D) жарық тогын басқару

1

H) қажетті ток мәнін таңдау

V3

Фотодиодтың ВАС-ы:

1

1

I=f(U)/Ф=const

1

түзеткіш диодтың кері тармақты ВАС (қараңғылықты режим)

V3

Светодиодтың жарықтық сипаттамасы:

1

1

L=f(Iтура) жарықтанудың тура токтан тәуелділігі

1

бұл сипаттама сызықсыздығымен ерекшеленеді

V3

Түрлендіргіш сұлбасы немесе светодиодтың қосылу суреті:

1

1

1

V3

Кері ығысудың жарықтық ағыны болмаған кезінде фотодиод арқылы токтың жүруі:

1

жарық ағыны болмаған кезде фотодиод арқылы ток жүрмейді

1

кері ығысуда ток ешқандай жағдайда жүрмейді

1

фотодиодтың жарықтануы кезінде жарықтық ағынға пропорционалды түрде кері ток өседі, кедергі азаяды

V3

Фотодиодтың тура қосылуда қолданбау себебі:

1

аз тура кедергі

1

ұйғарынды (допустимый) тура ток шамасы аз

1

фотодиодтың жарықтануы кезінде жарықтық ағынға пропорционалды түрде кері ток өседі, кедергі азаяды

V3

Диодтық оптронның шартты белгіленуі:

1

1

1

V3

Транзисторлық оптронның шартты белгіленуі:

1

1

1

V3

Резисторлық оптронның шартты белгіленуі:

1

1

1

V3

Тиристорлық оптронның шартты белгіленуі:

1

1

1

V3

Тиристорлық оптожұптардың қолдануы:

1

үлкен қуатты жоғары вольтты тізбектерден басқарудың логикалық тізбектерінің гальваникалық ағытылуын сақтау үшін

1

қуатты тиристорларды басқару үшін

1

гальваникалық ағытылуды болдырмау үшін

V3

Оптожұптың сәуле шығарғышы ретінде қолданылатындар:

1

жарық шығаратын диод

1

инфрақызыл диод

1

электрлік шамдарды немесе жартылай өткізгішті лазер

V3

Оптожұптың қабылдағышы ретінде қолданылатындар:

1

фоторезистор

1

фотодиод

1

фототиристор

V3

Фоторезистор келесі параметрлермен сипатталады:

1

қараңғылықты кедергі

1

меншікті интегралды сезімталдық

1

фототоктың температуралық коэффициенті

V3

Ішкі фотоэффект кезінде болатын жағдайлар:

1

зат электрондарының қозуы

1

бос заряд тасымалдаушылар концентрациясының өзгерісі

1

заттың электрлік қасиетінің өзгерісі

V3

Оптронның түрлері:

1

резисторлық оптожұп

1

диодтық оптрон

1

фотоварикаптық оптрон

V3

Оптронның артықшылығы:

1

сәуле швығарғыш пен қабылдағыштың электрлік ағытылуы

1

кең жиілік жолағы бар (0…10¹⁴ Гц);

1

сыртқы электромагниттік өрістен жоғары бөгуіл қорғағыштығы

V3

Дифференциалдық күшейткіштегі синфазалық кернеу

1

D) күшеймейді

1

G) күшеймейді, өйткені синфазалық сигнал бөгеуіл балып саналады

1

H) күшеймейді, өйткені кірісте сигналдың күшеюі жоқ