7

БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

Учебно-методический комплекс

по дисциплине

“ТЕХНОЛОГИЯ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКОЙ ТЕХНИКИ”

для студентов специальности Т 08.03.00

«Электронно-оптические системы и технологии»

Факультет - компьютерного проектирования

Кафедра - ЭТТ

Курс - 4

Семестр - 8

Лекций - 64 час.

Лабораторные занятия - 32 час.

Практические занятия - 16 час.

Экзамен

Всего: 96 часов

Минск 2007

СОДЕРЖАНИЕ

Рабочая программа……………………………………………………………………………………………………….…….3

Классификация ИЭОТ по конструктивно-технологическим признакам……………………………………………….….14

2. Пленочные элементы…………………………………………………………………………………………………..……16

2.1 Резисторы……………………………………………...…………………………………………………………..16

2.2 Конденсаторы…………………………………………………………...……………………………………..….19

2.3 Индуктивности……………………………………………………………………...…………………………….22

3 Резисторы и конденсаторы в «полупроводниковом» исполнении………………………………………………….24

3.1 Конденсаторы………………………………………………………………………..……………………………24

3.2 Резисторы……….…………………………………………………………………….…………………………..26

4. Конструкционная основа для ИС…………………………………………………………………………………………..32

5. Базовые технологические процессы изготовления ИС…………………………………………………………………...34

5.2. Типы и конструкции испарителей........................................................................................................................37

5.3. Лазерное, электронно-лучевое, «взрывное» испарение…………………………………………………..…...41

5.4. КАТОДНОЕ РАСПЫЛЕНИЕ………………………………………………………………………………..….44

5.5 Высокочастотное распыление. Реактивное распыление…………………………..…………………………...45

5.6 ПОЛУЧЕНИЕ ПЛЕНОК ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ……………………………………….……………………….46

5.7 Хлоридные и силановый методы получения эпитаксиальных слоев…………………..………………..47

5.8 Легирование при эпитаксии………………………………………………………………………..………….…49

5.9. Термическое окисление Si…..………………………………………………………………………..…………52

5.10. Пиролитическое получение пленок из газовой фазы при нормальном и пониженном давлении…...…...54

5.11. ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ….……………………………………………………….….…….55

6. Формирование легированных слоев в технологии ИЭОТ….…………………………………………………..…..…….56

6.1. Распределение примесей при диффузии и неограниченного и ограниченного источников…………..……56

6.2 Локальная диффузия………………………………………………………………………………………….....57

6.3 Многостадийная диффузия…..…………………………………………………………………………………..58

6.4. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ…..……………………..……………..60

7. МЕТОДЫ ФОРМИРОВАНИЯ КОНФИГУРАЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ ИЭОТ…..…………………………………………62

7.1 Масочные методы. Метод свободных масок. Классификация масок и методы получения……………..….62

7.2 Контактная фотолитография …………………………………………………………………………………....65

7.3.Фоторезисты (ФР), виды, требования к ним, методы нанесение………..……………………………………67

7.4 Проекционная ФЛГ …….…………………………………………………….……………………………….…79

7.5 Электрополитография ………………………………………………………….………………………………..84

7.6 Рентгенолитиграфия……………………………………………………………..……………………………….88

7.7 Ионнолитография………………………………………………………………….……………………………..90

8 Сборочные процессы в технологии ИЭОТ…………………………………………………………………………………91

8.1 Методы разделения пластин и подложек…..……………………………………………..…………………….91

8.2 Методы установки кристаллов и плат в корпуса…..……………………………………….………………….96

8.2.1 Монтаж с использованием эвтектических сплавов….……………………………………………...96

8.2.2 Монтаж с использованием клеев и компаундов…………………………………………………….97

8.3 Виды выводов……………………………………………………………………………………….…………....98

8.4 Термокомпрессионная, ультразвуковая и термозвуковая сварки…….……………………………..……….100

8.5 Методы и материалы для герметизации кристаллов и плат……..…………………………………..……….104

9 Толстопленочная технология………………………………………………………………………………………………106

9.1 Пасты для проводящих, резисторных и диэлектрических элементов, их характеристики. Технология нанесения и вжигания паст…………………………………………………………………………………………………..106

9.2 Методы формирования рисунка. Трафаретная печать………………….…………………………………….107

10. Технология очистки………………………………………………………………………………………………………109

11 Oсновные методы производства волоконных световодов……………………………………………………………...114

11.1 Одномодовые световоды. Многомодовые световоды с и ступенчатым профилем…...…………………..114

11.2 Модифицированный процесс EVD (MCVD)… ……………………………………………………………..115

11.3 Принципы и особенности построения ВОПС (волоконно-оптической системы передач)… ……………118