Напівпровідникові запам'ятовуючі пристрої.

Напівпровідникові ЗП на сьогоднішній день займають лідируюче положення на ринку і широко використовуються.

Напівпровідникові ЗП класифікуються по таких ознаках:

1) режимові занесення інформації:

-ОЗП;

-пзп;

2) режимові роботи:

- статичні (сОЗП, sram);

- динамічні (дОЗП, dram);

3) принципові вибірки інформації:

- с довільною вибіркою;

- с послідовною вибіркою;

4) технології виготовлення:

- на біполярні;

- на уніполярні.

ОЗП використовується для введення в процесор системи нових даних і програм, а також для збереження поточних результатів або даних, отриманих у результаті роботи системи. ОЗП може працювати в двох основних режимах:

- читання;

- запис.

Статичне ОЗП утвориться матрицею запам'ятовуючих елементів (зэ), кожний з яких може бути встановлений в один із двох можливих станів: «0» або «1», що зберігається при поданому харчуванні. Основою зэ в статичних ОЗП є схема тригера або вентиля. У робочому стані така матриця безупинно споживає енергію.

Динамічне ОЗП - це матриця елементів, для якої потрібне періодичне відновлення інформації (регенерація). У динамічному ОЗП в якості зэ використовується конденсатор (запам'ятовуючий конденсатор), у якому інформація зберігається у виді заряду. Заряд з часом зменшується, стікає. Для відновлення заряду потрібна періодична підзарядка нагромаджуючої ємності. Такий режим називається регенерацією.

Динамічна схема пам'яті ефективна для ОЗП щодо великого обьема. Пам'ять малого обсягу звичайно реалізується на статичних ОЗП.

ОЗП побудовані на біполярній технології мають велику швидкодію; на кмоп - малим енергоспоживанням.

Класифікація ОЗП за технологією виготовлення:

Ттл – транзисторно-транзисторна логіка.

І²л – інтегральна інжекционна логіка.

Эсл – эммитерно зв'язана логіка

N-моп – метал - окисел - напівпровідник n - типу

Кмоп –комплементарна метал - окисел – напівпровідникова технологія

Ттлш – транзисторно-транзисторна логіка шотки.

Увага: варто пам'ятати, що при відключенні харчування інформація зберігається в ОЗП губіться.

ПЗП - пристрій з якого можна зчитувати тільки заздалегідь записану інформацію. ПЗП використовується для збереження коду якої-небудь програми або даних – констант, найбільше часто використовуваних мп у процесі обчислення. Інформація в ПЗП у відмінності від ОЗП записується на кристале зі зміною його фізичних властивостей, тому відключення харчування не руйнує записану інформацію, тобто ПЗП – энергонезависимо.

ПЗі у свою чергу підрозділяються на:

1. Неперепрограммируемые ПЗП - масочные ПЗП (MROM або МПЗП (ПЗП));

2. Програмувальні ПЗП (PROM або ППЗП);

3. Стира програмувальні ПЗП (EPROM або СППЗП);

4. стираЭлектрически програмувальні ПЗП (EEPROM або ЭСППЗП).

У МПЗП інформація спеціальним образом «зашивається» при їхньому виробництві по масці або шаблонові і перепрограмуванню не підлягає.

Уміст ППЗП формується після того, як мікросхема уже виготовлена за допомогою спеціальних електронних пристроїв, називаних программаторами. Процес занесення інформації супроводжується звичайно шляхом пережигания плавких перемичок і отже ППЗП є однократно програмувальними. ППЗП знайшли найбільше поширення.

У СППЗП інформацію можна заносити неодноразово. Попередньо стару інформацію знищують у плині 15-20 хвилин інтенсивними ультрофиолетові променями і далі за допомогою програматора записують нову інформацію.

ЭСППЗП також відноситься до багаторазово програмувального пристрою. Однак, у відмінності від СППЗП інформація стирається не ультрофіолетовими променями, а електричним способом.

К ласифікація ПЗП за технологією виготовлення:

Р-моп – метал - окисел - напівпровідник p - типу

Р-мноп – структура «метал-нітрид кремній-окисел кремній-напівпровідник p – типу».

N-лизмоп – моп структура з лавинною інжекцією заряду