53. Р ух електронів у вакуумі під впливом електричного поля: робота електричного поля дорівнює зміні кінетичної енергії електронів , тобто . В вакуумі в однорідному електричному полі напруженістю Е електрони рухаються під впливом сталої сили , тому їх рух підкорюється законам рівнозмінного руху.

54. Будова електронно-променевої трубки: у вузькій частині трубки розміщено електронну гармату, що складається з спіралі розжарювання і катода (1) та системи анодів (2). Між катодом і анодами створюється велика різниця потенціалів, тому електрони розганяються до великої швидкості, а спеціальна форма анодів забезпечує фокусування електронів у тонкий пучок. Для регулювання руху електронного пучка є дві пари керувальних пластин на які подається напруга: рух вгору-вниз регулюють пластини (3), а вліво-право пластини (4). Далі електронний пучок (5) потрапляє на екран, покритий люмінофором, який під впливом електронів починає світитись.

55. Використання струму в вакуумі

А) вакуумне плавлення та зварювання надчистих металів

Б) вакуумні фотоелементи

В) вакуумні діоди

Г) електронно-променева трубка

56. Напівпровідники – речовини, що за питомим опором займають проміжне місце між провідниками і діелектриками.

57. Властивості напівпровідників:

    • Зі збільшенням температури електричний опір напівпровідників зменшується за експоненціальним законом.

    • Електропровідність напівпровідників залежить від освітленості (фотопровідність)

    • Е лектропровідність напівпровідників можна значно збільшити введенням в них домішок.

58. Власна провідність напівпровідників.

Н апівпровідники – кристали утворені чотирьохвалентними атомами з ковалентним неполярним зв’язком. За низьких температур вільних носіїв у кристалі напівпровідника немає, тому кристал не проводить електричний струм і його опір великий. З підвищенням температури кристала деякі ковалентні зв’язки руйнуються, електрон покидає зв’язок і стає вільним, а на його місці утворюється дірка (вакансія з не скомпенсованим позитивним зарядом). Під впливом електичного поля в напівпровіднику виникне електричний стум внаслідок упорядкованого переміщення електронів і дірок.

59. Д омішкова провідність напівпровідників з’являється поряд із власною провідністю напівпровідників внаслідок внесення в них домішок. Якщо домішка має влентність більшу ніж напівпровідник (п’ятивалентна), то чотири валенті електрони утворюють з атомами напівпровідника ковалентні зв’язки, а п’ятий електрон стає вільним. У такому напівпровіднику більше вільних електронів, тому вони є основними носіями заряду, а дірки неосновними. Напівпровідники такого типу називаються напівпровідниками п-типу Домішки, які віддають електрони називають донорними.

Я кщо валентність домішки менша ніж у напівпровідника (трьохвалентна), то вона утворить з трьома атомами напівпровідника три зв’язки, а на четвертий зв’язок у неї не вистачить електрона, тобто на цьому місці утвориться дірка і основними вільними носіями заряду будуть дірки, а неосновними електрони. Напівпровідник такого типу називають напівпровідником р- типу, а домішку акцепторною (приймає).

60. Електронно-дірковий перехід (р-п-перехід ) утворюється на межі розділу напівпровідників п-типу і р-типу внаслідок дифузії і подальшої екомбінації (відновлення ковалентного зв’язку)основних носіїв заряду з одної робласті провідності в іншу. Як наслідок на межі розділу напівпровідник п-типу отримує заряд «+», а р-типу «-», тобто утворюється електричне поле, яке протидіє подальшій дифузії основних носіїв заряду з одної області в іншу. На межі розділу двох напівпровідників утворюється запірний шар збіднений , внаслідок рекомбінації, вільними носіями заряду .

61. Одностороння провідність р-п-переходу (напівпровідникового діоду) Якщо підключити р-п-перехід за схемою (а), то під впливом

зовнішнього електричного поля запірний шар р п

зменшиться і в колі існуватиме електричний струм. а)

Якщо підключити р-п-перехід за схемою (б), то під

впливом зовнішнього електричного поля запірний шар

збільшиться і в колі електричний струм буде б) р п

створюватись неосновними носіями заряду, тобто буде

практично рівним нулю.