Уровень 1
Вопрос №1
V3 |
Диодтың суретте көрсетілгендей ВАС-ы бар, ондағы U=2В, I1=1А. Резистордың кедергісі:
|
1 |
1 Ом |
1 |
табалдырықтық кернеуге тең |
1 |
диодтың толық ашылуы кезіндегі кернеу мен токтың мәндеріне тең |
Вопрос №2
V3 |
Токты тұрақтандыру үшін вольт-амперлік сипаттамасы бар сызықты емес элемент қолданылады, ол мына суретке сәйкес келеді:
|
1 |
|
1 |
|
1 |
|
Вопрос №3
V3 |
Егер элементтің кедергісі токтан немесе келтірілген кернеуге байланысты болса, онда мұндай элементтің аталуы: |
1 |
сызықты |
1 |
тура байланысты сипаттамасы бар элемент |
1 |
сызықты ВАС-ы бар элемент |
Вопрос №4
V3 |
Электрлік кернеуі мен электрлік тогы бір-бірімен сызықты емес тәуелділікпен байланысты электрлік тізбектің аталуы: |
1 |
сызықты емес электрлік тізбек |
1 |
құрамында резистивті элементтері жоқ электрлік тізбек |
1 |
құрамында R,L,C элементтері бар күрделі тізбектің бөлігі |
Вопрос №5
V3 |
Түзеткіш сұлбасында стабилитронның қызметі: |
1 |
тұрақтандырғыш |
1 |
тұрақты кернеуді ұстап тұрудың аспабы |
1 |
тіректі диод |
Вопрос №6
V3 |
Электрондардың дрейфті тогының тығыздығы: |
1 |
jn = eDndn/dx |
1 |
|
1 |
J=∙E |
Вопрос №7
V3 |
Диодтың р-облысындағы электрондардың диффузиялық ұзындығы мен заряд тасымалдаушылардың өмір сүру уақытының арасындағы қатынас: |
1 |
|
1 |
заряд тасымалдаушылардың өмір сүру уақыты мен диффузия коэффициентініңекі параметрінің байланысы |
1 |
|
Вопрос №8
V3 |
n-pауысуының КЗО (кеңістіктік заряд облысы)-ғы көлемді зарядтың өрісінің қалыптасуы: |
1 |
донор және акцептор қоспаларының теңестірілмеген зарядтарымен |
1 |
екі әртүрлі аттас зарядталған қабаттармен. |
1 |
теңестірілген күймен (мұнда диффузиядан болатын негізгі тасымалдаушылардың аз тогы және түйісу өрісінің әсерінен болатын негізгі емес тасымалдаушылардың тогы, бұл токтар бір-бірін теңестіреді). |
Вопрос №9
V3 |
n-pауысуының КЗО (кеңістіктік заряд облысы)-ғы ішкі электрлік өрісі: |
1 |
болмайды |
1 |
КЗО қысқарады, егер оң потенциал p-облысына қосылған болса, онда потенциалды барьер төмендейді (тура ығысу) |
1 |
КЗО қысқарады, егер теріс потенциал n -облысына қосылған болса, онда потенциалды барьер төмендейді (кері ығысу) |
Вопрос №10
V3 |
Температураның өсуімен жартылай өткізгіштегі қоспа диффузиясы процесінің өту жылдамдығы: |
1 |
өседі |
1 |
процестің өту уақытына байланысты өседі |
1 |
процестің өту уақытына және енгізетін қоспалардың (акцепторлық немесе донорлық) түріне байланысты өседі |
