- •112 Этапы программирования
- •4 Эксплуатация и распространение программы.
- •113 Особенности составления программ на Ассемблере
- •114 Ассемблирование, компиляция, загрузка программы
- •Синтаксический анализ
- •Семантический анализ
- •115 Основные понятия теории конечных автоматов
- •116 Типы автоматов и способы их задания и функционирования
- •117 Минимизация абстрактных автоматов
- •118 Структурный синтез автоматов
- •119 Типы запоминающих устройств, их назначение и характеристики
- •120 Классификация полупроводниковых зу
- •I Адресные
- •II Последовательные
- •III Ассоциативные
- •121 Основные структуры зу
- •122 Постоянные зу типа rom, prom, eprom, eeprom
- •123 Flash-память
- •124 Память типа Straba Flash
- •125 Статистическая память sram
- •126 Динамические зу dram
- •127 Функциональная организация оперативных и постоянных зу
- •Выход d
- •128 Реализация многокристальной памяти
Выход d
Усилитель
R/Wr Cs
Вх. D
a0, .. a9 – адреса, предназначены для дешифровки строк и столбцов;
Функциональная схема статического МОП-ОЗУ с раздельными вводом и выводом данных.
Схема управления решает задачу переключения режима “Чтение-Запись”. Вход “Выбор кристалла” (Cs) предназначен для расширения объема памяти до требуемого, ограничиваемого разрядностью адресного поля команды.
Для повышения нагрузочной способности и согласования уровней МОП- и ТТЛ-схем используются входные и выходные усилители.
128 Реализация многокристальной памяти
Высокопроизводительные статические асинхронные КМОП СОЗУ
Примеры реализации:
Многокристальный модуль(МКМ) СОЗУ1М – информационный емкостью 1Гб, выполненное по технологии 2D-Si из 4-х кристаллов БИС ОЗУ 256К с организацией 32Кх8, объединенные по адресным шинам и попарно по шинам входов и выходов. Выполнен в 54-выводном металло-стеклянном корпусе.
Многокристальный модуль(МКМ) СОЗУ4М – информационный емкостью 4Гб, выполненное по технологии 3D-Si из 4-х кристаллов БИС ОЗУ 1М с организацией 512Кх8, объединенные по адресным шинам. Выполнен в 54-выводном металло-стеклянном корпусе.