- •Е. Л. Жукова
- •Рецензенты:
- •И.А.Пузыревский
- •Содержание
- •Содержание отчета:
- •Номер и название практической работы;
- •Краткие теоретические сведения
- •Содержание отчета:
- •Номер и название практической работы;
- •Практическая работа 3 Знакомство с системой обозначений имс и их параметрами по справочной литературе
- •Практическая работа 4 Расчет параметров усилителя с эмиттерной стабилизацией
- •Краткие теоретические сведения
- •Практическая работа 5 Расчет двухтактного бестрансформаторного усилителя мощности
- •Литература
Содержание отчета:
Номер и название практической работы;
цель работы;
задание;
таблицу исходных данных для своего варианта;
расшифровку маркировки заданного типа диода;
определение заданного типа диода;
краткий ответ, какое свойство p-n перехода используется в заданном типе диода;
схему включения заданного типа диода;
его типовую характеристику с указанием на ней рабочего участка;
расчет заданного параметра (см. таблицу 1) с пояснением его физического смысла;
область применения заданного типа транзистора.
Краткие теоретические сведения
Выпрямительный диод – это полупроводниковый прибор, обладающий одним p-n переходом и двумя выводами, и предназначенный для преобразования переменного тока в постоянный.
В выпрямительном диоде используется свойство прямой электропроводности (прямое включение p-n перехода).
Iпр, мА
Iпр.max
Iпр,min
Uпр, В
0
Uпр,max
Uпр.min
Рисунок 1 ВАХ выпрямительного диода
|
Рисунок 2 Схема включения выпрямительного диода |
Характерным параметром выпрямительного диода является коэффициент выпрямления, который определяет степень преобразования переменного тока в постоянный и измеряется в относительных единицах.
(1)
Выпрямительные диоды предназначены для использования в различных выпрямительных схемах, блоках, столбах, работающих на токах низкой частоты. Маломощные выпрямительные диоды могут работать в устройствах преобразования электрических сигналов.
Варикап – это полупроводниковый диод, действие которого основано использовании зависимости емкости от обратного напряжения и который предназначен для применения в качестве управляющей емкости.
В варикапе используется свойство обратно включенного p-n перехода накапливать электрические заряды.
Характерным параметром варикапа является емкостной коэффициент, показывающий степень изменения емкости электронно-дырочного перехода.
(2)
Варикапы используются в устройствах частотной модуляции, автоматической подстройки частоты, для изменения резонансной частоты контура, в параметрических усилителях, в блоках высокой частоты телевизионных приемников и т. д.
С, пФ
Сmax
Сmin
Uобр, В
Uобр.max
0
Uобр.min
Рисунок 3 Типовая характеристика варикапа |
Рисунок 4 Схема включения стабилитрона |
Стабилитрон – это полупроводниковый диод, работающий в режиме электрического пробоя, и предназначен для стабилизации переменного напряжения.
В стабилитроне используется свойство обратной электропроводности (обратное включение p-n перехода).
Umax.ст
Umin.ст
0
Uобр,
В
Imin.ст
Imax.ст
Рисунок 5 ВАХ стабилитрона |
Рисунок 6 Схема включения стабилитрона |
Стабилитроны используются как стабилизирующие элементы в простейших параметрических стабилизаторах напряжения, в качестве источников опорного напряжения и в электрических цифровых устройствах, а так же как элементы согласования уровней потенциала в цепях межкаскадной связи усилителей постоянного тока. Стабилитроны применяют в схемах ограничения импульсов, в цепях защиты от перегрузок и т. д.
Характерным параметром стабилитрона является его сопротивление, которое определяет ток и напряжение стабилизации.
(3)
Туннельный диод – это диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению на ВАХ при прямом включении участка с отрицательной дифференциальной проводимостью.
В данном типе диода используется свойство обратной проводимости при прямом включении p-n перехода.
