
- •Конспект лекций по дисциплине «Физическая химия твердого тела» Направление подготовки
- •240100 Химическая технология
- •Магистерская программа
- •1. Введение. Основные цели и задачи физической химии твердого тела.
- •2. Кристаллография
- •Координаты точек и линий в элементарной ячейке.
- •Симметрия элементарной ячейки.
- •3. Кристаллохимия.
- •Основные виды гексагональных структур.
- •4.Дефекты кристаллической решетки. Точечные дефекты (дефекты I рода).
- •Температурные дефекты.
- •Структуры разрыхления. Дефекты по Шотки.
- •Структуры смещения. Дефекты по Френкелю.
- •Протяженные дефекты (дефекты II рода).
- •Дислокации. Дислокацией называется область дефектов решетки, простирающейся вдоль некоторой линии (линии дислокации). Краевые дислокации.
- •Винтовые диислокации.
- •Расчет дефектности.
- •Определение объема приходящегося на дефекты I и II рода.
- •Взаимодействие точечных и протяженных дефектов.
- •Источник Франка – Рида.
- •5. Методы исследования твердого тела Рентгенофазовый анализ
- •Возникновение непрерывного и линейчатого (атомного) спектра.
- •Закон Мозели.
- •Четыре квантовых числа.
- •Принцип Паули.
- •Основные сведения по физике рентгеновских лучей. Спектры испускания лучей.
- •Спектры поглощения рентгеновских лучей.
- •Рассеяние свободным электроном.
- •Эффект Комптона.
- •Фотоэффект.
- •Суммарное поглощение рентгеновского излучения веществом.
- •Спектры поглощения рентгеновского излучения.
- •Дифракция рентгновских лучей
- •Вывод уравнения Лауэ.
- •Вывод уравнения Вульфа – Брэгга.
- •Аппаратура для рентгененофазового анализа Принципиальная схема рентгеновской установки типа дрон.
- •Выбор основных параметров съемки дифрактограмм на рентгеновской установк типа дрон.
- •Приготовление образцов для проведения рентгенофазового анализа.
- •Съемка дифрактограмм. Метод Брентано.
- •Съемка рентгенограмм в монохроматическом излучении
- •Идентифкация вещества по межплоскостным расстояниям.
- •Индицирование рентгенограмм порошка.
- •Критерии правильности индицирования рентгенограмм.
- •Обратная решетка.
- •Индицирование рентгенограмм порошка. Индицирование рентгенограмм кубических веществ. Закон погасания.
- •Индицирование рентгенограмм в случае средних сингоний.
- •Аналитический метод индицирования рентгенограмм ромбических кристаллов (метод Хесса - Липсона).
- •Индицирование дебаеграмм методом Ито.
- •Метод подбора изоструктурного соединения.
- •Метод гомологии расшифровки рентгенограмм.
- •Переход от кубической ячейки к гексагональной.
- •Политипия. Интерпретация рентгенограмм слоистых структур со сложным характером чередования связей.
- •Источники ошибок в определении межплоскостных расстояний.
- •Зависимость точности в определении межплоскостного расстояния d от угла отражения .
- •Поправка на преломление.
- •Определение размеров кристаллитов и микронапряжений.
- •Метод определения областей когерентного рассеяния (окр).
- •Растровая электронная микроскопия (рэм, сэм) и рентгеноспектральный микроанализ (рсма).
- •Физические основы растровой электронной микроскопии
- •Формирование изображения в рэм.
- •Сканируемая область в зависимости от увеличения.
- •Глубина фокуса
- •Передача изобажения в цифровой форме и их обработка
- •Контраст
- •Контраст зависящий от атомного номера (контраст от состава, сигнал отраженных электронов)
- •Контраст от состава образца (режим вторичных электронов)
- •Компоненты контраста.
- •Ограничения разрешения.
- •Рентгеноспектральный микроанализ Физические основы рентгеноспектрального микороанализа
- •Устройство и работа рентгеноспектрального микроанализатора
- •Подготовка объектов для исследований и особые требования к ним
- •Технические возможности рентгеноспектрального микроанализатора
- •Технические возможности сканирующего туннельного микроскопа
- •Требования к объектам исследования и методы их подготовки
- •Области использования сканирующей туннельной микроскопии
- •Развитие микроскопии ближнего поля и расширение области её применения
- •Программное обеспечение. Форма сохранения и выдачи информации
- •Термический анализ.
- •Термогравиметрический анализ (тга).
- •Дифференциально – термический анализ (дта).
- •Применение дта и тга.
- •Пример разложения каолина Al4(Si4o10)(oh)8.
- •Изучение стеклообразования методом дта.
- •Некоторые особые области применения дта.
- •Спектральные методы исследования твердых тел
- •Спектроскопия видимого излучения и уф – спектроскопия.
- •Спектроскопия ямр (ядерно-магнитного резонанса).
- •Спектроскопия эпр(электронный парамагнитный резонанс).
- •Электронная спектроскопия эсха, рфс, уфс, Оже-спектроскопия, схпээ.
- •Ядерная - резонансная (Мессбауэровская ) спектроскопия.
- •Спектроскопия комбинационного рассеяния света (кр, крс, Раммановская спектроскопия).
- •Рассеяние света.
- •Колебания, модуляции, спекры.
- •Комбинационное рассеяние и поглощение света.
- •Основные параметры линий комбинационного рассеяния.
