- •Учебно-методический комплекс
- •1 Классификация иэот по конструктивно-технологическим признакам -2 часа.
- •2. Пленочные элементыТонкопленочные резисторы (r). Виды, форма. Методы расчета. Материалы и требования, предъявляемые к ним. Способы корректировки номиналов.
- •2.1 Резисторы
- •2.2 Конденсаторы
- •2.3 Индуктивности
- •3 Резисторы и конденсаторы в «полупроводниковом» исполнении. Топологические решения. Методы расчета
- •3.1 Конденсаторы
- •3.2 Резисторы
- •4. Конструкционная основа для ис
- •Базовые технологические процессы изготовления ис.
- •5.1 Вакуумно-термическое испарение
- •Температуры плавления и испарения элементов Таблица 5.1.1
- •5.2. Типы и конструкции испарителей
- •5.3. Лазерное, электронно-лучевое, «взрывное» испарение
- •5.4. Катодное распыление
- •5.5 Высокочастотное распыление. Реактивное распыление
- •5.6 Получение пленок из газовой фазы
- •5.7 Хлоридные и силановый методы получения эпитаксиальных слоев
- •5.8 Легирование при эпитаксии
- •5.9. Термическое окисление Si
- •5.10. Пиролитическое получение пленок из газовой фазы при нормальном и пониженном давлении
- •5.11. Плазмохимическое осаждение
- •Формирование легированных слоев в технологии иэот.
- •6.1. Распределение примесей при диффузии и неограниченного и ограниченного источников.
- •6.2 Локальная диффузия
- •6.3 Многостадийная диффузия
- •6.4. Физико-химические основы ионного легирования
- •7. Методы формирования конфигурации элементов иэот
- •7.2 Контактная фотолитография
- •Позитивные и негативные фоторезисты
- •7.3.Фоторезисты (фр), виды, требования к ним, методы нанесения
- •7.4 Проекционная флг
- •7.5 Электрополитография
- •7.6 Рентгенолитиграфия
- •7.7 Ионнолитография
- •8 Сборочные процессы в технологии иэот
- •8.1 Методы разделения пластин и подложек
- •8.2 Методы установки кристаллов и плат в корпуса
- •8.2.1 Монтаж с использованием эвтектических сплавов
- •8.2.2 Монтаж с использованием клеев и компаундов
- •8.3 Виды выводов.
- •8.4 Термокомпрессионная, ультразвуковая и термозвуковая сварки
- •8.5 Методы и материалы для герметизации кристаллов и плат
- •9 Толстопленочная технология
- •9.1 Пасты для проводящих, резисторных и диэлектрических элементов, их характеристики. Технология нанесения и вжигания паст.
- •9.2 Методы формирования рисунка. Трафаретная печать.
- •10.2 Плазменные методы удаления материала с поверхности твердого тела. Сущность и классификация методов обработки поверхности
- •10.3 Очистка поверхности газовым травлением
- •11 Oсновные методы производства волоконных световодов
- •11.1 Одномодовые световоды. Многомодовые световоды с и ступенчатым профилем. Волоконные световоды со специальными свойствами. Полимерные световоды.
- •11.2 Модифицированный процесс evd (mcvd)
- •11.3 Принципы и особенности построения вопс (волоконно-оптической системы передач).
- •Практическое занятие n1 Определение профилей распределения примесей при термической диффузии
- •Определение режимов диффузии на основании заданных параметров распределения примеси. 1.1. Одностадийная диффузия.
- •II. Расчет дозы облучения для получения заданной концентрации примеси
- •- Линейный закон роста (кинетический контроль); (17)
- •2. Определение Rk к эпитаксиапьным слоям на низкоомной подложке
- •3. Определение Rk no распределению потенциалов вдоль образца.
- •Значения Фm некоторых металлов.
7.7 Ионнолитография
При ионолитографии сохраняются принципы формирования изображения элементов, применяемые при электронно-лучевой литографии, но вместо пучка электронов используется ионный пучок. Разрешающая способность ионолитографии 0,1 - 0,2 мкм.
Ионолитография обладает рядом достоинств, которые обусловлены особенностями взаимодействия ионов с материалом резиста.
Первое достоинство состоит в том, что ионы, обладая значительно большей массой, чем электроны, активно взаимодействуют с материалом резиста, следовательно, больше тормозятся и имеют малый пробег, а значит и меньше, чем электроны, рассеиваются. Таким образом, эффект близости при ионолитографии проявляется незначительно, что обусловливает ее высокую разрешающую способность.
Второе достоинство связано с сильным поглощением ионов, поэтому перенос изображения можно проводить при меньших, чем при электронолитографии, дозах.
Кроме того, пучком ионов можно непосредственно локально легировать структуру ИМС, т. е. формировать им соответствующие структурные области (базы, эмиттеры, стоки, истоки и др.). При этом пользуются узким прямоугольным пучком переменной формы, которым непосредственно сканируют соответствующие области или обрабатывают их широким пучком через трафаретный шаблон. Остальные элементы этих установок такие же, как в установках электронно-лучевой литографии (см. §24).
Таким образом, при формировании структур ИМС узким пучком процесс литографии в обычном понимании заменяется процессом размерного легирования, называемым имплантографией.
Основными элементами установок ионолитографии, создание которых вызывает наибольшие трудности, являются источники ионов и системы фокусировки и развертки ионных пучков.
Источник ионов должен обеспечивать формирование ионного пучка необходимой энергии и высокой плотности тока. Энергией ионов, как и при ионном легировании, определяется глубина их проникновения в подложки.
В настоящее время развиваются два направления разработки мощных ионных источников: с ионизацией паров жидких металлов или газа в сильном электрическом поле. Ионизация в этих источниках происходит вблизи острия электрода, на который подается потенциал. При напряженности электрического поля до 106 — 107 В/см в него вводится капля расплавленного металла на подогреваемом электроде или газ. В сильном поле ионы вырываются из жидкометаллической фазы или газ, находящийся вблизи острия, притягивается к нему и ионизируется. Образовавшиеся ионы вытягиваются из области ионизации системой электродов и ускоряются до заданной энергии.
В последнее время созданы и исследуются возможности применения источников ионов Н, Не, Ar, Ga, Аu, In, Si, Al, Ge. Можно предполагать, что процессы имплантографии займут ведущее место в автоматизированных технологических системах создания СБИС.
8 Сборочные процессы в технологии иэот
Контроль параметров кристаллов на пластине и плат на подложке на функционирование. Маркировка брака. Методы разделения пластин и подложек. Лазерное и «алмазное» скрайбирование. Сквозное и с последующей ломкой. Разделение с помощью свободного и связанного абразива. Проволокой, полотнами, дисками и алмазными режущими дисками (АРД). Методы установки кристаллов и плат в корпуса. Монтаж с использованием эвтектических сплавов, припоев, клеев и компаундов. Виды корпусов (классификация). Виды выводов. Технология проволочного монтажа. Методы создания неразъемных электрических соединений в изделиях ИЭОТ. Термокомпрессионная, ультразвуковая и термозвуковая сварки. РЛ: Паучковые выводы. Технология объемных выводов. Защита кристаллов и плат от дестабилизирующих факторов. Методы и материалы для гермитизации кристаллов и плат. Корпусирование. Типы корпусов (классификация). Методы контроля герметичности корпусов ИЭОТ.