Содержание отчета:

• Номер и название практической работы;

• цель работы;

• задание;

• таблицу исходных данных для своего варианта;

• расшифровку маркировки заданного типа транзистора;

• расчет заданного параметра (см. таблицу 1) с пояснением его физического смысла;

• область применения заданного типа транзистора.

Краткие теоретические сведения

Транзистор как прибор, представляющий собой два взаимодействующих p-n перехода, может быть представлен эквивалентной схемой.

Где:

Rэп – сопротивление области базы и эмиттерного перехода;

Rб – сопротивление области базы;

Rкп – сопротивление области базы и коллекторного перехода;

Cк – емкость коллекторного перехода;

Iэ – управляемый генератор тока.

Однако эти параметры непосредственно измерить нельзя. Поэтому транзистор представляют в качестве активного четырехполюсника, имеющего два входных и два выходных зажима:

На входе такого черырехполюсника действуют мгновенные значения напряжения u1 и тока i1, а на выходе – u2 и i2.

БТ – нелинейный элемент, поэтому он имеет нелинейные характеристики. В этом случае параметры БТ являются дифференциальными, то есть определяются при малом входном сигнале. Мгновенные значения токов и напряжения связаны между собой через параметры четырехполюсника. Если два из четырех параметров принять за независимые, то оставшиеся два будут зависимыми. Эту зависимость определяет система уравнений. Наибольшее распространение получили h – параметры, при которых за независимые параметры принимаются i1 и u2, а i2 и u1 – зависимыми. Таким образом:

i2 = h21 i1 + h22 u2 (5)

u1 = h11 i1 + h21 u2 (6)

В режиме короткого замыкания на выходе u2 = 0, тогда

i 2 = h21 i1; (7)

u1 = h11 i1. (8)

В режиме холостого хода i1 = 0 , тогда

i2 = h22 u2; (9)

u1 = h21 u2. (10)

H – параметры являются справочными. Однако их величины можно определить по характеристикам через приращения токов и напряжений.

Для схемы с ОЭ справедливы следующие соотношения:

ΔUэб ΔIк

h11э = --------,Uкэ = const; (12) h21э = ---------,Uкэ = const; (13)

ΔIэ ΔIэ

ΔUэб ΔIк

h12э = ---------,Iб = const; (14) h22э = ----------,Iб = const; (15)

ΔUкб ΔUкб

Н – параметры так же температурозависимы и составляют:

Таблица 3

Параметр	Схема с ОЭ	Схема с ОБ
h11	Сотни – единицы кОм	Единицы – десятки Ом
h12	10 …….. 10	10 …….. 10
h21	10 …….. 10	10 …….. 10
h22	Десятки – сотни 1/мкОм	Единицы – десятки 1/мкОм

В справочных изданиях кроме выше перечисленных параметров, встречаются параметры предельных режимов.

Максимально допустимыми параметрами называются значения режимов транзисторов, которые нельзя превышать ни при каких условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность:

Iкmax, Iэmax, Iбmax – максимально допустимый постоянный ток;

Iк нас, Iб нас – максимально допустимые токи в режиме насыщения;

Uкбmax, Uэбmax, Uкэmax – максимально допустимое постоянное напряжение;

Uкэ и max и Uкб max – максимально допустимое импульсное напряжение.

Предельные параметры по напряжению ограничиваются прочностью к пробою p-n перехода:

Рк max – максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность;

Рк ср max – максимально допустимая средняя импульсная рассеиваемая мощность;

Рк и max – максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность;

Рк max т – максимально допустимая рассеиваемая мощность с теплоотводом.