Вопрос 11

V3

Кремний аспаптық құрылымдағы сапфирлі кремний қышқылының(SiO2) қолданысы:

1

қорғау және тұрақтандырғыш жаппаны қалыптастыру үшін

1

диэлектрик ретінде

1

сапфирлі кремний космостық бағдарламаларда қолданылады, ол сәулеленуге жоғары мықтылығымен түсіндіріледі

V3

Диодтың вольт-амперлік сипаттамасы(Шокли теңдеуі):

1

1

1

V3

Өрнектелмеген р-жартылай өткізгіштің Ферми деңгейі мына жерде орналасады:

1

тыйым салынған аймақта, валенттік аймақтың жоғары бөлігіне жақын

1

тыйым салынған аймақтан валенттік аймақтың максималды мәніне дейінгі аралық

1

өткізгіштік аймақтан өтіп, валенттік аймаққа жетеді

V3

Суретте шартты-графикалық белгілену келтірілген:

1

түзеткіштің активті жүктемеге жұмыс істеу сұлбасы

1

бір жарты периодты түзеткіш

1

төменгі жиілікті сүзгілі түзеткіш сұлбасы

V3

Стабилитронның қосылу сұлбасы:

0

1

1

1

V3

Жартылай өткізгішті стабилитрон – бұл жартылай өткізгішті диод, ондағы кернеу электрлік тесілу облысында токтан аз тәуелді және оның қызметі:

1

керенеуді тұрақтандыру

1

ВАС кері бөлігінде тұрақты кернеуді ұстап тұру

1

I_min-дан I_max-ға дейінгі аумақта бір кернеудің мәнін ұстап тұру

V3

Сыйымдылық ретінде қолданылатын диод:

1

варикап

1

вариконд

1

варикап

V3

p-n ауысуының ВАС суреттеуі, бұл:

1

I=I₀expU[/(ϕT −1)

1

Шоклиформуласы

1

V3

Жартылай өткізгіштердің тыйым салынған аймақтың ені:

1

3 эВ-тен аз, тыйым салынған аймақтың ені ~0.3 эВ-те аз жартылай өткізгіштер тар аймақты жартылай өткізгіштер деп аталады

1

3 эВ-тен көп, тыйым салынған аймақтың ені ~0.3 эВ-те көп жартылай өткізгіштер кең аймақты жартылай өткізгіштер деп аталады

1

сипаттықмәні0,1—4 эВ құрайды

V3

Жартылай өткізгіштердегі заряд тасымалдаушылардың бағытталған қозғалысының негізгі мүмкін болатын түрлері -

1

диффузиялық және дрейфтік

1

заряд тасымалдаушылардың қозғалысы концентрация айырымына байланысты

1

заряд тасымалдаушылардың қозғалысы электрлік өріс кернеулігіне байланысты

V3

Диффузиялық ұзындық:

1

диффузиялық қозғалыс кезіндегі бос жүрістің ұзындығы

1

заряд тасымалдаушылардың концентрациясыдиффузиялық қозғалыс кезінде 5 есеге азаятын ара қашықтық

1

L = D.t.

V3

Жартылай өткізгіштің теориялық түрінен реалды ВАС-ның айырмашылығына алып келетін негізгі факторлар:

1

жартылай өткізгіштердегі генерация және рекомбинация токтары

1

p-n ауысу өлшемдерінің түпкілігі

1

температураға тәуелділігі

V3

p-n ауысудың кері кернеуінің өсуі (модуль бойынша) кезінде барьерлік сыйымдылықтың өзгерісі:

1

сызықты заң бойынша азаяды

1

азаяды

1

сол кернеудің модулі бойынша сәйкесінше азаяды

V3

Жартылай өткізгішті диодтың ВАС-на температураның өсуінің әсері:

0

кері ток өседі, ал тура ток азаяды

1

әсер етеді, көптеген диодтар үшін температураның жоғарылауынан тесілу аз кернеу кезде басталады