Iпр. mA
Iп
Iв
Uпр. В
Uп
Uв
Uр-р
Рисунок 7 ВАХ туннельного диода |
Рисунок 8 Схема включения туннельного диода |
Характерным параметром туннельного диода является отрицательная дифференциальная проводимость, которая определяет возможность прямо включенного p-n перехода пропускать электрический ток в обратном направлении в определенном диапазоне напряжений.
(4)
Туннельные диоды широко используются при построении туннельно-транзисторных устройств, а наличие участка с отрицательной дифференциальной проводимостью позволяет их применять в схемах генераторов, усилителей, переключателей СВЧ-диапазона, импульсных устройствах.
Классификация и система обозначений полупроводниковых приборов
Классификация полупроводниковых диодов осуществляется по их назначению, физическим свойствам, основным электрическим параметрам, конструктивно-технологическим признакам, исходному полупроводниковому материалу. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.
Первый элемент (цифра или буква) – обозначает исходный полупроводниковый материал, кодируемый следующими символами:
Г или 1 – германий и его соединения;
К или 2 – кремний или его соединения;
А или 3 – соединения галлия;
И или 4 – соединения индия.
Второй элемент (буква), обозначает подкласс прибора, для кодирования которого используется одна из следующих букв:
Д – диоды;
Ц – выпрямительные столбы и блоки;
В – варикапы;
И – туннельные диоды;
А – сверхвысокочастотные диоды;
С – стабилитроны;
Г – генераторы шума;
Л – излучающие оптоэлектронные приборы;
О – оптопары.
Третий элемент (цифра) - определяет основные функциональные возможности диода, для обозначения которых используется индивидуальное цифровое обозначение наиболее характерных эксплуатационных признаков.
Подкласс Д (диоды):
1 – выпрямительные диоды с постоянным или средним значениями прямого тока не более 0,3 А;
2,3 - выпрямительные диоды с постоянным или средним значениями прямого тока более 0,3 А, но менее 10А;
4 – импульсные диоды с временем восстановления обратного сопротивления 500нс;
5 - импульсные диоды с временем восстановления обратного сопротивления более 150 нс, но не выше 5000нс;
6 - импульсные диоды с временем восстановления обратного сопротивления 51 – 150 нс;
7 - импульсные диоды с временем восстановления обратного сопротивления 5 – 50 нс;
8 - импульсные диоды с временем восстановления обратного сопротивления 1 – 5 нс;
9 – импульсные диоды с эффективным временем жизни неосновных носителей заряда менее 1 нс.
Подкласс Ц (выпрямительные столбы и блоки):
1,3 – столбы с постоянным или средним значениями прямого тока не более 0,3 А;
2,4 - столбы с постоянным или средним значениями прямого тока от 0,3 А до 10А;
Подкласс В (варикапы):
1 – подстроечные варикапы;
2 – умножительные варикапы.
Подкласс И (туннельные диоды):
1 – усилительные туннельные диоды;
2 – генераторные туннельные диоды;
3 – переключательные туннельные диоды;
4 – обращенные диоды;
Подкласс А (сверхвысокочастотные диоды):
1 – смесительные диоды;
2 – детекторные диоды;
3 – усилительные диоды;
4 – параметрические диоды;
5 – переключательные и ограничительные диоды;
6 – умножительные и настроечные диоды;
7 – генераторные диоды;
8 – импульсные диоды.
Подкласс С (стабилитроны):
1 – стабилитроны мощностью не более 0,3 Вт и с номинальным напряжением стабилизации не менее 10В;
2 - стабилитроны мощностью не более 0,3 Вт и с номинальным напряжением стабилизации от 10 до 100В;
3 - стабилитроны мощностью не более 0,3 Вт и с номинальным напряжением стабилизации более 100В;
4 – стабилитрон мощностью 0,3 – 5Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10В;
5 - стабилитроны мощностью не более 0,3 Вт и с номинальным напряжением стабилизации от 10 до 100В;
6 - стабилитроны мощностью не более 0,3 Вт и с номинальным напряжением стабилизации более 100В;
7 - стабилитроны мощностью от 5 до 10 Вт и с номинальным напряжением стабилизации менее 10В;
8 - стабилитроны мощностью от 5 до 10 Вт и с номинальным напряжением стабилизации от 10 до 100В;
9 - стабилитроны мощностью от 5 до 10 Вт и с номинальным напряжением стабилизации более 100В.
