01 Жартылай өткізгішті диодтар

$$$001

Диодтың суретте көрсетілгендей ВАС-ы бар, ондағы U=2В, I₁=1А. Резистордың кедергісі:

A) 1 Ом

F)табалдырықтық кернеуге тең

G) диодтың толық ашылуы кезіндегі кернеу мен токтың мәндеріне тең

$$$002

Токты тұрақтандыру үшін вольт-амперлік сипаттамасы бар сызықты емес элемент қолданылады, ол мына суретке сәйкес келеді:

A)

F)

G)

$$$003

Диодтың вольт-амперлік сипаттамасы(Шокли теңдеуі):

B)

D)

E)

$$$004

Суретте шартты-графикалық белгілену келтірілген:

A) түзеткіштің активті жүктемеге жұмыс істеу сұлбасы

D) бір жарты периодты түзеткіш

E) төменгі жиілікті сүзгілі түзеткіш сұлбасы

$$$005

Стабилитронның қосылу сұлбасы:

B)

F)

G)

$$$006

Аз айнымалы сигнал кезінде p-n ауысудың эквиваленттік сұлбасы:

B)

F)

H)

$$$007

Бір фазалы көпірлік түзеткіштің сұлбасы мына суретте көрсетілген:

A)

G)

H)

$$$008

Суретте көрсетілген сипаттама:

A) p-n-ауысуымен басқарылатын транзистордың құйма-тиектік сипаттамасы

D) токсыз кернеу бейнеленген p-n-ауысуымен басқарылатын транзистордың құйма-тиектік сипаттамасы

G) p-n-ауысуымен басқарылатын транзистордың басқарушы емес

$$$009

Графикке қарап транзистор сипаттамаларының тегі:

A) p-n-ауысуымен басқарылатын өрістік транзистордың құймалық және құйма-тиектік сипаттамалары

D) ) p-n-ауысуымен басқарылатын өрістік транзистордың басқарушы сипаттамалары

F) өрістік транзистордың негізгі сипаттамалары

$$$010

Шартты белгіленулер: 1) қондырылған р-арналы оқшауланған тиекті МДЖ-транзистор, 2) индукцияланған n-арналы және бір ауысулы транзистор

B)

C)

E)

$$$011

Суретте көрсетілген транзистор:

B) p-n-ауысуымен басқарылатын және n-арналы өрістік транзистор

F) күшейткіш ретінде қолданылатын транзистор

G) диэлектрик қабаты болмайтын транзистор

$$$012

Суретте көрсетілген транзистор:

D) p-n-ауысуымен басқарылатын және p-арналы өрістік транзистор

F) арна кедергісінің өзгерісімен басқарылатын транзистор

G) күшейткіш ретінде қолданылатын және диэлектрик қабаты болмайтын транзистор

$$$013

Суретте көрсетілген транзистордың дұрыс жауабы:

A) индукцияланған n-арналы МДЖ-транзистор

F) негізгі заряд тасымалдаушысы электрон болып келетін индукцияланған арналы МДЖ-транзистор

H) заряд тасымалдаушысы теріс болып келетін индукцияланған арналы МДЖ-транзистор

$$$014

Суретте көрсетілген транзистор:

C) қондырылған n-арналы МДЖ-транзистор

F) негізгі заряд тасымалдаушысы электрон болып келетін қондырылған арналы МДЖ-транзистор

G) негізгі заряд тасымалдаушысы теріс болып келетін қондырылған арналы МДЖ-транзистор

$$$015

Суретте көрсетілген транзистор:

C) қондырылған p-арналы МДЖ-транзистор

G) қондырылған МДЖ-транзистор, мұнда негізгі заряд тасымалдаушылары болып кемтіктер саналады

H) қондырылған р-арналы оқшауланған тиекті өрістік транзистор

$$$016

Суретте көрсетілген транзистор:

E) индукцияланған р -арналы МДЖ-транзистор

F) индукцияланған р-арналы оқшауланған тиекті өрістік транзистор

H) теріс зарядталған заряд тасымалдаушылары бар қондырылған арналы МДЖ-транзистор

$$$017

Суреттегі көрсетілген құрылғы:

А) оптрондар

D) шығысында құрамды транзисторы бар оптоэлектронды құрылғы

H) шығысында Дарлингтон шығысы бар құрылғы

$$$018

Суретте көрсетілген оптожұп:

А)диодтық оптрон

D) шығысында құрамды транзисторы бар оптоэлектронды құрылғыH) жарық сигналы электрлік сарынды шақыратын фотоқабылдағыштағы диод

$$$019

Бақылау оптроны бар кернеу тұрақтандырғышы сұлбасында орындалатындар:

А) светодиодпен өндірілетін сәулелену қуаты

B) фотоағын деңгейі

C) сәуле шығарғыштың өткізгіштігі

$$$020

Оптрондар оптикалық арна бойынша ТТЛ және МТЖ элементтерін түйістіру сұлбаларында:

А) ауруды жоғары кернеу әрекеттерінен оқшаулауға мүмкіндік береді (электрокардиографиялық аспаптар).

