- •Учебно-методический комплекс
- •1 Классификация иэот по конструктивно-технологическим признакам -2 часа.
- •2. Пленочные элементыТонкопленочные резисторы (r). Виды, форма. Методы расчета. Материалы и требования, предъявляемые к ним. Способы корректировки номиналов.
- •2.1 Резисторы
- •2.2 Конденсаторы
- •2.3 Индуктивности
- •3 Резисторы и конденсаторы в «полупроводниковом» исполнении. Топологические решения. Методы расчета
- •3.1 Конденсаторы
- •3.2 Резисторы
- •4. Конструкционная основа для ис
- •Базовые технологические процессы изготовления ис.
- •5.1 Вакуумно-термическое испарение
- •Температуры плавления и испарения элементов Таблица 5.1.1
- •5.2. Типы и конструкции испарителей
- •5.3. Лазерное, электронно-лучевое, «взрывное» испарение
- •5.4. Катодное распыление
- •5.5 Высокочастотное распыление. Реактивное распыление
- •5.6 Получение пленок из газовой фазы
- •5.7 Хлоридные и силановый методы получения эпитаксиальных слоев
- •5.8 Легирование при эпитаксии
- •5.9. Термическое окисление Si
- •5.10. Пиролитическое получение пленок из газовой фазы при нормальном и пониженном давлении
- •5.11. Плазмохимическое осаждение
- •Формирование легированных слоев в технологии иэот.
- •6.1. Распределение примесей при диффузии и неограниченного и ограниченного источников.
- •6.2 Локальная диффузия
- •6.3 Многостадийная диффузия
- •6.4. Физико-химические основы ионного легирования
- •7. Методы формирования конфигурации элементов иэот
- •7.2 Контактная фотолитография
- •Позитивные и негативные фоторезисты
- •7.3.Фоторезисты (фр), виды, требования к ним, методы нанесения
- •7.4 Проекционная флг
- •7.5 Электрополитография
- •7.6 Рентгенолитиграфия
- •7.7 Ионнолитография
- •8 Сборочные процессы в технологии иэот
- •8.1 Методы разделения пластин и подложек
- •8.2 Методы установки кристаллов и плат в корпуса
- •8.2.1 Монтаж с использованием эвтектических сплавов
- •8.2.2 Монтаж с использованием клеев и компаундов
- •8.3 Виды выводов.
- •8.4 Термокомпрессионная, ультразвуковая и термозвуковая сварки
- •8.5 Методы и материалы для герметизации кристаллов и плат
- •9 Толстопленочная технология
- •9.1 Пасты для проводящих, резисторных и диэлектрических элементов, их характеристики. Технология нанесения и вжигания паст.
- •9.2 Методы формирования рисунка. Трафаретная печать.
- •10.2 Плазменные методы удаления материала с поверхности твердого тела. Сущность и классификация методов обработки поверхности
- •10.3 Очистка поверхности газовым травлением
- •11 Oсновные методы производства волоконных световодов
- •11.1 Одномодовые световоды. Многомодовые световоды с и ступенчатым профилем. Волоконные световоды со специальными свойствами. Полимерные световоды.
- •11.2 Модифицированный процесс evd (mcvd)
- •11.3 Принципы и особенности построения вопс (волоконно-оптической системы передач).
- •Практическое занятие n1 Определение профилей распределения примесей при термической диффузии
- •Определение режимов диффузии на основании заданных параметров распределения примеси. 1.1. Одностадийная диффузия.
- •II. Расчет дозы облучения для получения заданной концентрации примеси
- •- Линейный закон роста (кинетический контроль); (17)
- •2. Определение Rk к эпитаксиапьным слоям на низкоомной подложке
- •3. Определение Rk no распределению потенциалов вдоль образца.
- •Значения Фm некоторых металлов.
8.2 Методы установки кристаллов и плат в корпуса
8.2.1 Монтаж с использованием эвтектических сплавов
В отличие от контактно-реактивной пайки эвтектический сплав образуется не в результате контактного плавления соединяемых материалов, а вводится в качестве припоя между соединяемыми поверхностями кристалла и корпуса.
Пайкой эвтектическими сплавами присоединяют полупроводниковые кристаллы к корпусам. Золочение контактирующих поверхностей каких-либо ощутимых результатов не дает. В качестве эвтектических используют сплавы золото - германий или золото — кремний, диаграммы состояния которых показаны на рисунке 8.2.1.1, а, б.
Рисунок 8.2.1.1. Диаграммы состояния сплавов;
a - золото-германий, б- золото-кремний
Подготовленные к пайке детали нагревают в нейтральной атмосфере (осушенном и очищенном азоте) до температуры, несколько превышающей температуру плавления эвтектического сплава. Эвтектические сплавы золото — германий и золото — кремний содержат (по массе): первый 12 % германия и 88 % золота, а второй - 6 % кремния и 94 % золота. Температура плавления эвтектик золото - германий и золото - кремний, соответственно равная 356 и 370 °С, ниже температуры плавления каждого из этих материалов. Эвтектические сплавы являются смесью, а не химическим соединением.
Использование для пайки эвтектического сплава золото -кремний дает хорошие результаты, но сложность приготовления ограничивает его применение. Кроме того, при изготовлении происходит расслоение сплава золото — кремний. Поэтому чаще применяют эвтектический сплав золото — германий ЗлГр12, примерный режим пайки которым на специальной установке приведен ниже.
Температура поверхности столика, ОС……………………….410 + 10
усилие на инструменте, Н……………………………………..0,6 – 0,7
Амплитуда колебаний инструмента, мм 0,08
Время пайки, с 7
При климатических (на термоциклирование) и механических (на вибропрочность и многократные удары) испытаниях выполненные таким образом паяные соединения кристаллов с корпусом не разрушаются.
По сравнению с контактно-реактивной пайка эвтектическими сплавами обладает рядом достоинств. Так как эвтектические сплавы имеют невысокую температуру плавления, хорошие жидкотекучесть и способность смачивания, а также незначительное время нагрева до температуры пайки, в паяном соединении не создаются большие остаточные напряжения, образующиеся вследствие разницы ТКЛР соединяемых материалов. Введение эвтектического сплава между соединяемыми поверхностями способствует сглаживанию на них шероховатостей и неровностей.
Нерастекшийся припой свидетельствует о плохой смачиваемости им золоченой поверхности корпуса и кристалла или о недостаточно высокой температуре пайки. Это является одной из причин низкой прочности паяного соединения. Появление трещин и сколов на кристаллах связано с большим усилием, прикладываемым к рабочему инструменту, или слишком резким подъемом температуры пайки по сравнению с оптимальной.
Пайка кристаллов к контактным площадкам корпусов эвтектическим сплавом состоит из следующих операций: захвата прокладки 1 из эвтектического сплава, ее переноса и укладки на место пайки (Рисунок 4, а, б); захвата кристалла б, переноса и присоединения его к корпусу 3 (Рисунок 4, в, г). Захват, перенос и удержание прокладок и кристаллов выполняются специальным инструментом — вакуумным пинцетом 2. При этом усилие захвата и удержания прокладки (кристалла) создается вследствие перепада давлений.
Рисунок 8.2.1.2. Пайка кристалла к контактной площадке корпуса эвтектическим сплавом:
а, б - захват и укладка прокладки, в, г - захват и укладка кристалла на прокладку и их пайка; 1 - прокладки, 2 -инструмент (вакуумный пинцет), 3 -корпус, 4 - нагреватель, 5 - устройство прижима корпуса к нагревателю, б –кристаллы
