
- •Конспект лекций по дисциплине «Физическая химия твердого тела» Направление подготовки
- •240100 Химическая технология
- •Магистерская программа
- •1. Введение. Основные цели и задачи физической химии твердого тела.
- •2. Кристаллография
- •Координаты точек и линий в элементарной ячейке.
- •Симметрия элементарной ячейки.
- •3. Кристаллохимия.
- •Основные виды гексагональных структур.
- •4.Дефекты кристаллической решетки. Точечные дефекты (дефекты I рода).
- •Температурные дефекты.
- •Структуры разрыхления. Дефекты по Шотки.
- •Структуры смещения. Дефекты по Френкелю.
- •Протяженные дефекты (дефекты II рода).
- •Дислокации. Дислокацией называется область дефектов решетки, простирающейся вдоль некоторой линии (линии дислокации). Краевые дислокации.
- •Винтовые диислокации.
- •Расчет дефектности.
- •Определение объема приходящегося на дефекты I и II рода.
- •Взаимодействие точечных и протяженных дефектов.
- •Источник Франка – Рида.
- •5. Методы исследования твердого тела Рентгенофазовый анализ
- •Возникновение непрерывного и линейчатого (атомного) спектра.
- •Закон Мозели.
- •Четыре квантовых числа.
- •Принцип Паули.
- •Основные сведения по физике рентгеновских лучей. Спектры испускания лучей.
- •Спектры поглощения рентгеновских лучей.
- •Рассеяние свободным электроном.
- •Эффект Комптона.
- •Фотоэффект.
- •Суммарное поглощение рентгеновского излучения веществом.
- •Спектры поглощения рентгеновского излучения.
- •Дифракция рентгновских лучей
- •Вывод уравнения Лауэ.
- •Вывод уравнения Вульфа – Брэгга.
- •Аппаратура для рентгененофазового анализа Принципиальная схема рентгеновской установки типа дрон.
- •Выбор основных параметров съемки дифрактограмм на рентгеновской установк типа дрон.
- •Приготовление образцов для проведения рентгенофазового анализа.
- •Съемка дифрактограмм. Метод Брентано.
- •Съемка рентгенограмм в монохроматическом излучении
- •Идентифкация вещества по межплоскостным расстояниям.
- •Индицирование рентгенограмм порошка.
- •Критерии правильности индицирования рентгенограмм.
- •Обратная решетка.
- •Индицирование рентгенограмм порошка. Индицирование рентгенограмм кубических веществ. Закон погасания.
- •Индицирование рентгенограмм в случае средних сингоний.
- •Аналитический метод индицирования рентгенограмм ромбических кристаллов (метод Хесса - Липсона).
- •Индицирование дебаеграмм методом Ито.
- •Метод подбора изоструктурного соединения.
- •Метод гомологии расшифровки рентгенограмм.
- •Переход от кубической ячейки к гексагональной.
- •Политипия. Интерпретация рентгенограмм слоистых структур со сложным характером чередования связей.
- •Источники ошибок в определении межплоскостных расстояний.
- •Зависимость точности в определении межплоскостного расстояния d от угла отражения .
- •Поправка на преломление.
- •Определение размеров кристаллитов и микронапряжений.
- •Метод определения областей когерентного рассеяния (окр).
- •Растровая электронная микроскопия (рэм, сэм) и рентгеноспектральный микроанализ (рсма).
- •Физические основы растровой электронной микроскопии
- •Формирование изображения в рэм.
- •Сканируемая область в зависимости от увеличения.
- •Глубина фокуса
- •Передача изобажения в цифровой форме и их обработка
- •Контраст
- •Контраст зависящий от атомного номера (контраст от состава, сигнал отраженных электронов)
- •Контраст от состава образца (режим вторичных электронов)
- •Компоненты контраста.
- •Ограничения разрешения.
- •Рентгеноспектральный микроанализ Физические основы рентгеноспектрального микороанализа
- •Устройство и работа рентгеноспектрального микроанализатора
- •Подготовка объектов для исследований и особые требования к ним
- •Технические возможности рентгеноспектрального микроанализатора
- •Технические возможности сканирующего туннельного микроскопа
- •Требования к объектам исследования и методы их подготовки
- •Области использования сканирующей туннельной микроскопии
- •Развитие микроскопии ближнего поля и расширение области её применения
- •Программное обеспечение. Форма сохранения и выдачи информации
- •Термический анализ.
- •Термогравиметрический анализ (тга).
- •Дифференциально – термический анализ (дта).
- •Применение дта и тга.
- •Пример разложения каолина Al4(Si4o10)(oh)8.
- •Изучение стеклообразования методом дта.
- •Некоторые особые области применения дта.
- •Спектральные методы исследования твердых тел
- •Спектроскопия видимого излучения и уф – спектроскопия.
- •Спектроскопия ямр (ядерно-магнитного резонанса).
- •Спектроскопия эпр(электронный парамагнитный резонанс).
- •Электронная спектроскопия эсха, рфс, уфс, Оже-спектроскопия, схпээ.
- •Ядерная - резонансная (Мессбауэровская ) спектроскопия.
- •Спектроскопия комбинационного рассеяния света (кр, крс, Раммановская спектроскопия).
- •Рассеяние света.
- •Колебания, модуляции, спекры.
- •Комбинационное рассеяние и поглощение света.
- •Основные параметры линий комбинационного рассеяния.
- •Применение комбинационного рассеяния в химии.