1

температураның жоғарылауынан кері ток айтарлықтай өседі, ал тура ток аса өзгермейді

V3

Аз айнымалы сигнал кезінде p-n ауысудың эквиваленттік сұлбасы:

1

1

1

V3

Жартылай өткізгішті диодтың төменде көрсетілгеннің ішінен электрлік тесілуі:

1

ауысу арқылы кері ток мәнінің өсуі кезінде p-n ауысудағы кернеудің жылдам өсуі

1

ауысу арқылы кері кернеу мәнінің өсуі кезінде p-n ауысудағы токтың жылдам өсуі

1

осы диод мәні үшін қысылшаң болатын кері кернеуге жету кезінде диод арқылы кері токтың жылдам өсу құбылысы

V3

Туннельдік диодтың вольтамперлік сипаттамасы:

1

0

туннельдік диодтың ВАС-ы теріс дифференциалды кедергінің бөлігімен сипатталады

1

1

туннельдік диодтың ВАС-ы жабық күйді, өтпелі процесті және ашық күйді көрсетеді

V3

Бір фазалы көпірлік түзеткіштің сұлбасы мына суретте көрсетілген:

1

1

1

V3

p-n ауысудың мына ерекше қасиеті туннельдік диодтың жұмысында қолданылады:

1

туннельдік тесілу

1

теріс дифференциалды кедергісі бар бөліктің болуы

1

онда электрон қозғалысына кедергі болатын өте тар потенциалды барьер болады, оның вольтамперлік сипаттамасы туннельдеудің квантомеханикалық процесімен анықталады

V3

Айнымалы токты түзету үшін қолданылатын диод:

1

түзеткіштік

1

бір жақты өткізгіштігі бар құрылғы

1

түрлендіргіш

V3

Құйма мен бастаудың n+ облысын қалыптастыру үшін қолданылатын қоспалар:

1

фосфор, бор

1

V топтың элементтері

1

жартылай өткізгішке қарағанда бір топқа үлкен элементтер

V3

Заряд тасымалдаушылардың өткізетін арнаға өтуін жүзеге асыратын электрод:

1

бастау

1

арнадағы негізгі тасымалдаушылардың инжекцияланатын транзистор облысы

1

негізгі тасымалдаушылар өтетін ұзындықты байланыстыртын облыс

V3

Арнаның ұзындығы:

1

n-текті немесе p-текті бастау және құйма облыстарының ара қашықтығы

1

бастау мен құйма облыстарының ұзындығын қосқандағы ара қашықтық және олардың арасындағы аралық қашықтық

1

тиекпен басқарылатын төсеме бөліктегі арнаның ара қашықтығы

V3

Тиектегі кернеу оң болатын процестің түсіндірілуі:

1

электрондар Si-SiO2 бөлімінің жазығынан тебіле бастайды

1

тиек n-арналы транзистордың оң кернеуімен басқарылады

1

n-арналы транзисторға қорек дұрыс берілген

V3

Табалдырықтық кернеу:

1

Si-SiO2 жазығының қасындағы электрондар концентрациясы төсемдегі кемтіктер концентрациясынан 2 есеге көп кезіндегі кернеу

1

бұл индукцияланған арналы оқшауланған тиекті транзистор үшін тиек-бастау кернеуі, онда құйма тогы берілген мәнге жетеді

1

айрықшаланған құйма тогы көрінетін тиек кернеуі

V3

Суретте көрсетілген сипаттама:

1

p-n-ауысуымен басқарылатын транзистордың құйма-тиектік сипаттамасы

1

токсыз кернеу бейнеленген p-n-ауысуымен басқарылатын транзистордың құйма-тиектік сипаттамасы

1

p-n-ауысуымен басқарылатын транзистордың басқарушы емес сипаттамасы

V3

Кедейленген қабат қалыңдығының үлкеюінің болуы:

1

тиек пен төсем, құйма мен бастау арасында туындайтын екі электрлік өрістердің бір-біріне әсерінен