G) оптикалық арна бойынша өлшеуіш аспаптардағы жерлендіру және қоректендіру тізбектері бойынша әсер ететін бөгеуілдердің әсерін азайтады

H) телефон желілеріне микроэлектрондық құрылғыларды қосады

$$$021

Фотодиодтың ВАС-ы:

A)

E) I=f(U)/Ф=const

F) түзеткіш диодтың кері тармақты ВАС (қараңғылықты режим)

$$$022

Светодиодтың жарықтық сипаттамасы:

C)

F) L=f(Iтура) жарықтанудың тура токтан тәуелділігі

H) бұл сипаттама сызықсыздығымен ерекшеленеді

$$$023

Түрлендіргіш сұлбасы немесе светодиодтың қосылу суреті:

A)

E)

F)

$$$024

Туннельдік диодтың вольтамперлік сипаттамасы:

B)

F) туннельдік диодтың ВАС-ы теріс дифференциалды кедергінің бөлігімен сипатталады

H)туннельдік диодтың ВАС-ы жабық күйді, өтпелі процесті және ашық күйді көрсетеді

$$$025

Диодтық оптронның шартты белгіленуі:

А)

E)

F)

$$$026

Транзисторлық оптронның шартты белгіленуі:

А)

В)

D)

$$$027

Резисторлық оптронның шартты белгіленуі:

А)

E)

G)

$$$028

Тиристорлық оптронның шартты белгіленуі:

D)

E)

G)

$$$231

Суреттегі көрсетілген сұлба:

C) терістейтін күшейткіш

F) сигналды -ға айналдыратын күшейткіш

H) сигналды 180⁰С-ға айналдыратын күшейткіш

{Правильный ответ} = C, F, Н

$$$232

Суретте көрсетілген сұлба:

C) кернеу тұрақтандырғышы

F) тұрақты кернеуді ұстап тұрудың құрылғысы

G) U=const ұстап тұру үшін тіректі диодтар негізіндегі құрылғы

{Правильный ответ} = C, F, G

$$$234

Суретте көрсетілген сұлба:

B) компаратор

F) кернеуді салыстыру құрылғысы

G) аналогты сигналды тіректі кернеумен салыстыру құрылғысы

{Правильный ответ} = B, F, G

$$$235

Суретте көрсетілген сұлба:

A) Шмидт триггері

F) екі орнықты теңділік күйі бар және аналогты сигналды импульстік сигналға түрлендіретін құрылғы

G) басқарылатын компаратор

{Правильный ответ} = A, F, G

$$$236

Суретте көрсетілген сұлба:

B) интегратор

F) сызықты өзгеретін кернеу генераторының қарапайым сұлбасы болып табылатын құрылғы

G) осы құрылғының негізінде төменгі жиіліктегі активті (ТЖС) сүзгіні жасауға болады

{Правильный ответ} = B, F,G

$$$244

Суретте көрсетілген сұлба:

C) дифференциатор

F) құрылғы жоғары жиіліктегі сүзгі ретінде қолданылады

H) құрылғы жолақты сүзгі ретінде қолданылады

{Правильный ответ} = C, F, Н

$$$245

Суретте көрсетілген сұлба:

C) кернеу қайталағышы

F) 100% кері байланысы бар құрылғы

H) шығысында кіріс сигнал қайталанатын құрылғы

{Правильный ответ} = C, F, H

$$$246

Суретте көрсетілген сұлба, егер R_кб=R:

C) инвертор

F) терістейтін күшейткіш

G) кернеу бойынша тізбектелген теріс кері байланысы (ТКБ) бар құрылғы

{Правильный ответ} = C, F, G

$$$247

Суретте көрсетілген сұлба:

B) терістемейтін күшейткіш

G) шығысында кіріс сигнал форма бойынша қайталанатын құрылғы

H) R_ос= 0, R₁=→К_U = 1 болатын құрылғы

{Правильный ответ} = B, G, Н

$$$248

Суретте көрсетілген сұлба:

A) терістейтін күшейткіш

F) шығыс сигнал кіріс сигналын форма бойынша 180⁰С-ға қайталайтын құрылғы

G) күшейту коэффициенті ОК параметрлеріне тәуелді емес

{Правильный ответ} = A, F, G

$$$249

Суретте көрсетілген сұлба:

A) компаратор

F) кернеуді салыстыру құрылғысы

G) аналогты сигналды тіректік кернеумен салыстыруға арналған құрылғы

{Правильный ответ} = A, F, G

$$$251

Мультивибратор сұлбасында C1конденсаторының атауы:

C) уақыт беруші

F) уақытты қоюшы элемент

G) заряд және разряд элементі бар тізбек

{Правильный ответ} = C, F, G

$$$252

Автотербелісті мультивибратор сұлбасында R1=2R2, мұндағы қуыстылық Q:

B) Q=T/tu =2

C) периода импульстік сигнал периодының оның ұзақтығына қатынасына тең шама

D) толықтыру коэффициенті деп аталатын кері шама, ол D (ағылшынша Duty cycle) әрпімен белгіленеді

{Правильный ответ} = B, С, D

$$$254

Суретте көрсетілген сұлба:

B) автотербелісті мультивибратор

F) тікбұрышты қалыпқа жақын электрлік тербелістерді өндіретін электрондық құрылғы

G) көптеген гармоникаларды өндіретін құрылғы

{Правильный ответ} = B, F, G

$$$255

Суретте көрсетілген сұлба:

B) күтуші мультивибратор

F) тікбұрышты қалыпқа жақын электрлік тербелістерді өндіретін электрондық құрылғы

G) көптеген гармоникаларды өндіретін құрылғы

{Правильный ответ} = B, F, G

$$$258

Операциялық күшейткіштегі мультивибратордың өндіретін сигналдары:

С)

F) тікбұрышты импульстер

G) квазитікбұрышты импульстер

{Правильный ответ} = C, F. G

$$$259

Мультивибратор оң полярлықта импульстерді өндіреді, шығыс импульстерінің полярлығын өзгерту үшін сұлбада жасалынатын қажеттілік:

C) диодты кері бағытта аудару

F) диод арқылы өтетін токтың бағытын ауыстыру

G) диодты тура немесе кері бағытта қосу қажет

{Правильный ответ} = C, F, G

$$$260

Мультивибратор сұлбасында C2 конденсаторының аталуы:

B) айырымды

F) импульсті іздей келе периодты ауыстырғыш

G) кернеуді сызықты жоғарылатқыш

{Правильный ответ} = B, F, G

$$$261

Мультивибратор сұлбасында R резисторының аталуы:

C) уақыт беруші

F) уақытты қоятын элемент

G) уақыт және период элементі бар тізбек

{Правильный ответ} = C, F, G

$$$262

Мультивибратор сұлбасында D1 диодының аталуы:

E) блоктаушы

F) шунттаушы

G) кілттік

{Правильный ответ} = E, F, G

$$$263

Мультивибратор сұлбасында D2 диодының аталуы:

D) алып тастаушы

F) шектегіш

H) керексіз параметрлерге қарсы тұруды орындағыш

{Правильный ответ} = D, F, H

$$$264

Диодты аударып қойғандағы мультивибратор жұмысының өзгерісі:

B) шығыс импульстерінің полярлығы өзгереді

F) оң импульстер теріске ауысады

H) теріс импульстер оңға ауысады

{Правильный ответ} = B, F, H

$$$265

Мультивибратор шығыс импульстері ұзақтығының тәуелділігі:

A) С₁ конденсатор зарядының уақытынан

F) сыйымдылық элемент зарядының уақытынан

H) терістейтін кірістегі жинағыш элементтің уақытынан

{Правильный ответ} = A, F, H

$$$266

Мультивибратор шығыс импульстерінің қайталану периодының тәуелділігі:

B) жіберілетін импульстердің қайталану периодынан

F) жіберілетін импульстердің қайталану ұзақтығынан

H) жіберілетін импульстердің қайталану периодынан және жиілігінен

$$$003

Егер элементтің кедергісі токтан немесе келтірілген кернеуге байланысты болса, онда мұндай элементтің аталуы:

C) сызықты

E)тура байланысты сипаттамасы бар элемент

H)сызықты ВАС-ы бар элемент

$$$004

Электрлік кернеуі мен электрлік тогы бір-бірімен сызықты емес тәуелділікпен байланысты электрлік тізбектің аталуы:

C) сызықты емес электрлік тізбек

E)құрамында резистивті элементтері жоқ электрлік тізбек

F)құрамында R,L,C элементтері бар күрделі тізбектің бөлігі

$$$005

Түзеткіш сұлбасында стабилитронның қызметі:

C) тұрақтандырғыш

E) тұрақты кернеуді ұстап тұрудың аспабы

F)тіректі диод

$$$006

Электрондардың дрейфті тогының тығыздығы:

A) j_n = eD_ndn/dx

D)

E) J=∙E

{Правильный ответ} = А, D, E

$$$007

Диодтың р-облысындағы электрондардың диффузиялық ұзындығы мен заряд тасымалдаушылардың өмір сүру уақытының арасындағы қатынас:

A)

C)

D)заряд тасымалдаушылардың өмір сүру уақыты мен диффузия коэффициентініңекі параметрінің байланысы

(Правильный ответ) = А, D,С

$$$008

n-pауысуының КЗО (кеңістіктік заряд облысы)-ғы көлемді зарядтың өрісінің қалыптасуы:

A) донор және акцептор қоспаларының теңестірілмеген зарядтарымен

D)екі әртүрлі аттас зарядталған қабаттармен

E)теңестірілген күймен (мұнда диффузиядан болатын негізгі тасымалдаушылардың аз тогы және түйісу өрісінің әсерінен болатын негізгі емес тасымалдаушылардың тогы, бұл токтар бір-бірін теңестіреді).