- •Установление химического строения молекул.
- •Исследование микроскопических образцов методом крс.
- •Основы зонной теории твердых тел Классификация твердых тел по величине электропроводности Твердое тело
- •Металлический кремний (Si) – 103 – 10-5 10-10 Ом-1см-1,
- •Уравнение Шредингера для твердого тела
- •Одноэлекторонное приближение
- •Функции Блоха
- •Свойства волнового вектора электрона в кристалле. Зоны Бриллюэна.
- •Построение зон Бриллюэна в простой кубической решетке с параметром а
- •Заполнение зон электронами. Металлы, диэлектрики, полупроводники
- •Физические свойства кристаллов и методвы их определения Электрические свойства тел. Основные свойства металлов. Электропроводность.
- •Температурная зависимость электропроводности
- •Влияние примесей и дефектов
- •Сверхпроводимость
- •Электропроводность металлов
- •Электрон в кристалле всегда подчиняется функции Блоха
- •Собственная проводимость полупроводников.
- •Концентрация носителей
- •Равновесная концентрация дырок в валентной зоне
- •Концентрация дырок, с учетом всех выкладок, будет равна
- •Подвижность в собственном полупроводнике
- •Проводимость примесных полупроводников
- •Концентрация носителей
- •Подвижность
- •Электропроводность диэлектриков.
Дифракция рентгновских лучей
Когерентно рассеянные рентгеновские лучи могут интерферировать между собой, причем дифракционной решеткой для рентгеновского излучения служит кристаллическая решетка, так как межплоскостные расстояния в кристалле сопоставимы с длиной волны излучения.
Вывод уравнения Лауэ.
Если направить на атомы, образующие кристалле ряд с периодом B, два луча M1A1N1 и M2A2N2, в случае происхождения дифракции, ломаная M1A1N1должна быть больше M2A2N2 на целое число длин волн,
.
Если A1C1 = b cos n, а A2C2 = b cos 0, то
n = b (cos n - cos 0), где n = 1,2,3, …
В случае трехмерной решетки уравнение принимает вид
a
Уравнения Лауэ
b
c (cos n - cos 0) = n,
a,b,c – периоды решетки по x,y,z
0, 0, 0 – углы между осями x,y,z
n, n, n – углы между направлениями дифракционных лучей.
Вывод уравнения Вульфа – Брэгга.
Трехмерную решетку можно представить как состоящую из параллельных плоскостей, от которых происходит отражение рентгеновских лучей (рис. ).
В таком случае (дифракция на сетке m = n = 0) два условия Лауэ приводятся к виду
cos n = cos 0
cos n = cos 0
Луч M1A1N1 проходит расстояние на B2A2 + A2C2 меньше, чем луч M2A2N2. Но B2A2 = A2C2 = d sin , т.е. для возникновения дифракции необходимо условие, называемое законом Вульфа – Брэгга.
2d sin = n, где n = 1,2,3,…
Коэффицент преломления рентгеновских лучей составляет 10-n (n=-5 (Ag), n =-6 (стекло)).
Аппаратура для рентгененофазового анализа Принципиальная схема рентгеновской установки типа дрон.
Принципиаьная схема установки семейства ДРОН (Дифрактометр Рентгеновский Общего Назначения) приведена на рис. .
трансформатор высокого напряжения
автотрансформатор (регулятор на первичной обмотке)
обмотка трансформатора, отвечающего за накал катода трубки
регулятор напряжения
рентгеновская трубка
Качество трубки характеризуется ее мощностью, формой фокального пятна и равномерностью распределения электронов в этом пятне.
Фокальное пятно – часть поверхности анода, на которую попадает пучок электронов.
Выбор основных параметров съемки дифрактограмм на рентгеновской установк типа дрон.
В настоящее время, аппаратура применяемая для съемки дифрактограмм, обладает широкими возможностями в плане изменения параметров съемки. В частности, семейство аппаратов ДРОН позволяет производить съемку в широком интервале угла 2 (0 - 120) с шагом съемки 0,1 – 0,01, и временем экспозиции от 1 до 5 секунд. Как показывает практика, необходиммым и достаточным интервалом для проведения фазового анализа является участок 5 – 70 по 2. Для определения параметра кристаллической решетки, в случае съемки на бумажный носитель, необходима съемка рентгенограммы в интервале 100 - 110 по 2.
Приготовление образцов для проведения рентгенофазового анализа.
Процесс приготовления образцов для рентгенографического анализа включает в себя несколько стадий.
1. Необходимо перетереть образец для его гомогенизации по составу.
2. Перетертый порошок положить в кювету или на стекло с клеем ровным слоем несколько выше уровня кюветы или стекла (в случае применения кюветы необходимо добавить 1 каплю спирта для более прочного сцепления перетертых частиц с поверхностью кюветы).
3. Получившуюся насыпку препарируемого материала необходимо запрессовать при помощи несильного нажатия стеклянной пластинки, при этом в случае применения кюветы уровень порошка должен совпадать с уровнем кюветы. Отклонение от данного условия приводит к некоторой ошибке при рентгеновской съемке.
4. Если имеется риск полиморфного превращения при перетирании, то образец необходимо снимать в том виде, в каком имеется исследуемое вещество.
5. В случае съемки твердофазного объекта имеющего форму, сторона подвергаемая рентгенофазовому анализу должна быть тщательно подготовлена, т.е. отшлифована и механически отполирована.