
- •Конспект лекций по дисциплине «Физическая химия твердого тела» Направление подготовки
- •240100 Химическая технология
- •Магистерская программа
- •1. Введение. Основные цели и задачи физической химии твердого тела.
- •2. Кристаллография
- •Координаты точек и линий в элементарной ячейке.
- •Симметрия элементарной ячейки.
- •3. Кристаллохимия.
- •Основные виды гексагональных структур.
- •4.Дефекты кристаллической решетки. Точечные дефекты (дефекты I рода).
- •Температурные дефекты.
- •Структуры разрыхления. Дефекты по Шотки.
- •Структуры смещения. Дефекты по Френкелю.
- •Протяженные дефекты (дефекты II рода).
- •Дислокации. Дислокацией называется область дефектов решетки, простирающейся вдоль некоторой линии (линии дислокации). Краевые дислокации.
- •Винтовые диислокации.
- •Расчет дефектности.
- •Определение объема приходящегося на дефекты I и II рода.
- •Взаимодействие точечных и протяженных дефектов.
- •Источник Франка – Рида.
- •5. Методы исследования твердого тела Рентгенофазовый анализ
- •Возникновение непрерывного и линейчатого (атомного) спектра.
- •Закон Мозели.
- •Четыре квантовых числа.
- •Принцип Паули.
- •Основные сведения по физике рентгеновских лучей. Спектры испускания лучей.
- •Спектры поглощения рентгеновских лучей.
- •Рассеяние свободным электроном.
- •Эффект Комптона.
- •Фотоэффект.
- •Суммарное поглощение рентгеновского излучения веществом.
- •Спектры поглощения рентгеновского излучения.
- •Дифракция рентгновских лучей
- •Вывод уравнения Лауэ.
- •Вывод уравнения Вульфа – Брэгга.
- •Аппаратура для рентгененофазового анализа Принципиальная схема рентгеновской установки типа дрон.
- •Выбор основных параметров съемки дифрактограмм на рентгеновской установк типа дрон.
- •Приготовление образцов для проведения рентгенофазового анализа.
- •Съемка дифрактограмм. Метод Брентано.
- •Съемка рентгенограмм в монохроматическом излучении
- •Идентифкация вещества по межплоскостным расстояниям.
- •Индицирование рентгенограмм порошка.
- •Критерии правильности индицирования рентгенограмм.
- •Обратная решетка.
- •Индицирование рентгенограмм порошка. Индицирование рентгенограмм кубических веществ. Закон погасания.
- •Индицирование рентгенограмм в случае средних сингоний.
- •Аналитический метод индицирования рентгенограмм ромбических кристаллов (метод Хесса - Липсона).
- •Индицирование дебаеграмм методом Ито.
- •Метод подбора изоструктурного соединения.
- •Метод гомологии расшифровки рентгенограмм.
- •Переход от кубической ячейки к гексагональной.
- •Политипия. Интерпретация рентгенограмм слоистых структур со сложным характером чередования связей.
- •Источники ошибок в определении межплоскостных расстояний.
- •Зависимость точности в определении межплоскостного расстояния d от угла отражения .
- •Поправка на преломление.
- •Определение размеров кристаллитов и микронапряжений.
- •Метод определения областей когерентного рассеяния (окр).
- •Растровая электронная микроскопия (рэм, сэм) и рентгеноспектральный микроанализ (рсма).
- •Физические основы растровой электронной микроскопии
- •Формирование изображения в рэм.
- •Сканируемая область в зависимости от увеличения.
- •Глубина фокуса
- •Передача изобажения в цифровой форме и их обработка
- •Контраст
- •Контраст зависящий от атомного номера (контраст от состава, сигнал отраженных электронов)
- •Контраст от состава образца (режим вторичных электронов)
- •Компоненты контраста.
- •Ограничения разрешения.
- •Рентгеноспектральный микроанализ Физические основы рентгеноспектрального микороанализа
- •Устройство и работа рентгеноспектрального микроанализатора
- •Подготовка объектов для исследований и особые требования к ним
- •Технические возможности рентгеноспектрального микроанализатора
- •Технические возможности сканирующего туннельного микроскопа
- •Требования к объектам исследования и методы их подготовки
- •Области использования сканирующей туннельной микроскопии
- •Развитие микроскопии ближнего поля и расширение области её применения
- •Программное обеспечение. Форма сохранения и выдачи информации
- •Термический анализ.
- •Термогравиметрический анализ (тга).
- •Дифференциально – термический анализ (дта).
- •Применение дта и тга.
- •Пример разложения каолина Al4(Si4o10)(oh)8.
- •Изучение стеклообразования методом дта.
- •Некоторые особые области применения дта.
- •Спектральные методы исследования твердых тел
- •Спектроскопия видимого излучения и уф – спектроскопия.
- •Спектроскопия ямр (ядерно-магнитного резонанса).
- •Спектроскопия эпр(электронный парамагнитный резонанс).
- •Электронная спектроскопия эсха, рфс, уфс, Оже-спектроскопия, схпээ.
- •Ядерная - резонансная (Мессбауэровская ) спектроскопия.
- •Спектроскопия комбинационного рассеяния света (кр, крс, Раммановская спектроскопия).
- •Рассеяние света.
- •Колебания, модуляции, спекры.
- •Комбинационное рассеяние и поглощение света.
- •Основные параметры линий комбинационного рассеяния.
- •Применение комбинационного рассеяния в химии.