{Правильный ответ} = А,D,E

$$$009

n-pауысуының КЗО (кеңістіктік заряд облысы)-ғы ішкі электрлік өрісі:

A)болмайды

D)КЗО қысқарады, егер оң потенциал p-облысына қосылған болса, онда потенциалды барьер төмендейді (тура ығысу)

E)КЗО қысқарады, егер теріс потенциал n -облысына қосылған болса, онда потенциалды барьер төмендейді (кері ығысу)

{Правильный ответ} = А,D,Е.

$$$0010

Температураның өсуімен жартылай өткізгіштегі қоспа диффузиясы процесінің өту жылдамдығы:

A) өседі

D) процестің өту уақытына байланысты өседі

F) процестің өту уақытына және енгізетін қоспалардың (акцепторлық немесе донорлық) түріне байланысты өседі

{Правильный ответ} = А,D,F

$$$0011

Кремний аспаптық құрылымдағы сапфирлі кремний қышқылының(SiO2) қолданысы:

C) қорғау және тұрақтандырғыш жаппаны қалыптастыру үшін

E)диэлектрик ретінде

F)сапфирлі кремний космостық бағдарламаларда қолданылады, ол сәулеленуге жоғары мықтылығымен түсіндіріледі

{Правильный ответ} = Е,F,C

$$$0013

Өрнектелмеген р-жартылай өткізгіштің Ферми деңгейі мына жерде орналасады:

C) тыйым салынған аймақта, валенттік аймақтың жоғары бөлігіне жақын

F) тыйым салынған аймақтан валенттік аймақтың максималды мәніне дейінгі аралық

G)өткізгіштік аймақтан өтіп, валенттік аймаққа жетеді

{Правильный ответ} = C, F,G

{Правильный ответ} = А, D, E

{Правильный ответ} = B,F,G

$$$0016

Жартылай өткізгішті стабилитрон – бұл жартылай өткізгішті диод, ондағы кернеу электрлік тесілу облысында токтан аз тәуелді және оның қызметі:

D) керенеуді тұрақтандыру

E)ВАС кері бөлігінде тұрақты кернеуді ұстап тұру

G)I_min-дан I_max-ға дейінгі аумақта бір кернеудің мәнін ұстап тұру

{Правильный ответ} = D, Е,G

$$$0017

Сыйымдылық ретінде қолданылатын диод:

C) варикап

F) вариконд

G) варикап

{Правильный ответ} = С, F, G

$$$0018

p-n ауысуының ВАС суреттеуі, бұл:

B) I=I₀expU[/(ϕT −1)

D) Шоклиформуласы

E)

{Правильный ответ} = В,D,Е

$$$0019

Жартылай өткізгіштердің тыйым салынған аймақтың ені:

A) 3 эВ-тен аз, тыйым салынған аймақтың ені ~0.3 эВ-те аз жартылай өткізгіштер тар аймақты жартылай өткізгіштер деп аталады

B) 3 эВ-тен көп, тыйым салынған аймақтың ені ~0.3 эВ-те көп жартылай өткізгіштер кең аймақты жартылай өткізгіштер деп аталады

F) сипаттықмәні0,1—4 эВ құрайды

{Правильный ответ} = А, F,В

$$$0020

Жартылай өткізгіштердегі заряд тасымалдаушылардың бағытталған қозғалысының негізгі мүмкін болатын түрлері -

A) диффузиялық және дрейфтік

G) заряд тасымалдаушылардың қозғалысы концентрация айырымына байланысты

H)заряд тасымалдаушылардың қозғалысы электрлік өріс кернеулігіне байланысты

{Правильный ответ} = А,Н,G

$$$0021

Диффузиялық ұзындық:

A) диффузиялық қозғалыс кезіндегі бос жүрістің ұзындығы

B) заряд тасымалдаушылардың концентрациясыдиффузиялық қозғалыс кезінде 5 есеге азаятын ара қашықтық

F) L = D.t.