- •Применение комбинационного рассеяния в химии.
- •Установление химического строения молекул.
- •Исследование микроскопических образцов методом крс.
- •Основы зонной теории твердых тел Классификация твердых тел по величине электропроводности Твердое тело
- •Металлический кремний (Si) – 103 – 10-5 10-10 Ом-1см-1,
- •Уравнение Шредингера для твердого тела
- •Одноэлекторонное приближение
- •Функции Блоха
- •Свойства волнового вектора электрона в кристалле. Зоны Бриллюэна.
- •Построение зон Бриллюэна в простой кубической решетке с параметром а
- •Заполнение зон электронами. Металлы, диэлектрики, полупроводники
- •Физические свойства кристаллов и методвы их определения Электрические свойства тел. Основные свойства металлов. Электропроводность.
- •Температурная зависимость электропроводности
- •Влияние примесей и дефектов
- •Сверхпроводимость
- •Электропроводность металлов
- •Электрон в кристалле всегда подчиняется функции Блоха
- •Собственная проводимость полупроводников.
- •Концентрация носителей
- •Равновесная концентрация дырок в валентной зоне
- •Концентрация дырок, с учетом всех выкладок, будет равна
- •Подвижность в собственном полупроводнике
- •Проводимость примесных полупроводников
- •Концентрация носителей
- •Подвижность
- •Электропроводность диэлектриков.
Основные параметры линий комбинационного рассеяния.
Частота . Частота равна частоте К, одного из колебательных процессов в среде. Эта величина определяет положение рассматриваемой линии в спектре по отношению к возбуждающей линии.
Интенсивность I. Характеризует эффективность комбинационного рассеяния при данном колебательном процессе. Различается на интенсивность в пике линии I0 (расстояние от вершины до уровня фона (рис.а) и интегральная интенсивность I, пропорциональную площади, ограниченной контуром линии.
Рис. Интенсивность и ширина линии комбинационного рассеяния
Интенсивность выражается от 1 до 100 %. За 100 % считают максимальную линию эталонного вещества. При этом эталон и исследуемое вещество снимают в одинаковых условиях. Более сложны измерения абсолютных интенсивностей линий, пропорционально отношению интенсивностей линий комбинационного рассеяния к интенсивности возбуждающей линии, изменение дисперсии прибора при переходе от линии комбинационного рассеяния к возбуждающей линии.
Ширина линии . Подразумевается рассстояние между точками контура данной линии на высоте I0/2 (рис.а). Эта величина называется полушириной. Ширина линии измеряется в см-1, что и частота.
Наблюдаемая ширина линии в спектре не совпадает с ее истинной шириной, т.к. съемка спектров происходит при конечной ширине щели спектрального аппарата. Кроме этого необходимо учитывать несовершенство его оптической системы, конечную ширину возбуждающей линии и другие искажающие факторы.
Учет факторов, искажающих профиль линии и ее ширину, можно выполнить, если измерить наблюдаемую величину возбуждающей линии.
Применение комбинационного рассеяния в химии.
Аналитическое применение.
Спектральный анализ широко применяется в химии и химической технологии. Спектральные методы очень просты: каждое вещество обладает характерным набором спектральных линий. По интенсивности линии можно сделать вывод о содержании вещества в веществе.
Спектры комбинационного рассеяния света в принципе дают уникальные возможности для выполнения анализа сложных смесей. Спектр комбинационного является индивидуальной выразительной характеристикой соединения.
“Спектр комбинационного рассеяния – это фотокарточка данного соединения. Если некоторое соединение изучено и в руках исследователя имеется достаточно хороший спектр комбинационного рассеяния, то по этой “фотокарточке” легко “опознать” нужное соединение в смеси”. – Г. Ландсберг.
С обилием возможных компонентов смеси связана и другая трудность анализа по спектрам КРС. Интервал, в котором располагается спектр, в общем невелик; наиболее интересные линии лежат в интервале от 150 – 200 до 1600 см-1, а каждая линия в спектре комбинационного рассеяния обладает шириной в несколько см-1.
При наличии в спектре каждого соединения нескольких десятков линий, создается реальная возможность значительного перекрывания линий. Спектр смеси в целом становится столь сложным, что в нем трудно разобраться. Для этого существует, так называемый, эталонный метод.
При проведении спектрального анализа всегда приходится считаться с тем, что изменение условий возбуждения спектра или взаимодействие компонентов смеси может исказить спектр. Преимущество спектров комбинационного рассеяния света является их большая стабильность.
Спектры КР определяются изменением полярности молекулы.
Интенсивность Ix линии некоторого компонента X в смеси обычно пропорциональна числу рассеивающих молекул и соответственно его объемной концентрации Cvx по уравнению
Ix=I0Cvx,
где I0 – интенсивность соответствующей линии в спектре чистого вещества
Такой простой закон зависимости интенсивности линии от концентрации облегчает проведение количественного молекулярного анализа по спектрам комбинационного рассеяния. Даже при сильном межмолекулярном взаимодействии, изменения в спектрах КРС обнаруживается обычно лишь в узких областях спектра. Поэтому сохраняется возможность молекулярного анализа смеси по линиям, мало подверженным воздействию межмолекулярных сил. Отступления от приведенного закона невелики, т.е. линии отклоняются незначительно в зависимости интенсивности от концентрации. Это можно учесть путем введения поправок, зависящих от характера смеси..