1

арнаның қалыңдығы мен қиғаш кесуі тиектегі кернеудің өзгерісінен

1

құйма тогының өзгеруі, яғни жүктеме тізбегіндегі ток қуатты қорек көзіне қатысты да өзгеруінен

V3

Биполярлық транзистордың өрістік транзистордан ерекшелігі:

1

биполярлық транзисторда белгі тасымалдаушылардың екі түрі болады

1

өрістік транзистордағы тиектегі кернеумен жасалатын электрлік өрістің тогына «перпендикулярлы» әрекет нәтижесінде өзгеретін ток

1

өрістік транзистордағы жұмыс тогының өтуі тек бір белгідегі заряд тасымалдаушылармен шартталған

V3

Бастаудан құймаға дейін арнасы болатын аспаптың жұмыс параметрінің облысы:

1

модуляция облысы

1

ішкі тиектік облыс

1

КЗО (кеңістіктік заряд облысы)

V3

Графикке қарап транзистор сипаттамаларының тегі:

1

p-n-ауысуымен басқарылатын өрістік транзистордың құймалық және құйма-тиектік сипаттамалары

1

p-n-ауысуымен басқарылатын өрістік транзистордың басқарушы сипаттамалары

1

өрістік транзистордың негізгі сипаттамалары

V3

Шартты белгіленулер: 1) қондырылған р-арналы оқшауланған тиекті МДЖ-транзистор, 2) индукцияланған n-арналы және бір ауысулы транзистор

1

1

1

V3

Арнаның қимасы өрістік транзистор кернеуінің U_қб шамасына тәуелді немесе тәуелді еместігі:

1

тәуелді, өйткені арнадағы кернеудің түсуі ауысудағы кернеуді, сонымен қатар оның енін анықтайды

1

тәуелді, өйткені транзистордың U_қб өзгеруі кезінде тасымалдаушылар инжекциясының деңгейі өзгереді

1

тәуелді, өйткені тиектегі кернеумен басқарылады

V3

Өрістік транзистордың тіктігінің анықтамасы:

1

S=

1

_{өрістік транзистордың тіктік сипаттамасы биполярлық транзисторға қарағанда 1-2 ретке кем, сондықтан жүктеменің аз кедергісі кезінде өрістік транзистор каскадының күшейту коэффициенті биполярлық транзистордағы осы секілді каскадтың күшейту коэффициентінен аз}

1

V3

Өрістік транзистордың кіріс кедергісінің шамасы:

1

бірнеше МОм

1

биполярлық транзистордың кіріс кедергісінен әлдеқайда үлкен

1

үлкен, өйткені құрылымда диэлектрик қабаттары болады

V3

Суретте көрсетілген транзистор:

1

p-n-ауысуымен басқарылатын және n-арналы өрістік транзистор

1

күшейткіш ретінде қолданылатын транзистор

1

диэлектрик қабаты болмайтын транзистор

V3

Суретте көрсетілген транзистор:

1

p-n-ауысуымен басқарылатын және p-арналы өрістік транзистор

1

арна кедергісінің өзгерісімен басқарылатын транзистор

1

күшейткіш ретінде қолданылатын және диэлектрик қабаты болмайтын транзистор

V3

С уретте көрсетілген транзистордың дұрыс жауабы:

1

индукцияланған n-арналы МДЖ-транзистор

1

негізгі заряд тасымалдаушысы электрон болып келетін индукцияланған арналы МДЖ-транзистор

1

заряд тасымалдаушысы теріс болып келетін индукцияланған арналы МДЖ-транзистор

V3

С уретте көрсетілген транзистор:

1

p-n-ауысуымен басқарылатын және p-арналы өрістік транзистор

1

негізгі заряд тасымалдаушысы электрон болып келетін қондырылған арналы МДЖ-транзистор

1

негізгі заряд тасымалдаушысы теріс болып келетін қондырылған арналы МДЖ-транзистор