- •Установление химического строения молекул.
- •Исследование микроскопических образцов методом крс.
- •Основы зонной теории твердых тел Классификация твердых тел по величине электропроводности Твердое тело
- •Металлический кремний (Si) – 103 – 10-5 10-10 Ом-1см-1,
- •Уравнение Шредингера для твердого тела
- •Одноэлекторонное приближение
- •Функции Блоха
- •Свойства волнового вектора электрона в кристалле. Зоны Бриллюэна.
- •Построение зон Бриллюэна в простой кубической решетке с параметром а
- •Заполнение зон электронами. Металлы, диэлектрики, полупроводники
- •Физические свойства кристаллов и методвы их определения Электрические свойства тел. Основные свойства металлов. Электропроводность.
- •Температурная зависимость электропроводности
- •Влияние примесей и дефектов
- •Сверхпроводимость
- •Электропроводность металлов
- •Электрон в кристалле всегда подчиняется функции Блоха
- •Собственная проводимость полупроводников.
- •Концентрация носителей
- •Равновесная концентрация дырок в валентной зоне
- •Концентрация дырок, с учетом всех выкладок, будет равна
- •Подвижность в собственном полупроводнике
- •Проводимость примесных полупроводников
- •Концентрация носителей
- •Подвижность
- •Электропроводность диэлектриков.
Формирование изображения в рэм.
Формирование изображенийй в РЭМ включает в себя 5 стадий:
Сканирование
Построение изображения
Увеличение
Глубина фокуса
Передача изображения в цифровой форме
Сканирование.
Протекает в двух направлениях X иY. Осуществляется при помощи электромагнитных отклоняющих катушек, объединенных в две пары.
Преимущество: отклоняющие катушки находятся внутри линзы, что позволяет перемещать образец под линзой на максимально близкое расстояние.
Построение изображения.
Информация, выходящая из растрового электронного микроскопа, состоит из положений пучка в координатах X-Y и соответствующего набора интенсивностей сигналов от каждого из используемых детекторов. Эту информацию удобно отобразить для визуального наблюдения двояким образом.
Сканирование вдоль строки.
Пучок движется вдоль одной линии на образце, в X- или Y-направлении. Этот же самый сигнал развертки с генератора используется в ЭЛТ для горизонтального отклонения.
Сканирование вдоль строки можно использовать для отображения малых изменений сигнала, которые можно легко выявить в режиме Y-модуляции, но которое было бы трудно различать в обычном режиме получения изображения с помощью модуляции интенсивности.
2. Сканирование по площади.
Пучок сканирует по двумерному (X-Y) растру, по аналогичному растру идет сканирование в ЭЛТ. Изображение повторяет точную форму объекта, т.к. синхронные развертки на образце или экране ЭЛТ устанавливают геометрическую связь между любым произвольно выбранным набором точек на образце или экране ЭЛТ. Относительный размер объектов отличается за счет увеличения.
Увеличение.
Увеличение изображения в РЭМ зависит от регулировки масштаба отображения на ЭЛТ. Если информация отрезка l отображается вдоль отрезка L в пространстве ЭЛТ, то линейное увеличение М равно,
M = L/l
1. При исследовании объекта необходимо использовать комбинацию изображений, полученных как при низком, так и при высоком увеличениях, а для достижения надежности описания объекта надо изучить достаточное число участков объекта.
Сканируемая область в зависимости от увеличения.
Увеличение |
Область сканирования на образце |
10х |
1 см2 |
100х |
1 мм2 |
1000х |
100 мкм2 |
10000х |
10 мкм2 |
100000 |
1мкм2 |
2. Если получены сфокусированные изображения на высоком увеличении, то дополнительная настройка при более низких увеличениях не требуется.
Глубина фокуса
Наличие угловой расходимости лучей, приводит к уширению пучка выше и ниже точки оптимальной фокусировки.
Для расчета глубины фокуса необходимо знать, на каком расстоянии на или под оптимальным фокусом проходит уширение пучка, до такой степени, что он перекрывает достаточно большое число элементов изображения и создается заметная фокусировка. При первом приближении для уширения пучка с r0 – минимальным радиусом до радиуса размером r необходимое расстояние по вертикали D/2 равно
D/2 r/
- расходимость пучка (определяется как половина угла раствора конуса).
Если считать, что дефокусировка становится наблюдаемой, когда пучок перекрывает два элемента изображения (размером 0,1 мм на экране монитора), r определяется формулой
r = 0,1 мм / увеличение
Глубина фокуса D равна расстоянию по вертикали от -D/2 до +D/2. Таким образом,
D = 2r / = 0,2 мм / 2М
Расходимость меняется выбром радиуса R конечной диафрагмы и рабочего расстояния PP.
= R / PP
Типичные размеры диафрагм в РЭМ (100, 200, 600 мкм в диаметре). Рабочее расстояние 10 мм и увеличивается до 50 мм.
Глубина фокуса (мкм) при рабочем расстоянии 10 мм.
Увеличение |
100-мкм диафрагма = 5*10-3рад |
200-мкм диафрагма = 10-2рад |
600-мкм диафрагма = 3*10-2рад |
10х |
4000 |
2000 |
670 |
50х |
800 |
400 |
133 |
100х |
400 |
200 |
67 |
500х |
80 |
40 |
13 |
1000х |
40 |
20 |
6,7 |
10000х |
4 |
2 |
0,67 |
100000х |
0,4 |
0,2 |
0,067 |