{Правильный ответ} = А,F,B

$$$0022

Жартылай өткізгіштің теориялық түрінен реалды ВАС-ның айырмашылығына алып келетін негізгі факторлар:

A) жартылай өткізгіштердегі генерация және рекомбинация токтары

C) p-n ауысу өлшемдерінің түпкілігі

E)температураға тәуелділігі

{Правильный ответ} = А, Е,С

$$$0023

p-n ауысудың кері кернеуінің өсуі (модуль бойынша) кезінде барьерлік сыйымдылықтың өзгерісі:

D) сызықты заң бойынша азаяды

E) азаяды

H)сол кернеудің модулі бойынша сәйкесінше азаяды

{Правильный ответ} = D,E,Н

$$$0024

Жартылай өткізгішті диодтың ВАС-на температураның өсуінің әсері:

D) кері ток өседі, ал тура ток азаяды

F) әсер етеді, көптеген диодтар үшін температураның жоғарылауынан тесілу аз кернеу кезде басталады

H) температураның жоғарылауынан кері ток айтарлықтай өседі, ал тура ток аса өзгермейді

{Правильный ответ} = F,D,Н,

$$$0026

Жартылай өткізгішті диодтың төменде көрсетілгеннің ішінен электрлік тесілуі:

B) ауысу арқылы кері ток мәнінің өсуі кезінде p-n ауысудағы кернеудің жылдам өсуі

D) ауысу арқылы кері кернеу мәнінің өсуі кезінде p-n ауысудағы токтың жылдам өсуі

F) осы диод мәні үшін қысылшаң болатын кері кернеуге жету кезінде диод арқылы кері токтың жылдам өсу құбылысы

{Правильный ответ} = В,D, F,

$$$029

p-n ауысудың мына ерекше қасиеті туннельдік диодтың жұмысында қолданылады:

C) туннельдік тесілу

F) теріс дифференциалды кедергісі бар бөліктің болуы

G)онда электрон қозғалысына кедергі болатын өте тар потенциалды барьер болады, оның вольтамперлік сипаттамасы туннельдеудің квантомеханикалық процесімен анықталады

{Правильный ответ} = C,F,G

$$$030

Айнымалы токты түзету үшін қолданылатын диод:

A) түзеткіштік

F) бір жақты өткізгіштігі бар құрылғы

G) түрлендіргіш

{Правильный ответ} = A,F, G

03 Өрістік транзисторлар

$$$61

Құйма мен бастаудың n+ облысын қалыптастыру үшін қолданылатын қоспалар:

A) фосфор, бор

B) V топтың элементтері

D) жартылай өткізгішке қарағанда бір топқа үлкен элементтер

{Правильный ответ} = A,B, D

$$$62

Заряд тасымалдаушылардың өткізетін арнаға өтуін жүзеге асыратын электрод:

B) бастау

D) арнадағы негізгі тасымалдаушылардың инжекцияланатын транзистор облысы

H) негізгі тасымалдаушылар өтетін ұзындықты байланыстыртын облыс

{Правильный ответ} = B, D, H

$$$63

Арнаның ұзындығы:

A) n-текті немесе p-текті бастау және құйма облыстарының ара қашықтығы

B) бастау мен құйма облыстарының ұзындығын қосқандағы ара қашықтық және олардың арасындағы аралық қашықтық

D) тиекпен басқарылатын төсеме бөліктегі арнаның ара қашықтығы

{Правильный ответ} = A, B, D

$$$64

Тиектегі кернеу оң болатын процестің түсіндірілуі:

A) электрондар Si-SiO2 бөлімінің жазығынан тебіле бастайды

E) тиек n-арналы транзистордың оң кернеуімен басқарылады

H) n-арналы транзисторға қорек дұрыс берілген

{Правильный ответ} = A, E, H

$$$65

Табалдырықтық кернеу:

А) Si-SiO2 жазығының қасындағы электрондар концентрациясы төсемдегі кемтіктер концентрациясынан 2 есеге көп кезіндегі кернеу

D) бұл индукцияланған арналы оқшауланған тиекті транзистор үшін тиек-бастау кернеуі, онда құйма тогы берілген мәнге жетеді

F) айрықшаланған құйма тогы көрінетін тиек кернеуі

{Правильный ответ} = A, D, F

$$$67

Кедейленген қабат қалыңдығының үлкеюінің болуы:

А) тиек пен төсем, құйма мен бастау арасында туындайтын екі электрлік өрістердің бір-біріне әсерінен

D) арнаның қалыңдығы мен қиғаш кесуі тиектегі кернеудің өзгерісінен

F) құйма тогының өзгеруі, яғни жүктеме тізбегіндегі ток қуатты қорек көзіне қатысты да өзгеруінен

{Правильный ответ} = А, D, F

$$$68

Биполярлық транзистордың өрістік транзистордан ерекшелігі:

A) биполярлық транзисторда белгі тасымалдаушылардың екі түрі болады

D) өрістік транзистордағы тиектегі кернеумен жасалатын электрлік өрістің тогына «перпендикулярлы» әрекет нәтижесінде өзгеретін ток

F) өрістік транзистордағы жұмыс тогының өтуі тек бір белгідегі заряд тасымалдаушылармен шартталған

{Правильный ответ} = А, D, F

$$$69

Бастаудан құймаға дейін арнасы болатын аспаптың жұмыс параметрінің облысы:

C) модуляция облысы

D) ішкі тиектік облыс

E) КЗО (кеңістіктік заряд облысы)

{Правильный ответ} = С, D, Е

{Правильный ответ} = B, С,E

$$$72

Арнаның қимасы өрістік транзистор кернеуінің U_қб шамасына тәуелді немесе тәуелді еместігі:

B) тәуелді, өйткені арнадағы кернеудің түсуі ауысудағы кернеуді, сонымен қатар оның енін анықтайды

D) тәуелді, өйткені транзистордың U_қб өзгеруі кезінде тасымалдаушылар инжекциясының деңгейі өзгереді

F) тәуелді, өйткені тиектегі кернеумен басқарылады

{Правильный ответ} = B, D, F

$$$73

Өрістік транзистордың тіктігінің анықтамасы:

C) S=

_{F) өрістік транзистордың тіктік сипаттамасы биполярлық транзисторға қарағанда 1-2 ретке кем, сондықтан жүктеменің аз кедергісі кезінде өрістік транзистор каскадының күшейту коэффициенті биполярлық транзистордағы осы секілді каскадтың күшейту коэффициентінен аз} G)

{Правильный ответ} = С,F, G

$$$74

Өрістік транзистордың кіріс кедергісінің шамасы:

A) бірнеше МОм

F) биполярлық транзистордың кіріс кедергісінен әлдеқайда үлкен

G) үлкен, өйткені құрылымда диэлектрик қабаттары болады

{Правильный ответ} = A, F, G

05 Оптрондар

$$$122

Сигналдық тізбектердің немесе коммутацияның аз тогы бар тізбектердің гальваникалық ағытылуы үшін қолданылатын аспаптар:

А) оптрондар

D) сәуле шығарғышқа келетін кіріс электрлік сигналы фотоқабылдағышқа әсер ете келіп, оның өткізгіштігін өзгертетін жарық ағынына түрленетін оптоэлектронды құрылғы

E) құрамында сәуле шығарғыш мен фотоқабылдағыш бар аспап

{Правильный ответ} = А, D, E

$$$125

Өте дәл жоғары вольтты тізбектердің коммутациясы үшін қолданылатын оптожұп:

А)тиристорлық оптрон

D) симисторлық оптрон

F) динисторлық оптрон

{Правильный ответ} = А, D, F

$$$126

Фотоөткізгіштік әсері, яғни жарық кезінде жартылай өткізгіштің кедергісінің өзгеруінде қолданылатын оптожұп:

C) резисторлық оптрон

D) R-дағы оптрон

F) динисторлық оптрон

{Правильный ответ} = C,D, F

$$$127

Ашық оптикалық арнасы бар оптрондардың тіркелуі:

А) заттардың болуы (немесе болмауы)

B) зат жазықтығының күйі

C) орын ауыстыру немесе бұрылыс жылдамдығы

{Правильный ответ} = А,В, С

$$$130

Талшықтық жарық өткізгіш, бұл –

A) оптикалық мөлдір шыныдан жасалған жіңішке жіп.

B) аз диаметрлі шыны жіп.

G) ені бірнеше микрон болатын шыныталшық.

{Правильный ответ} = А, В, G

$$$131

Жарық өткізгішпен жарық таратылуы:

A) ирек тектес траектория бойынша

C) талшық бойының айналатын траекториясы бойынша

E) р-n ауысудағы сәулелену рекомбинациясын қолдану арқылы

{Правильный ответ} = А, Е, С

$$$132

Сәуле шығарғыш диодтың әрекетінің негізделуі:

A) ижекциялық электролюминисенция құбылысына

B) жарықты күшейту және лазер принципі бойынша жұмыс істейтін сәуле шығарғышты пайдалануға

G) индуциялық сәулелену мен электролюминесенцияны пайдалануға

{Правильный ответ} = А, G, В

$$$133

Оптронның негізгі артықшылықтары:

A) кіріс және шығыс тізбектерін бөлу мүмкіндігі

B) гальваникалық ағытылу

C) оптикалық ағытылу

{Правильный ответ} = А, В, С

$$$134

Светодиод қоректену көзіне шектеуіш кедергі арқылы қосылатындар:

A) жұмыс токты шектеу

D) жарық тогын басқару

H) қажетті ток мәнін таңдау

{Правильный ответ} = А, D, Н

$$$138

Кері ығысудың жарықтық ағыны болмаған кезінде фотодиод арқылы токтың жүруі:

B) жарық ағыны болмаған кезде фотодиод арқылы ток жүрмейді

D) кері ығысуда ток ешқандай жағдайда жүрмейді

H) фотодиодтың жарықтануы кезінде жарықтық ағынға пропорционалды түрде кері ток өседі, кедергі азаяды

{Правильный ответ} = В, D, Н

$$$139

Фотодиодтың тура қосылуда қолданбау себебі:

В) аз тура кедергі

D) ұйғарынды (допустимый) тура ток шамасы аз

H) фотодиодтың жарықтануы кезінде жарықтық ағынға пропорционалды түрде кері ток өседі, кедергі азаяды

{Правильный ответ} = В, D, Н

$$$144

Тиристорлық оптожұптардың қолдануы:

А) үлкен қуатты жоғары вольтты тізбектерден басқарудың логикалық тізбектерінің гальваникалық ағытылуын сақтау үшін

С) қуатты тиристорларды басқару үшін

F) гальваникалық ағытылуды болдырмау үшін

{Правильный ответ} = А, С, F

$$$145

Оптожұптың сәуле шығарғышы ретінде қолданылатындар:

А) жарық шығаратын диод

В) инфрақызыл диод

F) электрлік шамдарды немесе жартылай өткізгішті лазер

{Правильный ответ} = А, В, F

$$$146

Оптожұптың қабылдағышы ретінде қолданылатындар:

А) фоторезистор

В) фотодиод

D) фототиристор

{Правильный ответ} = А, В, D

$$$147

Фоторезистор келесі параметрлермен сипатталады:

А) қараңғылықты кедергі

В) меншікті интегралды сезімталдық

С) фототоктың температуралық коэффициенті

{Правильный ответ} = А, В, С

$$$148

Ішкі фотоэффект кезінде болатын жағдайлар:

А) зат электрондарының қозуы

В) бос заряд тасымалдаушылар концентрациясының өзгерісі

С) заттың электрлік қасиетінің өзгерісі

{Правильный ответ} = А, В, С

$$$149

Оптронның түрлері:

А) резисторлық оптожұп

С) диодтық оптрон

D) фотоварикаптық оптрон

{Правильный ответ} = А, С, D

$$$150

Оптронның артықшылығы:

А) сәуле швығарғыш пен қабылдағыштың электрлік ағытылуы

С) кең жиілік жолағы бар (0…10¹⁴ Гц);

F) сыртқы электромагниттік өрістен жоғары бөгуіл қорғағыштығы

{Правильный ответ} = А, С, F

08 Шешуші күшейткіштер және операциялық күшейткіштегі компаратор

$$$233

ОК-гі гиратор:

C) индуктивтілік эквиваленті

F) L эквиваленті

H) синтезделген индуктивтілік

{Правильный ответ} = C, F, Н

$$$237

Терістейтін күшейткіштің кернеу бойынша күшейту коэффициенті:

B) Kкб= - (Rкб / R)

F)K_U=U_шығ/U_кір=-I₁(R₁+Rкб)/I₁R₁=1-Rкб/R₁

G) кері байланыс кедергісінің теріс мәнді R-ға қатынасы

{Правильный ответ} = B, F, G

$$$238

Терістемейтін күшейткіштің кернеу бойынша күшейту коэффициенті:

C) Kкб= (Rос / R1)+1

F) K_U=Uшығ/Uкір=-I₁(R₁+Rкб)/I₁R₁=1+Rкб/R₁

G) кері байланыс кедергісінің оң мәнді R₁+1-ға қатынасы

{Правильный ответ} = C,F, G

$$$239

Сызықтық сұлба, бұл:

C) кіріс және шығыс кернеу сигналдары сызықтық оператормен байланысқан сұлба

F) кіріс және шығыс ток сигналдары сызықтық оператормен байланысқан сұлба

H) кіріс және шығыс сигналдары сызықтық оператормен байланысқан сұлба

{Правильный ответ} = C, F, Н

$$$240

Дифференциалдық күшейткішпен орындалған операция

C) кіріс сигналдарының айырымын күшейтеді.

F) кіріс кернеулерінің айырымын күшейтеді.

G) бір кірісіне басқа кернеу мәні, екіншісіне басқа кернеу мәні берілетін операция.

{Правильный ответ} = C, F, G

$$$241

Идеалды операциялық күшейткіштің күшейту коэффициентінің мәні:

C) 

F) шексіздік

G) күшейту коэффициентінің шегі болмайды

{Правильный ответ} = C, F, G

$$$242

Идеалды операциялық күшейткіштің кіріс кедергісінің мәні:

A) 

F) өте үлкен кедергі

H) максималды

{Правильный ответ} = A, F, H

$$$243

Идеалды операциялық күшейткіштің шығыс кедергісінің мәні:

D) нөлге жақын

F) 0

G) төмен мәнді

{Правильный ответ} = D, F, G

$$$250

Ортақ эмиттері бар күшейткіштік каскадтың мүмкіндігі:

A) шығыс сигналы формасының бұрмалануын жою

B) тыныштық режимінде жұмыс нүктесінің жағдайын ығыстыру

C) транзистор ВАС-ң температуралық дрейфін бақылау

{Правильный ответ} = A, В, С

09 Мультивибраторлар

$$$253

Күтуші мультивибратордың шығыс импульстерінің ұзақтығының анықталуы:

A) сұлбаның параметрлері

F) сұлба элементтері шамаларының мәні

G) қуыстылық

{Правильный ответ} = A, F, G

$$$256

Күтуші мультивибратор тепе-теңділігінің күйі:

A) мұның бірі орнықты, екіншісі орнықсыз

F) бастапқы орнықты күтуші режим

G) синусоидалды кернеудің сондай жиілікте тікбұрышты қалыптағы кернеудің (немесе токтың) импульсіне түрленуі

{Правильный ответ} = A, F, G

$$$257

Автотербелісті мультивибратор тепе-теңділігінің күйі:

C) мұнда екеуі де орнықсыз

F) берілген ұзақтығы және параметрлерді қайталау жиілігі бар

G) екі квазиорнықты тепе-теңділік күйі бар

{Правильный ответ} = C, F, G

{Правильный ответ} = B, F, Н

$$$267

Реттелетін ұзақтығы мен қуыстылығы бар импульстік сигналдарды қалыптастыруға арналған құрылғы:

A) таймер

B) біртактілі және көптактілі құрылғы

H) бұл құрылғының негізінде мультивибраторлар, бірвибраторлар және кернеу түрлендіргіштері тұрғызылады

{Правильный ответ} = А, B, Н

$$$268

Күшейткіштердің белгілену реті бойынша жіктелуі:

A) күшейтілетін сигналдар тегі бойынша

B) күшейтілетін жиілік диапазоны бойынша

D) жүктеме түрі бойынша

{Правильный ответ} = А, B, D

$$$269

Талап етілген параметрлері бар тікбұрышты қалыптағы импульстерді қалыптастырудың электрондық түйіні:

A) мультивибратор

B) 100% екі каскадты резистивті күшейткіш

D) импульстер генераторы

{Правильный ответ} = А, B, D

$$$270

Импульстік сигналдардың сипатталуы:

A) импульстің ұзақтығы

B) құлаудың ұзақтығы

C) алдыңғы шептің ұзақтығы

{Правильный ответ} = А, B, С

Уровень 1

Вопрос №1

V2	ОК синфазалық сигналының әлсіреу коэффициентінің әсері, бұл:
1	эмиттерлік токтың тұрақтылығы
1	Rэ=const
1	эмиттерлік токты тұрақтандыру үшін ТТГ қолдану

Вопрос №2

V2	ОК шығысында нөлді келтіру үшін, кірісіне орын басы кернеуін беруге тура келеді, себептері:
1	ОК сұлбасының ішіндегі теңгерімсіздік үшін
1	ішкі параметрлердің өзгерісі үшін
1	тізбек элементтері параметрлерінің тұрақсыздығы үшін

Вопрос №3

V2	Идеалды ОК-і сипаттайтын көрсеткіштер:
1	Rкір → ∞
1	Кu→ ∞
1	КI → 0

Вопрос №4

V2	Дифференциалды күшейткіштерді тізбектей қосудың мақсаты:
1	қажетті күшейту коэффициентін KU алу
1	қажетті күшейту коэффициентін KI алу
1	қажетті күшейту коэффициентін KP алу

Вопрос №5

V2	ОК (операциялық күшейткіш) құрылғысының негізгі кірістері мен шығыстары:
1	1 кіріс – терістемейтін кіріс, яғни шығыс сигнал кіріспен фаза бойынша сәйкес келеді
2 кіріс – терістейтін кіріс, яғни шығыс сигнал кіріспен қарама-қарсы фазада

+Еқ және Еқ – – екі қорек көзінің Еқ немесе екіполярлы қорек көзінің шықпалары

Вопрос №6

V2	Күшейткіштің сипаттамасы
1	A) Uшығ=f(Uкір)
1	B) амплитудалық сипаттама
1	D) беріліс сипаттамасы

Вопрос №7

V2	Амплитуда-жиіліктік сипаттама (АЖС) – күшейту коэффициентінің жиіліктен тәуелділігі суретте көрсетілген.
1
1	логарифмдік масштабтағы линеариялық сипаттама –Боде диаграммасы
1

Вопрос №8

V2	Көрсетілген сұлбада индуктивтілік катушкасының белгіленуі:
1	жоғары жиіліктерде транзистордың күшейткіштік қасиеті азаяды, бұл құбылысты теңдестіру үшін, резисторға индуктивтілік катушкасын тізбектей қосады
1	өткізу жолағын кеңейту үшін, күшейткіштік қасиеттің жоғары жиілікті түзетуін қолданады, сондықтан резисторға индуктивтілік катушкасын тізбектей қосады
1	токты беру коэффициенті азаяды, бұл құбылысты теңдестіру үшін, резисторға индуктивтілік катушкасын тізбектей қосады

Вопрос №9

V2	Суреттегі көрсетілген сұлба:
1	терістейтін күшейткіш
1	сигналды -ға айналдыратын күшейткіш
1	сигналды 1800С-ға айналдыратын күшейткіш

Вопрос №10

V2	Суретте көрсетілген сұлба:
1	кернеу тұрақтандырғышы
1	тұрақты кернеуді ұстап тұрудың құрылғысы
1	U=const ұстап тұру үшін тіректі диодтар негізіндегі құрылғы