Подкласс Г (генераторы шума):
1 – низкочастотные;
2 – высокочастотные.
Четвертый элемент (число) – представляет собой порядковый номер разработки. Для обозначения порядкового номера используются двузначные от 01 до 99 или трехзначные от 101 до 999 числа.
Пятый элемент (буква) – условно определяет классификацию (разбраковку по параметрам) диодов, изготовленных по единой технологии. В качестве классификационной литеры (буквы) используются буквы русского алфавита, за исключением букв: З, О, Ч, Ш, Щ, Ъ, Ы, Ь, Э, Ю, Я.
В качестве дополнительных элементов обозначения могут применятся:
цифры 1 – 9 для обозначения модификаций диодов, приводящих к изменению его конструкции или электрических параметров;
буква С для обозначения сборок, наборов в общем корпусе однотипных приборов, не соединенных электрически или соединенных одноименными выводами;
цифры, написанные через дефис, для обозначения модификаций конструктивного исполнения бескорпусных диодов:
1 – с гибкими выводами без кристаллодеджателя;
2 – с гибкими выводами на кристаллодеджателе (подложке);
3 – с жесткими выводами без кристаллодеджателя;
4 – с жесткими выводами на кристаллодеджателе;
5 – с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов;
6 – с контактными площадками на кристаллодержателе без выводов;
буква Р после последнего элемента обозначения применяется для приборов с парным подбором;
буква Г после последнего элемента обозначения применяется для приборов с подбором в четверки;
буква К после последнего элемента обозначения применяется для приборов с подбором в шестерки.
Пример расшифровки маркировки заданного типа диода 2Д 204 А.
2 – кремниевый;
Д – выпрямительный диод;
2 – с постоянным или средним значениями прямого тока более 0,3, но менее 10 А;
04 – порядковый номер;
А – классификационная литера.
Практическая работа 2
Расчет h-параметров биполярного транзистора с ОЭ и ОБ по статическим характеристикам
Цель работы:
закрепить теоретические знания по теме «Биполярные транзисторы»;
научиться выполнять расшифровку маркировки заданного типа биполярного транзистора;
выполнить расчет h-параметра заданного биполярного транзистора.
Задание:
изучить теоретический материал по теме «Биполярные транзисторы»;
расшифровать маркировку заданного типа транзистора;
выполнить расчет h-параметров транзистора.
Исходные данные
Таблица 2
Вариант |
Тип транзистора |
Входная ВАХ |
Выходная ВАХ |
Определить h-параметры |
||
Uэб.рт, В |
Iб.рт, мА |
Uкэ.рт, В |
Iб.рт, мА |
|||
1 |
КТ604 Б |
0,8 |
1,5 |
120 |
2 |
h11, h21, h22 |
2 |
КТ611 |
0,8 |
1 |
80 |
1 |
h11, h21, h22 |
3 |
П701 |
0,6 |
20 |
20 |
15 |
h11, h21, h22 |
4 |
КТ805А |
1 |
100 |
40 |
150 |
h11, h21, h22 |
5 |
КТ502 |
0,7 |
0,4 |
15 |
0,4 |
h11, h21, h22 |
6 |
КТ816 |
1 |
40 |
15 |
0,4 |
h11, h21, h22 |
7 |
КТ301 |
0,8 |
0,3 |
10 |
0,075 |
h11, h21, h22 |
8 |
КТ610 |
1,1 |
20 |
10 |
2 |
h11, h21, h22 |
9 |
МП25 |
0,2 |
0,5 |
10 |
0,3 |
h11, h21, h22 |
10 |
П607А |
0,3 |
2 |
16 |
1,5 |
h11, h21, h22 |
